离子束溅射设备和方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111886360B

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN201880089965.9

    申请日:2018-12-21

    Abstract: 本发明的一个方面提供了一种离子束溅射设备,该离子束溅射设备包括:离子源,该离子源被构造为沿着束轴线生成中空离子束,该束轴线位于束的中空部分中;和溅射靶,该溅射靶具有限定至少一个靶表面的靶体,靶体包括可溅射粒子,靶体相对于离子源定位,使得离子束撞击至少一个靶表面,以从靶体朝向要改性的物体的表面溅射粒子。靶体被成形为使得朝向待改性表面溅射的粒子通常相对于束轴线在径向延伸的溅射方向上从溅射靶溅射,溅射方向是(i)朝向束轴线延伸的方向和(ii)远离束轴线延伸的方向中的一个。

    离子束溅射设备和方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111886360A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201880089965.9

    申请日:2018-12-21

    Abstract: 本发明的一个方面提供了一种离子束溅射设备,该离子束溅射设备包括:离子源,该离子源被构造为沿着束轴线生成中空离子束,该束轴线位于束的中空部分中;和溅射靶,该溅射靶具有限定至少一个靶表面的靶体,靶体包括可溅射粒子,靶体相对于离子源定位,使得离子束撞击至少一个靶表面,以从靶体朝向要改性的物体的表面溅射粒子。靶体被成形为使得朝向待改性表面溅射的粒子通常相对于束轴线在径向延伸的溅射方向上从溅射靶溅射,溅射方向是(i)朝向束轴线延伸的方向和(ii)远离束轴线延伸的方向中的一个。

    宽动态范围磁强计
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104995525A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201380072997.5

    申请日:2013-12-17

    CPC classification number: G01R33/093 G01R33/07

    Abstract: 一种磁强计100,用于确定外部磁场,包括形成的磁阻材料、电极装置104以及处理器。所述磁阻材料的电阻响应包括:施加第一范围的递增外部磁场时的减小响应,以及施加第二范围的递增外部磁场时的增加响应。所述电极装置104测量所述磁阻材料对施加的所述外部磁场的所述电阻响应。所述处理器被配置成确定施加到所述磁阻材料的所述外部磁场是在所述第一范围中还是在所述第二范围中。所述处理器被配置成至少部分基于所述磁阻材料对所述外部磁场的电阻响应确定所述外部磁场,并且确定所述外部磁场是在所述第一范围中还是在所述第二范围中。

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