-
公开(公告)号：CN118969670A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411026237.7
申请日：2024-07-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本申请公开了一种传片调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取待调度的晶圆盒对应的工艺腔室中，两个作业位置的可作业状态；若两个作业位置均为可作业的第一类型工艺腔室的数量为P个，P大于零，则按顺序依次遍历P个腔室，对于每个腔室，控制机械手传输未作业的两片晶圆进行作业；P个腔室遍历完成后，若只有一个作业位置为可作业的第二类型工艺腔室的数量为S个，S大于零，则按顺序依次遍历S个腔室，对于每个腔室，控制机械手传输未作业的单片晶圆进行作业；S个腔室遍历完成后，根据晶圆盒中未作业的晶圆的数量确定目标工艺腔室，等待目标工艺腔室完成作业以执行相应的传输动作。本申请提高了传片效率和设备产能。
-
公开(公告)号：CN118969586A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310545069.1
申请日：2023-05-15
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 田甲
摘要： 本发明公开了一种离子源中和器、离子收集极和半导体加工设备，离子收集极从电离腔室的第一端如顶部向电离腔室的第二端如底部延伸，且离子收集极包括朝向电离腔室的侧壁凸出的凸起结构，从而可以通过增加凸起结构增大离子收集极的表面积，进而可以增强离子收集极的离子收集能力，进而可以提高离子源中和器的寿命和性能。
-
公开(公告)号：CN118943050A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410993700.9
申请日：2024-07-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本申请提供了一种用于半导体工艺设备的晶片调度序列确定方法及电子设备，所述方法通过获取半导体工艺设备的目标调度模型的当前状态，目标调度模型的状态包括各库所的令牌数以及半导体工艺设备的各工艺腔室中多工位旋转工艺腔室的位置向量，位置向量包括多工位旋转工艺腔室的各工位中的晶片数量，在晶片调度序列未确定完成时，获取各候选变迁对应的目标数据，目标数据包括在当前状态下执行候选变迁后目标调度模型的后继状态和位置向量的返回值，返回值包括位置向量的目标位在变化前的值，并基于各目标数据确定当前时刻的目标变迁，以及，将目标变迁添加至半导体工艺设备的晶片调度序列，保证了晶片调度序列的生成效率以及晶片调度序列的有效性。
-
公开(公告)号：CN118919446A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410968916.X
申请日：2024-07-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本申请公开了一种物料调度方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取储料器中的填充晶圆盒和填充晶圆盒中的填充晶圆，以及各自的使用次数；将使用次数等于或者小于使用次数阈值的填充晶圆盒中，使用次数小于使用次数阈值的填充晶圆存储至第一变量中；删除第一变量中多余数量的填充晶圆；将删除后的第一变量中的填充晶圆传输到晶舟上，执行工艺，更新填充晶圆和填充晶圆盒的使用次数，并将晶舟上的填充晶圆传输回对应的填充晶圆盒；若填充晶圆盒中填充晶圆的最小使用次数等于使用次数阈值，则将填充晶圆盒从储料器装载出半导体工艺设备。本申请使得每个填充Wafer均可以充分使用，提高了物料的使用率、传输效率和产能。
-
公开(公告)号：CN118866742A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310476536.X
申请日：2023-04-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 陈永锋
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 本发明实施例提供了一种刻蚀速率补偿方法和一种半导体工艺设备，方法包括：在循环执行刻蚀工艺的工艺步过程中，获取第一时间段内的记录的多个摆阀开度值，计算摆阀开度值的统计值；若刻蚀工艺已执行的时间大于一个清洁周期，且摆阀开度值的统计值不位于预设开度范围，则将当前工艺步的摆阀开度值调整为当前标准刻蚀摆阀开度值的统计值，继续进行刻蚀工艺。通过监控和动态校准工艺中的摆阀开度，补偿因本底压强波动导致的实际工艺压强的变化，以实现补偿刻蚀速率，避免了在本底压强处于报警限内的波动时带来的速率波动影响，提升盘间均匀性；减少了校规次数，从而提高的产能。
-
公开(公告)号：CN118866737A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310473036.0
申请日：2023-04-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请实施例提供了半导体工艺腔室、设备及密封圈在位检测方法，涉及半导体工艺技术领域，其中，所述半导体工艺腔室包括：工艺门和工艺管；工艺门的一侧设有环形槽，环形槽内设置有密封圈，工艺门还开设有多个真空吸附孔，在沿环形槽的周向上，各真空吸附孔的孔口间隔分布于环形槽的槽底，各真空吸附孔分别用于与真空源连接，密封圈盖设于真空吸附孔的孔口；工艺管的底部设有开口，在工艺门处于关闭状态的情况下，工艺门的设有环形槽的侧部与工艺管的底部封堵连接，密封圈夹设于工艺门与工艺管之间，密封圈绕设于开口的外周。所述半导体工艺腔室具备密封圈不容易从工艺门的环形槽中脱出的特点。
-
公开(公告)号：CN118866637A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310474714.5
申请日：2023-04-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 左杰
摘要： 本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备。该半导体工艺腔室包括腔室本体、绝缘容器和内衬，内衬与腔室本体绝缘隔开，内衬环绕设置于腔室本体内，内衬与腔室本体的侧壁之间具有间隙，绝缘容器设于间隙内，绝缘容器内设有用于容纳绝缘介质的容纳空间，且绝缘容器具有调节组件，调节组件用于控制腔室本体的侧壁与内衬之间的绝缘介质的储量，以调节内衬的接地电容。本申请能够兼顾高深宽比刻蚀和非高深宽比刻蚀两种工艺。
-
公开(公告)号：CN118854235A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310473625.9
申请日：2023-04-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 张学峰
摘要： 本发明提供一种工艺腔室以及半导体工艺设备，工艺腔室包括用于承载晶圆的基座、设置于基座上方的靶材以及设置于靶材以及基座之间的准直器，准直器包括本体以及调节结构，本体和调节结构中的一者设置有多个沿其厚度方向贯穿的第一通孔，另一者包括多个间隔设置的凸部，每个凸部设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔，第一通孔和第二通孔相连通以形成连通孔，凸部与第一通孔相配合的区域位于本体的中心区域；本体与调节结构能够相对移动，以改变连通孔的深度。本申请中利用调节结构，可随着工艺的进行调节第二孔的深宽比，进而达到调节待沉积材料上形成的溅射材料薄膜的均匀度的目的。
-
公开(公告)号：CN114695243B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210202662.1
申请日：2022-03-02
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 王福来
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种半导体腔室的承载装置及半导体腔室，承载装置包括加热器、多个承载台、顶升机构和工位转换机构；加热器具有沿其周向间隔分布的多个容纳槽；每个承载台设置于加热器的一个容纳槽内，承载台用于承载晶圆；顶升机构位于加热器的下方，顶升机构的顶针依次穿过第一通孔和第二通孔，顶升机构用于驱动晶圆升降；工位转换机构用于晶圆在多个承载台之间传输，工位转换机构包括驱动件和多个环形叉指，多个环形叉指沿驱动件的周向间隔分布，环形叉指用于承载所述晶圆，驱动件驱动多个环形叉指转动和升降，每个环形叉指位于其中一个容纳槽时，环形叉指环绕承载台。
-
公开(公告)号：CN114300354B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111555966.8
申请日：2021-12-17
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 林源为
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开一种非对称半导体结构的制作方法，包括：提供具有第一通孔的第一晶圆；提供第二晶圆，在其上形成具有第二通孔的光刻胶层；其中，第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；将第一晶圆与第二晶圆键合在一起，以使第一通孔与第二通孔连通成非对称的沟槽结构；以第一晶圆和光刻胶层为掩膜，对第二晶圆进行刻蚀，以在第二晶圆上形成非对称半导体结构；解键合去除第一晶圆和光刻胶层。通过先提供具有第一通孔的第一晶圆，然后提供具有第二通孔的光刻胶层的第二晶圆，并将第一晶圆和第二晶圆键合使第一通孔和第二通孔连通形成非对称的沟槽结构，通过非对称的沟槽结构对第二晶圆进行刻蚀形成非对称半导体结构，该制备方法工艺简单且成本低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
4835 条记录 (耗时 0.094 秒)
