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公开(公告)号：CN118435365A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280083846.9
申请日：2022-11-15
申请人： 昭荣化学工业株式会社
IPC分类号： H01L33/50 , H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/52
摘要： 发光器件包括由腔壁界定的第一光腔；第一发光二极管，所述第一发光二极管位于所述第一光腔中，并且被配置为发射蓝色或紫外线辐射第一入射光子；第一颜色转换材料，所述第一颜色转换材料位于所述第一发光二极管的上方，并且被配置为吸收由所述发光二极管发射的第一入射光子并产生峰值波长比所述第一入射光子的峰值波长更长的第一转换光子；以及第一颜色选择器，所述第一颜色选择器位于所述第一颜色转换材料的上方，并且被配置为吸收或反射所述第一入射光子并透射所述第一转换光子。
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公开(公告)号：CN118402083A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280083843.5
申请日：2022-11-04
申请人： 昭荣化学工业株式会社
摘要： 发光器件包括发光二极管，所述发光二极管被配置为发射蓝色或紫外线辐射入射光子；颜色转换材料，所述颜色转换材料位于发光二极管的上方，并且被配置为吸收由发光二极管发射的入射光子并产生峰值波长比入射光子的峰值波长更长的转换光子；以及至少一个光提取特征体，所述光提取特征体位于发光二极管与颜色转换材料之间。
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公开(公告)号：CN113366083B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080010753.4
申请日：2020-01-21
申请人： 昭荣化学工业株式会社
摘要： 本发明属于纳米结构合成领域。本发明提供了高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点，其包含纳米晶体核和至少两个薄壳层。所述纳米结构具有额外的壳层。本发明还提供了制备所述纳米结构的方法、包含所述纳米结构的膜和包含所述纳米结构的装置。
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公开(公告)号：CN112352031B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201980040310.7
申请日：2019-05-09
申请人： 昭荣化学工业株式会社
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/62 , C09K11/88 , H01B1/08 , H01L33/06 , H10K50/15 , H10K50/16
摘要： 本申请的实施方案涉及使用发光纳米结构的照明器件。照明器件包括第一传导层、第二传导层、空穴传输层、电子传输层和包含多个发光纳米结构的材料层。空穴传输层和电子传输层各设置在第一传导层和第二传导层之间。材料层设置在空穴传输层和电子传输层之间并在其厚度中包括一个或多个不连续部，使得空穴传输层和电子传输层在所述一个或多个不连续部处彼此接触。在不连续部处在发光纳米结构和激子之间发生共振能量转移。
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公开(公告)号：CN111051468B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201880041937.X
申请日：2018-06-22
申请人： 昭荣化学工业株式会社
摘要： 本公开提供了纳米结构组合物和生产纳米结构组合物的方法。该纳米结构组合物包含至少一个纳米结构群、至少一种反应性稀释剂、至少一种厌氧稳定剂和任选地至少一种有机树脂。本公开还提供了包括纳米结构层的纳米结构膜和制造纳米结构膜的方法。
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公开(公告)号：CN114127227B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202080050312.7
申请日：2020-07-10
申请人： 昭荣化学工业株式会社
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/61 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本公开涉及纳米技术领域。本公开提供了制备具有氟化物钝化的纳米结构的方法。本公开还提供了制备具有氟化物和胺钝化的纳米结构的方法。所述纳米结构具有高量子产率、窄发射峰宽、可调发射波长和胶体稳定性。还提供了使用所述方法制备的纳米结构。并且，还提供了包含所述纳米结构的纳米结构膜和模制品。
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公开(公告)号：CN111164129B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201880064548.9
申请日：2018-08-16
申请人： 昭荣化学工业株式会社
IPC分类号： C08G65/332 , C08G65/333
摘要： 本公开提供了纳米结构组合物和制备纳米结构组合物的方法。所述纳米结构组合物包含至少一个群体的纳米结构、结合到纳米结构的表面的至少一种聚(环氧烷)配体、和任选地至少一种有机树脂。本公开还提供了包含纳米结构层的纳米结构膜和制造纳米结构膜的方法。
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公开(公告)号：CN115516589A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032455.X
申请日：2021-04-23
申请人： 昭荣化学工业株式会社
发明人： 江崎聪一郎
IPC分类号： H01G4/30 , C08L83/04 , C08L83/06 , C08L63/00 , H01G13/00 , H01B1/22 , C08K3/08 , H01G4/232 , H01G9/042 , H01G9/055
摘要： 本发明的电子部件的制造方法具有：准备工序，其准备电子部件用电极形成体；和电极形成工序，其在该电子部件用电极形成体的外表面上形成电极，在该电极形成工序中，使用导电性树脂组合物在该电子部件用电极形成体形成导电性树脂层，所述导电性树脂组合物含有金属粉末、树脂粘合剂以及有机溶剂，该金属粉末中20.0质量％以上为片状金属粉末，该树脂粘合剂中70.0质量％以上为聚硅氧烷树脂。通过本发明，能够提供具有较高的耐湿性，并且设计上和制造上的制约较少，制造效率较高的电子部件的制造方法。
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公开(公告)号：CN115397583A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028423.2
申请日：2021-04-13
申请人： 昭荣化学工业株式会社
摘要： 本发明的无机微粉的制造方法为体积基准的累计50％粒径D50为0.01μm以上5.0μm以下的范围内的无机微粉的制造方法，其具有：被分级粉末生成工序，其使D50为10μm以下的无机原料粉末吸附羧酸而得到的羧酸吸附无机原料粉末分散在气相中，而得到待分级的被分级粉末；和干式分级工序，其对所述被分级粉末进行干式分级。通过本发明，能够提供无机微粉的制造方法，该方法能够以较高的生产性制造粗大粒子的个数极少并且体积基准的累计50％粒径D50为0.01μm以上5.0μm以下的范围内的无机微粉。
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公开(公告)号：CN109923065B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201780068673.2
申请日：2017-11-02
申请人： 昭荣化学工业株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供即使在量子点合成中使用氨基取代的有机膦前体可高再现性地制造粒度分布窄的量子点的方法。本发明的一个方案涉及的量子点的制造方法包括：将IIIB族前体与有机膦前体混合，从而生成前体混合物的工序，和将上述前体混合物加热，从而生成IIIB族磷化物量子点的溶液的工序，上述有机膦前体具有1个或多个氨基取代基，上述氨基取代基的母胺中的至少一个在标准大气压下的沸点为160℃以上。
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