一种低功耗低温漂基准电压源电路

    公开(公告)号:CN118226917A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410516043.9

    申请日:2024-04-27

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种低功耗低温漂基准电压源电路,包括正温度系数电路、负温度系数电路、高阶温度补偿电路和基准电压输出电路。通过正温度系数电路和负温度系数电路产生低温漂电流;高阶温度补偿电路对低温漂电流进行高阶补偿。此项发明为未来电子设备在需求低功耗、低温度漂移等工作条件下提供了一种创新的电压参考解决方案。

    一种波导耦合器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109193098B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN201811337817.2

    申请日:2018-11-12

    IPC分类号: H01P5/12

    摘要: 一种波导耦合器,其壳体沿波导的E面剖分为下壳和上盖,在下壳内设有容纳所述上盖的腔体。所述腔体的端部设有至少一个凸起,用于与所述上盖抵接。由此,本发明所提供的波导耦合器能够保证其腔体的底面和端面,这两个相互垂直的面均由于凸起的挤压而与上盖紧密贴合。由此,本发明所提供的波导耦合器无需额外的固定结构,其零件数量仅为3个,并且,由于腔体的底面和端面均能够直接与上盖紧密贴合,本发明能够直接通过灌胶的方式实现密封。因此,本发明的耦合器,其组装更为方便,信号的泄露更少,且可靠性高,元件成本更低。

    一种圆波导同轴转换装置及极化跟踪装置

    公开(公告)号:CN110364800B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201910720083.4

    申请日:2019-08-06

    IPC分类号: H01P5/103 H01Q15/24

    摘要: 本发明公开了一种圆波导同轴转换装置及极化跟踪装置,其中圆波导同轴转换装置,包括圆形波导和同轴转换内芯,所述圆形波导的一端为圆波导端口,所述圆形波导的另一端为同轴端口,其特征在于:所述同轴转换内芯包括至少一个第一电磁耦合部、至少一个第二电磁耦合部;所述第一电磁耦合部位于所述圆形波导的中心并与圆形波导的轴向平行;所述第二电磁耦合部与所述圆形波导的径向平行。本发明圆波导同轴转换装置的电磁耦合部和圆波导内的电场平行,可以将圆波导内的电场耦合为该耦合结构的表面电流,因而可以获得很好的匹配,因而带宽较宽。

    一种介质滤波器喷涂用银浆回收再利用制备方法

    公开(公告)号:CN113823438B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202111264949.9

    申请日:2021-10-28

    IPC分类号: H01B1/22 H01B13/00 H01P1/20

    摘要: 本发明公开了一种介质滤波器喷涂用银浆回收再利用制备方法,涉及电子浆料技术领域。制备方法至少包括以下步骤:步骤1:将回收得到的银浆按照质量比为1:1.5加入无水乙醇进行分散研磨,研磨时间为30min;步骤2:将步骤1分散后的浆料抽到过滤机构内进行增压式的过滤分离,对回收中残留的碎屑以及细微碎屑进行过滤,从而获得回收浆料;步骤3:将步骤2过滤后的浆料进行离心分离,处理完成后,获得第一目标产物。本发明通过方法的设计,极大的减少了传统喷涂方式所造成的银浆的浪费,从而直接降低介质滤波器的生产成本;另一方面该回收制备方法回收率高、工艺简单、回收周期短、成本低,设备市场均有销售。

    一种小型化微带低通滤波器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117639696A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311839244.4

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: H03H1/00

    摘要: 本发明涉及一种滤波器,尤其是一种小型化微带低通滤波器,包括PCB板,还包括:顶层铜箔,设于所述PCB板的顶部,且设有若干蛇形线形成等效电感;中间层铜箔一,设于所述PCB板的内部,且位于所述顶层铜箔的下方;中间层铜箔二,设于所述PCB板的内部,且位于所述中间层铜箔一的下方,且通过金属过孔二与所述顶层铜箔导通;底层铜箔,设于所述PCB板的底部,且通过金属过孔一与所述中间层铜箔二导通;腔体,与所述PCB板连接;以及盖板,设于所述腔体上。本发明提供的一种小型化微带低通滤波器在不需要电感线圈及电容元器件的条件下构成一种低通滤波器,具有体积小和远端抑制良好的特点。

    一种波导探针耦合器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107331931B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN201710784579.9

    申请日:2017-09-04

    IPC分类号: H01P5/12

    摘要: 本发明公开了一种波导探针耦合器,属于电子通讯元器件技术领域。针对现有技术所存在的宽频范围内耦合量波动大的问题,本发明通过对波导探针耦合器耦合通孔内部的结构进行优化,使得耦合通孔在耦合器中的等效电路表现为多个具有不同特性阻抗的同轴传输线串联,补偿耦合量的平坦度,从而可有效提高本发明波导探针耦合器在极宽频带范围内具有更好的耦合量平坦度,进而大幅提升系统的信号检测准确度。本发明一方面保留了传统波导探针耦合器所具有的结构简单可靠、体积小、成本低的优点,一方面耦合平坦度指标可降低至传统波导探针耦合器耦合平坦度指标的1/10以下。

    应用于5G通信系统的双模介质波导滤波器

    公开(公告)号:CN115000661B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202210728454.5

    申请日:2022-06-24

    IPC分类号: H01P1/212 H01P1/20

    摘要: 本发明公开了一种应用于5G通信系统的双模介质波导滤波器,属于通讯技术领域。双模介质波导滤波器中陶瓷本体的上表面有平行的两行盲孔,两行盲孔之间设置有贯穿陶瓷本体的交叉耦合窗口;下表面设置有输入输出端和一个盲孔,且盲孔映射到上表面的位置排列在第一行盲孔的末端;与盲孔的排列方向垂直的一个侧面上设置有两个盲孔,两个盲孔分别与加强筋的两端相连;下表面上的盲孔与侧面上位于第一行盲孔的排列方向上的一个盲孔形成一个双模谐振腔,排列在第二行盲孔的末端的盲孔与侧面上的另一个盲孔形成一个双模谐振腔。本发明可以在目前与常规六阶滤波器相同的尺寸内实现八阶滤波器,且可以保证双模介质波导滤波器的单腔Q值基本保持不变。

    应用于5G通信系统的介质双模双工器

    公开(公告)号:CN114927847B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202210606804.0

    申请日:2022-05-31

    IPC分类号: H01P5/12 H01P1/20

    摘要: 本发明公开了一种应用于5G通信系统的介质双模双工器,属于通讯技术领域。介质双模双工器包括:三个输入输出端、三个金属同轴谐振腔、n个第一介质双模谐振器和n个第二介质双模谐振器;三个输入输出端分别与三个金属同轴谐振腔相连;第一金属同轴谐振腔和第二金属同轴谐振腔之间通过第一金属杆串联有n个第一介质双模谐振器,且每相邻两个第一介质双模谐振器之间间隔一个金属片;第一金属同轴谐振腔和第三金属同轴谐振腔之间通过第二金属杆串联有n个第二介质双模谐振器,且每相邻两个第二介质双模谐振器之间间隔一个金属片,金属片上设有耦合窗口。本发明采用介质双模谐振器和金属同轴谐振腔混合的方式实现介质双模双工器,降低了实现难度。

    一种宽带合路器公共抽头及其设计方法

    公开(公告)号:CN116014392A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211550857.1

    申请日:2022-12-05

    IPC分类号: H01P1/213 H01P11/00

    摘要: 本发明涉及一种宽带合路器公共抽头的设计方法,在三维电磁场仿真软件中建立抽头模型,然后把snp文件导出,在路仿真软件中导入再进行综合优化,以S参数为准,根据驻波来判断抽头强度是否合适。本发明提供的一种宽带合路器公共抽头的设计方法应用于目前5G通信频段的宽频段多路合路器,该合路器的公共腔的设计工作频段达到1700‑4200MHz,滤波器公共腔的带宽有2500MHz,相对带宽达到84.7%;在这个基础上可以设计出满足2G、3G、4G、5G频段的两路、三路、四路、五路、六路多个组合的异频合路器。

    一种直排腔电容耦合结构及耦合方法

    公开(公告)号:CN114024112B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202111487127.7

    申请日:2021-12-08

    IPC分类号: H01P1/208

    摘要: 本发明涉及一种直排腔电容耦合结构,包括:滤波器本体、第一谐振器、第三谐振器、第二谐振器、第一耦合件、支撑块和第二耦合件;滤波器本体上设有腔体,腔体的底部设有第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱;第一谐振器且位于第一固定柱的一侧;第三谐振器位于第三固定柱的一侧;第二谐振器位于第二固定柱的一侧;第一耦合件与第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱连接;支撑块固定在腔体的底部,且位于第一谐振器与第二谐振器之间,或位于第二谐振器与第三谐振器之间,支撑块为绝缘体;第二耦合件固定在支撑块上,第二耦合件的两端分别位于第一谐振器与第二谐振器的一侧,或位于第二谐振器与第三谐振器的一侧。该结构耦合稳定、耦合量大。