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公开(公告)号：CN111747377A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010705386.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
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公开(公告)号：CN111710972A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010651713.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q5/10 , H01Q5/20 , H01Q5/307 , H01Q19/10 , H01Q21/00 , H01Q21/24 , H01Q25/04
Abstract: 本发明涉及一种多模双极化基站天线振子，属于天线技术领域。本发明包括介质基板、振子天线单元、反射板；振子天线单元设置在介质基板底面，微带线放置于介质基板顶面；振子天线单元包括两对相互正交的振子天线子单元；每一个振子天线子单元均包括外环和Y型枝节，Y型枝节位于外环内并与外环相连接，相邻两个振子天线子单元之间留有缝隙形成互耦部。本发明通过上述结构拓宽了天线工作频段，具有多模特性，保证了天线单元的辐射性能，辐射单元具有高增益和波束宽度收敛等优点，并且辐射单元的交叉极化比得到改善。结构制造简单且成本较低。
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公开(公告)号：CN111785791B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010718274.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: H10F77/60 , H10F30/223 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供一种Ge光电探测器及其制备方法，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本发明可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。
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公开(公告)号：CN111710973A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010652576.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 哈尔滨众达电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种层叠式差分宽带基站天线。包括天线主体、反射板、同轴线；天线主体通过同轴线安装在反射板上方；天线主体包括辐射单元、十字型馈电结构、寄生单元、第一块介质基板和第二块介质基板；辐射单元、十字型馈电结构分别安装在第一块介质基板的下表面和上表面；寄生单元安装在第二块介质基板的下表面；第二块介质基板放置在第一块介质基板上方；辐射单元由四个线性辐射臂组成；辐射单元的每个辐射臂的尾端加载了L型枝节。本发明的上述结构满足天线的电气性能，且具有较优的辐射性能。相较于传统的单端口天线，本发明采用双端口馈电提高了天线的抗干扰能力，且天线采用PCB板材，具有低成本、加工简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785791A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010718274.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: H01L31/024 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种Ge光电探测器及其制备方法，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本发明可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。
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公开(公告)号：CN212609552U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202021442683.3
申请日：2020-07-21
Applicant: 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: B81C1/00 , B81B7/02 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/311
Abstract: 本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212380562U
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202021325846.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 哈尔滨众达电子有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种层叠式差分宽带基站天线。包括天线主体、反射板、同轴线；天线主体通过同轴线安装在反射板上方；天线主体包括辐射单元、十字型馈电结构、寄生单元、第一块介质基板和第二块介质基板；辐射单元、十字型馈电结构分别安装在第一块介质基板的下表面和上表面；寄生单元安装在第二块介质基板的下表面；第二块介质基板放置在第一块介质基板上方；辐射单元由四个线性辐射臂组成；辐射单元的每个辐射臂的尾端加载了L型枝节。本实用新型的上述结构满足天线的电气性能，且具有较优的辐射性能。相较于传统的单端口天线，本实用新型采用双端口馈电提高了天线的抗干扰能力，且天线采用PCB板材，具有低成本、加工简单等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212380561U
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202021324509.9
申请日：2020-07-08
Applicant: 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q5/10 , H01Q5/20 , H01Q5/307 , H01Q19/10 , H01Q21/00 , H01Q21/24 , H01Q25/04
Abstract: 本实用新型涉及一种多模双极化基站天线振子，属于天线技术领域。本实用新型包括介质基板、振子天线单元、反射板；振子天线单元设置在介质基板底面，微带线放置于介质基板顶面；振子天线单元包括两对相互正交的振子天线子单元；每一个振子天线子单元均包括外环和Y型枝节，Y型枝节位于外环内并与外环相连接，相邻两个振子天线子单元之间留有缝隙形成互耦部。本实用新型通过上述结构拓宽了天线工作频段，具有多模特性，保证了天线单元的辐射性能，辐射单元具有高增益和波束宽度收敛等优点，并且辐射单元的交叉极化比得到改善。结构制造简单且成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212257412U
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202021470805.X
申请日：2020-07-23
Applicant: 昆明理工大学 , 国网上海能源互联网研究院有限公司 , 哈尔滨众达电子有限公司
IPC: H01L31/024 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种Ge光电探测器，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本实用新型可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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