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公开(公告)号：CN118977921A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411100178.3
申请日：2024-08-12
申请人： 东莞市新美洋技术有限公司 , 深圳市长盈精密技术股份有限公司
摘要： 本发明涉及键盘基板包装装置，其包括：支撑件，包括支撑部以及分别自支撑部宽度方向的两侧延伸形成的两个限位部，支撑部上开设有沿支撑部长度方向间隔设置且沿支撑部宽度方向延伸的多个支撑槽，各限位部上开设有与支撑槽一一对应设置的限位槽，两个限位部能相对于支撑部转动至第一位置，使支撑件处于折叠状态，两个限位部还能相对于支撑部转动至第二位置，使支撑件处于展开状态；及收容件，具有收容空间，收容空间用于收容处于折叠状态的支撑件；其中，在处于折叠状态的支撑件中，支撑槽与对应设置的两个限位槽共同形成用于放置键盘基板的容纳腔。本发明可以多次反复利用，降低了包装成本。
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公开(公告)号：CN113740662B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110876018.8
申请日：2021-07-30
申请人： 深圳市科陆电子科技股份有限公司
发明人： 游五洲
IPC分类号： G01R31/08
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公开(公告)号：CN118974974A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380008984.5
申请日：2023-03-31
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01M4/62
摘要： 本发明提供了一种电池正极材料及其处理方法和电池。电池正极材料处理方法包括：将待处理的表面至少一部分具有碳层的电池正极材料进行冷等离子体处理以对碳层进行掺杂，其中，掺杂量不小于50ppm。电池正极材料其表面的至少一部分含有碳层且表面至少一部分具有棒状形态，其中，碳层为经冷等离子体处理后掺杂活性粒子的碳层，且在正极材料的表面形成一层高钠离子电导的NaF层。该发明的处理方法可以增强电池正极材料颗粒表面能，改善其与电解液的界面亲和性，可以获得质地均匀、孔隙率低、高离子电导率和电子电导率的正极材料。
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公开(公告)号：CN118972331A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202311750940.8
申请日：2023-12-19
申请人： 深圳市跨越新科技有限公司
发明人： 付思成
IPC分类号： H04L47/215 , H04L51/04 , H04L51/52 , H04L51/21
摘要： 本发明公开了一种企业群消息限流方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：使长连接网关接收客户端发送的消息体，并将所述消息体发送至消息转发服务，所述消息体包括用户ID和业务消息体；使所述消息转发服务根据所述用户ID从用户消息服务中获取用户信息，并根据所述用户信息判断所述消息体是否为优先消息体；若所述消息体为优先消息体，则调用消息处理服务对所述消息体对应的实体类代码信息进行处理；若所述消息体不为优先消息体，则根据令牌桶算法，确定是否调用所述消息处理服务对所述消息体对应的实体类代码信息进行处理。利用本发明公开的方法，保证了重要用户的用户体验，还可以避免消息阻塞、丢失以及大量延迟。
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公开(公告)号：CN118954808A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410929581.0
申请日：2024-07-11
申请人： 深圳市环保科技集团股份有限公司
IPC分类号： C02F9/00 , C02F1/04 , C02F1/66 , C02F1/72 , C02F101/34
摘要： 本申请涉及废水处理技术领域，尤其涉及一种丙烯酸钠废水的处理方法，包括将丙烯酸钠废水进行蒸馏浓缩；调节至酸性后进行蒸馏，得到第二馏出液和硫酸钠固体；调节至中性后进行蒸馏，得到第三馏出液和含有丙烯酸钠的固体；芬顿处理；通过上述方式，将丙烯酸钠废液蒸馏浓缩所得第一浓缩液调节成酸性后，蒸馏得到硫酸钠固体和含有丙烯酸钠的第二馏出液，将第二馏出液调节成中性后，继续将第二馏出液进行蒸馏得到丙烯酸钠产品，馏出液进行芬顿处理，操作简单易于控制，有利于提高丙烯酸钠废水处理的稳定性，同时，处理后能够得到丙烯酸钠产品且蒸馏后所得第三馏出液经过简单的处理过程就可以达到排放标准，有利于提高丙烯酸钠废水处理的环保性。
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公开(公告)号：CN117051447B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202311075144.9
申请日：2023-08-24
申请人： 江西铜博科技股份有限公司
IPC分类号： C25D1/04
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公开(公告)号：CN118944610A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411210031.X
申请日：2024-08-30
申请人： 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种功率放大器、射频前端模组及电子设备，包括差分功率放大电路；巴伦，包括第一线圈和第二线圈，第一线圈的第一端连接差分功率放大电路的第一输出端，第一线圈的第二端连接所述差分功率放大电路的第二输出端，第二线圈的第一端为功率放大器的输出端，第二线圈的第二端接地；第一谐波抑制单元，串接于接地端与第二线圈的第一端之间，第一谐波抑制单元的谐振频率大于二次谐波的频率且小于三次谐波的频率；通过在巴伦的第二线圈的一端连接第一谐波抑制单元，并将第一谐波抑制单元的谐振频率设置在二次谐波的频率与三次谐波的频率之间，能够同时提高二次谐波和三次谐波的抑制水平，提高了谐波抑制效果。
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公开(公告)号：CN118943193A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410997348.6
申请日：2024-07-24
申请人： 深圳市汇芯通信技术有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅基集成肖特基的功率器件及其制备方法。该器件包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区；在n型漂移层的上方从左至右依次设有第一源极金属层、第一氧化层、肖特基金属层、第二氧化层以及第二源极金属层，肖特基金属层与n型漂移层之间形成肖特基接触，第一氧化层和第二氧化层内均包裹有多晶硅栅；第一氧化层和第二氧化层的下方对应设有与多晶硅栅邻接的栅氧化层。通过上述方式，本发明能够避免栅氧化层退化，改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN113938544B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202111027778.8
申请日：2021-09-02
申请人： 深圳市长盈精密技术股份有限公司
IPC分类号： H04M1/02
摘要： 一种支撑组件，包括相互配合的第一支撑件与第二支撑件，所述第一支撑件包括第一支撑板体、自所述第一支撑板体沿横向方向冲压形成的若干凹陷部及贯穿所述凹陷部形成的若干滑动槽，所述第二支撑件包括第二支撑板体、沿横向方向冲压形成的若干配合条及贯穿所述配合条端部的固定孔，所述配合条收容于对应的所述凹陷部内，所述配合条通过端部的固定孔活动铆接于所述滑动槽内，所述第一支撑板体与所述第二支撑板体上表面共面，所述第一支撑件与第二支撑件可沿横向方向相对移动。本申请还包括一种移动设备。
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