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公开(公告)号：CN119767942A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510184089.X
申请日：2025-02-19
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: H10K50/11 , H10K50/12 , H10K50/17 , H10K85/60 , C07D498/04 , C07D405/14 , C07D487/04 , C07F15/00 , C07F5/02 , C07D209/86 , C07C211/61
Abstract: 本发明公开了一种杂环化合物组合及有机电致发光器件。其中杂环化合物组合包括空穴注入层化合物和发光层化合物，空穴注入层化合物选自式1所示的化合物一，发光层化合物中含有双组分主体材料以及掺杂材料，其中双组分主体材料包括第一主体以及第二主体，第一主体选自式2所示的化合物，第二主体选自式3‑1或者式3‑2所示的化合物，使用本发明的空穴注入材料（PD掺杂材料），搭配本发明的GH双组分主体材料，同时使用本发明的第一掺杂SP，所制备出的器件，具有优异的发光效率及寿命。同时搭配第二掺杂GD，制备的敏化器件，进一步提高了器件的发光效率及器件。#imgabs0##imgabs1##imgabs2##imgabs3#。
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公开(公告)号：CN119194349B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411547597.1
申请日：2024-11-01
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
Abstract: 本公开提供一种掩膜板的制作方法及掩膜板，其中的制作方法包括：提供多个精密金属掩膜板，提供支撑掩膜板；并且包括重复如下步骤：选取多个精密金属掩膜板中的一个，对被选取的精密金属掩膜板施加张力，将其贴合至支撑掩膜板，将已对准的空置支撑开口与合格掩膜单元接合；保留已接合的合格掩膜单元，切除被选取的精密金属掩膜板的其余部分。本公开中的制作方法可显著提高精密金属掩膜板的有效利用率，也能够提高整体的张网精度。
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公开(公告)号：CN119019317A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411497132.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种含有咔唑结构的化合物及有机电致发光器件。本发明的化合物均在联咔唑核心（HOMO能级电子云密度高的区域）进行氘代的化合物，同时咔唑的9‑号位置如果未联苯，则与咔唑9‑号位置链接的苯基同样被氘所取代，由于C‑D之间的键能远高于C‑H键，且C‑D键的伸缩振动的幅度远低于C‑H键，因此本发明的化合物具有更加良好的热稳定、化学稳定性及光电稳定性，进而大幅度提高了器件的稳定性及寿命。化合物同时具有合适的分子量、合适的蒸镀温度和升华温度，良好的量产稳定性。#imgabs0#。
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公开(公告)号：CN114671799B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210297616.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: C07D209/56 , H10K85/60 , H10K50/10
Abstract: 本发明公开了一种杂环化合物及有机电致发光器件，本发明在化合物中引入4‑苯基‑4H‑萘[1,2,3,4‑def]咔唑结构为核心，该结构具有较高的三线态能级及良好的载流子迁移性质，该特性决定了以该结构为核心的化合物具有较高的三线态能级，有效避免了能量由发光层向传输层的反向传递，进而有效提高了器件的效率。同时4‑苯基‑4H‑萘[1,2,3,4‑def]咔唑结构良好的载流子迁移性质与同样具备良好载流子迁移率的芴基衍生物进行组合，使器件的空穴及电子的传输性能更加平衡，进一步提高了器件的效率及寿命，降低了器件的电压。
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公开(公告)号：CN116589365B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310366913.4
申请日：2023-04-07
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: C07C211/61 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/16 , H10K50/18 , H10K50/11 , H10K85/60 , H10K59/10 , H10K59/90 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一类全新的有机电致发光材料。该类材料具有以下特点：本发明中的化合物均为联苯基上取代烷基、环烷基、氘代烷基或氘代环烷基的化合物，本申请中由于烷基、环烷基、氘代烷基、氘代环烷基的引入，有效提高了材料的电子云密度，进而显著提高了材料的空穴迁移率，进而提高器件的发光效率，降低器件电压，提高器件寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118812523A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410768893.8
申请日：2024-06-14
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: C07D405/14 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/11
Abstract: 本发明涉及一种新型有机电致发光材料，该材料结构设计巧妙，将氘代咔唑、二苯并呋喃和三嗪这三种结构单元巧妙结合，赋予其诸多优异性能。其中氘代咔唑和氘代苯基可以有效降低激子能量损失，提高器件能量转换效率，延长器件寿命，二苯并呋喃结构具有高三线态能量，有利于促进激子辐射跃迁，提升器件效率。该类材料具有良好的热稳定性和化学稳定性，能够在高温和潮湿的环境下保持良好的性能，延长器件寿命。
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公开(公告)号：CN118652211A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411142650.X
申请日：2024-08-20
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/11
Abstract: 本发明提供了一种含有三咔唑结构的化合物及有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域。其中含有三咔唑结构的化合物的结构式如下式1所示：#imgabs0#。化合物中氘的引入提高了该类材料的化学稳定性及热稳定性，进而大幅度提高了器件的稳定性及寿命，且在特殊位置的氘代在提升性能的同时兼具经济性。同时氘代后的GH材料与具有氘代的GD材料具有更好的相溶解性，更有益于能量的传递，进而提高器件的制备良率、稳定性、效率和寿命。
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公开(公告)号：CN113999220B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111192863.X
申请日：2021-10-13
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: C07D413/14 , C07D487/04 , C09K11/06 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种含有苯并菲并呋喃结构的化合物及有机电致发光器件,该化合物是由苯并菲并[4,5‑bcd]呋喃基团、三嗪基团及恶唑类衍生物基团以特定的方式连接而成的化合物及有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域。本发明中，苯并菲并[4,5‑bcd]呋喃基团具备更高的共轭效应，进而具备良好的载流子迁移率，良好的载流子迁移率提高了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN114835591B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210625121.X
申请日：2022-06-02
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
IPC: C07C211/61 , C07C211/54 , C09K11/06 , H10K50/15 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种含有环烷基团的化合物及有机电致发光器件。本发明中的化合物中9,9‑二苯基芴上均取代有环烷基团，该基团具有良好的供电子特性，能够提高材料的电子迁移率，同时该基团具有较大的空间结构和位阻，能够起到“锚定”的作用，使材料之间结合更加密实，进而具有更好的成膜性，提高了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN114015977B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111311704.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 南京高光半导体材料有限公司
Abstract: 本发明提出的一种金属掩膜版及掩膜组件，涉及蒸镀掩膜领域。所述的金属掩膜版的中部具有规则排布的若干开口图案；所述的金属掩膜版大体上呈矩形，且其四边均具有向其网面内侧凹陷的缺口，所述的缺口用于所述的金属掩膜版在张网拉伸时的形变预留量；所述的缺口的边缘起始于所述的矩形的顶点，且所述的缺口由其中间部位至其两侧边缘的深度逐渐减小。所述的掩膜组件包括所述的金属掩膜版。本发明通过在金属掩膜版的四边设置特定的缺口作为形变预留量，降低张网拉伸时需要给靠近金属掩膜版四角位置提供的张网拉力，实现了在控制金属掩膜版张网后下垂量的同时，避免了因在该位置拉力过大而产生的网面变形。
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