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公开(公告)号：CN116667128A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310722632.8
申请日：2018-11-21
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器的制备方法，其方法包括：提供一热沉母板，并将热沉母板进行切割形成多个热沉基板，提供一外延片，将多个热沉基板阵列贴合在外延片上，形成多条平行于共振腔方向和垂直于共振腔方向的间隔缝，沿间隔缝对外延片进行分割，获得多个激光器芯片，将多个激光器芯片进行堆叠，并对堆叠的多个激光器芯片进行镀膜以形成多个半导体激光器。通过上述方式，本申请提供的半导体激光器及其制备方法中，利用热沉基板直接就替代了现有技术的支撑条，节省了材料，且减少了在支撑条上进行镀膜后再次分离后与热沉基板的焊接工艺，直接一步形成，简化了工艺且缩减了成本。
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公开(公告)号：CN112939578B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201911175951.1
申请日：2019-11-26
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622
摘要： 本申请涉及荧光陶瓷技术领域，具体公开了一种荧光陶瓷及其制备方法、发光装置以及投影装置，该荧光陶瓷至少包括：基质；分布于基质内的发光中心、第一散射单元以及第二散射单元；第一散射单元的折射率大于发光中心的折射率；第二散射单元的折射率小于发光中心的折射率。通过上述方式，本申请能够提高荧光陶瓷对荧光的散射性能，从而提高了光源系统中的光效利用率。
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公开(公告)号：CN111416278B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201910009078.2
申请日：2019-01-04
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括：衬底；功能层，功能层位于衬底上；其中，功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，发光层位于功能层中，功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式，本发明能够提高应用本发明外延晶片的激光器的特征温度，进而提高其电光转换效率。
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公开(公告)号：CN115513776A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110693966.8
申请日：2021-06-22
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。该半导体激光器芯片包括：有源层和功能层，有源层位于功能层中，功能层包括电流注入区和位于电流注入区端部的粒子掺杂区；功能层上设置有沟槽，沟槽位于粒子掺杂区和电流注入区之间。本申请的半导体激光器芯片制备工艺简单，工艺稳定性高，且使半导体激光器芯片具有较高的COD阈值。
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公开(公告)号：CN113670580A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010403995.1
申请日：2020-05-13
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本申请公开了一种漏光检测方法以及漏光检测装置，该方法应用于漏光检测设备，该方法包括：控制器发送第一控制信号至可编程电源，以使得可编程电源输出恒定的预设电流至待测样品，其中，恒定的预设电流小于待测样品的阈值电流，以使得待测样品在发光二极管模式下工作；控制器发送第二控制信号至信号检测设备，以使得信号检测设备获取待测样品的出光面与高反面的信号强度；控制器判断出光面的信号强度与高反面的信号强度之间的差值是否落在预设信号强度范围内；若差值落在预设信号强度范围内，则确定待测样品的高反面漏光。通过上述方式，本申请能够确定待测样品的高反面是否存在漏光问题，提高检测的速度。
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公开(公告)号：CN111416278A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910009078.2
申请日：2019-01-04
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延晶片以及半导体激光器。该外延晶片包括：衬底；功能层，功能层位于衬底上；其中，功能层中的至少部分层体掺杂有Mg；发光层，发光层位于功能层中，功能层用于驱动发光层发光。通过上述方式，本发明能够提高应用本发明外延晶片的激光器的特征温度，进而提高其电光转换效率。
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公开(公告)号：CN111211479A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811393166.9
申请日：2018-11-21
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
IPC分类号： H01S5/022
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法，该方法包括：提供一外延片，所述外延片包括平行设置的多个共振腔；提供一热沉基板，包括相对设置的第一表面与第二表面；将所述外延片贴合在所述热沉基板的所述第一表面上以形成第一芯片半成品；沿垂直于所述共振腔的方向上对所述第一芯片半成品进行第一分割以将所述第一芯片半成品分割为多个第二芯片半成品；沿平行于所述共振腔的方向上对所述第二芯片半成品进行第二分割以将所述第二芯片半成品分割为多个半导体激光器芯片，以使得所述半导体激光器芯片包括至少一个激光巴条。通过上述方式，本申请提供的激光巴条及其制备方法中，通过先对外延片与热沉基板进行固定，然后根据具体的需要可以对其进行分割，从而可以按需得到不同型号大小的半导体激光器芯片。
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公开(公告)号：CN111106524A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811266760.1
申请日：2018-10-29
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
摘要： 本申请公开了一种半导体激光器。该半导体激光器至少包括：第一热沉基板，包括相对设置的上表面及下表面，第一热沉基板设置有至少一个第一通孔，第一通孔从上表面贯穿至下表面；第一激光器模组，设置在第一热沉基板的上表面；第二激光器模组，设置在第一热沉基板的下表面；第一连接件，容置于第一通孔内；其中，第一激光器模组与第二激光器模组通过第一连接件电连接。通过这种方式，能够减少激光器的电极引线数量，进而减少发热及提升其性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN117199987A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210612914.8
申请日：2022-05-31
申请人： 深圳市中光工业技术研究院
摘要： 本发明提供一种半导体激光器芯片及其制备方法，半导体激光器芯片包括有源层和功能层，有源层位于功能层中，功能层包括电流注入区和设置于电流注入区至少一侧的非电流注入区；功能层远离有源层的表面设置有沟槽，沟槽位于电流注入区和非电流注入区之间。本申请通过在功能层远离有源层的表面设置沟槽，通过沟槽间隔电流注入区和非电流注入区，使通入电流注入区的电流不会扩散至非电流注入区，进而使电流注入区的电流密度得到提升，进而降低了阈值电流，延长使用寿命，使半导体激光器性能更可靠性、转换效率更高。
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