N型单晶回收料清洗工艺
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105177716A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510718841.0

    申请日:2015-10-28

    IPC分类号: C30B33/00 C30B29/06

    摘要: 本发明提供了一种N型单晶硅回收料清洗工艺,包括:用乙醇清洗单晶硅回收料;用碱性清洗剂清洗所述单晶硅回收料;及用HF/HNO3混酸溶液清洗所述单晶硅回收料。本发明的N型单晶硅回收料清洗工艺,可彻底清除单晶硅回收料表面的杂质,使之达到再次回炉的质量要求,该经过清洗的回收料可以40%的比例代替原生多晶硅再次拉制N型单晶棒,这不仅降低了材料成本而且还可以大幅降低回收料库存。

    一种硅提纯工艺中去除硼的方法

    公开(公告)号:CN104609426A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201510069091.9

    申请日:2015-02-10

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明提供了一种硅提纯工艺中去除硼的方法,包括,1)将待处理的硅加热至熔融;2)向熔融硅中加入造渣剂,形成炉渣后分离所述炉渣;其中,于10~60分钟内,将所述造渣剂加入所述熔融硅,所述造渣剂包括二氧化硅、碳酸钠和/或碳酸钠的水合物。本发明的硅提纯工艺中去除硼的方法,可以将硅中的硼含量控制在0.3ppmw以下,满足光伏级硅原料对于硼含量的要求,为低成本、环境友好的硅提纯技术的发展打下良好的基础。

    一种冶金硅提纯方法及一种在线造渣除硼方法

    公开(公告)号:CN101671027A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910177451.1

    申请日:2009-09-29

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 一种冶金硅的提纯方法,包括步骤:将从还原炉中流出的冶金硅硅液注入硅水包;间隔一定时间把制备好的造渣剂分批次投入所述硅水包中,同时对所述硅水包进行吹氧操作,通过所述吹氧操作对所述硅液进行搅拌与除杂;提取提纯后的所述冶金硅。本发明还公开了一种用于冶金硅提纯工艺的在线造渣除硼方法。本发明的冶金硅提纯方法,把吹氧除杂与造渣除硼有机的结合起来,不需要专用设备进行除杂,仅需在出硅水的过程中进行吹氧除杂与造渣除硼,成本大大较低。

    用于冶金法提纯多晶硅的预处理方法

    公开(公告)号:CN102862989B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201210383282.9

    申请日:2012-10-11

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明提供一种用于冶金法提纯多晶硅原料破碎的处理方法,包括以下步骤:提供需要破碎的多晶硅的硅块;进行淬火处理;进行破碎处理;进行筛分处理:将破碎后的硅块在振动筛上筛分处理,得直径小于3mm的硅粉料和直径在3mm至50mm之间的硅碎料;进行磁选处理:将直径小于3mm的硅粉料放入磁选机中磁选处理;分别收集上述得到的硅碎料和硅粉料以备用。在本发明提供的预处理方法在破碎硅块的同时尽量减少了金属元素的污染,该方法可降低生产成本、提高产量、便于操作、而适于工业化大规模生产。

    高温封渣装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104807332A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201410040250.8

    申请日:2014-01-27

    发明人: 李飞乐 王日光

    IPC分类号: F27D3/15

    摘要: 本发明公开了一种高温封渣装置,所述高温封渣装置包括渣盆和压盖,所述渣盆具有顶板,所述顶板上方与所述压盖之间设置有径向滑动组件,所述径向滑动组件包括能够相对于所述顶板滑动的径向滑动底座,所述顶板与所述径向滑动底座结合面的外端部安装有径向位移补偿器。本发明解决了现有技术的锅炉与冷渣机间空间位置不足的技术问题,有效遏制现有高温封渣装置高温渣漏渣、污染环境等安全隐患的发生。

    多晶硅提纯方法及用于多晶硅提纯的坩埚、提纯设备

    公开(公告)号:CN101665253B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200910177448.X

    申请日:2009-09-29

    摘要: 一种多晶硅提纯方法,包括步骤:在坩埚中使含有杂质的低纯度的多晶硅保持熔融态一定时间;通过环绕设置在坩埚臂周围的感应线圈与坩埚的相对移动使所述熔融态的多晶硅液体从底部开始向顶部逐渐冷却凝固;从坩埚中提取冷却凝固后的所述多晶硅,通过机械切除获得提纯后的所述多晶硅。本发明还公开了一种用于多晶硅提纯的坩埚及具有该坩埚的提纯设备。本发明的多晶硅提纯方法及设备,具有可操作性强,成本低,提纯过程中无二次污染等优点。

    酸洗除杂方法、设备及多晶硅提纯方法、系统

    公开(公告)号:CN101671026A

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200910177449.4

    申请日:2009-09-29

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明的酸洗除杂方法,用于冶金硅出炉后再进行熔炼提纯之前的杂质去除,包括步骤:减缓所述冶金硅出炉的冷却过程,在将冷却后的所述冶金硅破碎至一定颗粒度的硅粉之后,选用多种酸按照一定顺序对所述硅粉进行酸洗操作。本发明还公开了一种酸洗除杂设备、一种冶金硅提纯方法与一种冶金硅提纯系统。本发明采用优化的冷却工艺,合理的酸洗顺序,选择合适的颗粒度,适宜的温度,优化酸洗工艺流程达到最佳的酸洗效果。有效降低Fe、Al、Ca、Mn、Ti、Ni等金属杂质的含量,实现提纯的目的。

    高温封渣装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104807332B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410040250.8

    申请日:2014-01-27

    发明人: 李飞乐 王日光

    IPC分类号: F27D3/15

    摘要: 本发明公开了一种高温封渣装置,所述高温封渣装置包括渣盆和压盖,所述渣盆具有顶板,所述顶板上方与所述压盖之间设置有径向滑动组件,所述径向滑动组件包括能够相对于所述顶板滑动的径向滑动底座,所述顶板与所述径向滑动底座结合面的外端部安装有径向位移补偿器。本发明解决了现有技术的锅炉与冷渣机间空间位置不足的技术问题,有效遏制现有高温封渣装置高温渣漏渣、污染环境等安全隐患的发生。

    硅单晶拉制方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105063744A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510417457.7

    申请日:2015-07-15

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 一种硅单晶拉制方法包括如下步骤:全熔稳定,将坩埚内的硅料熔化,待所述硅料完全熔化后将功率降至引晶功率;然后将所述坩锅转开至引晶转速稳定熔体;引晶,高温熔接,采用Dash缩颈排除位错法引晶;放肩;转肩;等径,手动控制晶体等径生长至所需长度,待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制所述晶体生长;收尾;以及停炉。采用本发明的方法拉制的硅单晶,单晶头部空位团明显减少,头部氧含量也较现有方法制备的单晶低,采用本发明的方法拉制硅单晶制备的电池不会出现黑心片问题。