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公开(公告)号：CN1272824C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN03147633.3
申请日：2003-07-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01J23/027 , H01J23/02 , H01J25/50
CPC classification number: H01J25/587 , H01J23/18 , H01J23/22
Abstract: 一种谐振频率为2450MHZ的阳极和带有该阳极的磁控管，其中该阳极包括：一个内径在32.5mm到34mm范围内的圆柱形阳极本体；总共十个沿径向固定在阳极本体内周表面上的叶片；以及设置在每个叶片上、下表面上的内、外板条，内、外板条的距离在0.8mm到1.2mm的范围内，每个内、外板条都每隔一个地与叶片接触，将叶片交替地电连接起来。阳极本体和叶片形成为一个单元以简化制造工艺。
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公开(公告)号：CN1805074A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510038113.1
申请日：2005-01-12
Applicant: 安徽龙磁科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及微波炉用磁控管专用永磁铁氧体材料及元件制备方法。其特点是：其原料为锶铁氧体预烧料、碳酸钙、硼酸和氧化锆。其制备工艺的改进包括制粉分为粗磨、中磨和研磨；成型工艺改进了模具；磨加工分为粗磨和精磨。本发明的有益技术效果是：大大降低了微波炉用永磁铁氧体材料磁控管的制造成本；提高磁体密度使剩磁提高，同时满足它在250℃左右环境下工作状态和冷却状态时导热的需要；成品元件的性能可达到：Br≥0.42mT，Hcb≥223 KA/m，Hcj≥231 KA/m，(BH)max≥32 KJ/m3。
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公开(公告)号：CN1797677A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410094043.7
申请日：2004-12-27
Applicant: 乐金电子(天津)电器有限公司
Inventor： 金斗熙
Abstract: 一种磁控管的磁轭构造，该磁控管具有以下结构，即上部磁轭的上部磁轭连接部与下部磁轭的下部磁轭连接部相互连接，从而形成磁轭，在这样的磁轭内部装有上部磁铁和下部磁铁，在该上部磁铁和下部磁铁的作用下，可以在上部磁轭和下部磁轭内形成磁场；在该磁控管中，在下部磁轭的下部磁轭连接部上形成了用来固定磁控管的固定部。本发明可以使上部磁轭连接部与下部磁轭连接部之间不会出现接触不到的部位，因此可以形成强磁场，从而增大输出。
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公开(公告)号：CN1474429A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN02158411.7
申请日：2002-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 孙钟哲
CPC classification number: H01J23/20 , H01J23/11 , H01J25/587
Abstract: 一种微波炉的磁控管，包括：阳极缸、磁控管和多个叶片。所述叶片和阳极缸共同构成阳极段。每个叶片具有第一凹口和第二凹口，其中大直径条带环设置在第一凹口内，小直径条带环设置在第二凹口内。每个叶片在第一凹口的阴极侧角部具有一个热离子移动通道，从而使热离子不受第一凹口的阻碍顺畅流动。
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公开(公告)号：CN1306294A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：CN00130307.4
申请日：2000-10-30
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01J23/02
CPC classification number: H01J23/18 , H01J25/587
Abstract: 本发明公开了一种大功率磁控管。这种磁控管有一个阳极。这种阳极有一个设置在阴极周围的圆筒,许多沿径向固定在所述圆筒的内壁上的叶片,以及穿过这些叶片安装的隔膜带。所述圆筒的内径为40－43mm,厚度为2.8mm或更小些。这种磁控管不仅能够减小圆筒的厚度,而且还能改善圆筒的热性能,从而提高圆筒的热稳定性,延长圆筒的寿命,并降低圆筒的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1223454A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98126985.0
申请日：1998-11-07
Applicant: EEV有限公司
CPC classification number: H01J23/10 , H01J23/213 , H01J23/22 , H01J23/40 , H01J25/587
Abstract: 一种磁控管的阳极结构,包括T型阳极叶片3,其具有沿径向延伸的部分3a和沿周向延伸的部分3b,周向部分3b的圆柱面3c面向整个磁控管中的阴极。使用T型叶片增加电感,因而可以产生低频辐射而不必像常规技术那样增加磁控管的尺寸。此外,通过使用两个以上的阳极带是电容增加可以使频率进一步减少,最好是,在阳极结构的每一端使用4个阳极带5—8。这种阳极结构最好被安装在对于100MHz的操作频率使用500高斯数量级的磁场的磁控管中。阳极外壳2本身可以形成一部分返回磁路。
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公开(公告)号：CN1208241A
公开(公告)日：1999-02-17
申请号：CN98102904.3
申请日：1998-06-13
Applicant: EEV有限公司
Inventor： D·W·卡尔
IPC: H01J23/02
CPC classification number: H01J25/04 , H01J1/46 , H01J3/026 , H01J23/02 , H01J23/065 , H01J2225/04
Abstract: 一种用于IOT或TWT这样的线形电子束管的栅极,包括:一个栅极部分3和一个安装凸缘4;在栅极部分3与安装凸缘4之间还包含一个调节部分5。在使用期间,栅极部分3变热,然后膨胀。而安装凸缘4由于与较大的机构连接,因而保持较低的温度。调节部分5的可弯曲薄带8允许不同差值热膨胀造成的安装凸缘4与栅极部分3之间的相对移动,这样就使栅极部分的变形降至最小。而如果栅极部分3直接与安装凸缘4连接,则限制了外径长度,从而使栅极部分3发生明显的由热膨胀差值造成的变形。
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公开(公告)号：CN119153289A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411533909.3
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域的微波源器件，尤其是一种能够抑制电子束回流的永磁封装强流二极管，由二极管结构和永磁体系统组成：二极管结构包括阴极基座、阴极、阳极外筒；永磁体系统包括软磁体、左部第一永磁体、左部第二永磁体、左部第三永磁体和左部第四永磁体，右部第一永磁体、右部第二永磁体、右部第三永磁体和右部第四永磁体以及外层磁轭；整个结构关于中心轴线旋转对称；本发明设计了梯度匹配永磁磁场，通过加载软磁材料，改变二极管区域的磁场分布，使原本指向永磁体的磁场线在阴极基座位置向下弯折，从而抑制回流电子束向阳极移动；阴极基座采用锥形结构，进一步有效降低阴极基座表面电场强度，从而抑制阴极基座的异常电子发射。
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公开(公告)号：CN119028792A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411140843.1
申请日：2024-08-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十五研究所
Abstract: 本发明涉及真空电子技术领域，具体为一种宽范围调节回旋行波管超导磁体磁位型装置，包括：超导磁体及连接于所述超导磁体左端面和右端面、且同轴布置的左补偿线圈和右补偿线圈，所述超导磁体中部贯通形成温孔，回旋行波管插入所述温孔内，所述超导磁体两端端部均具有定位和紧固所述左补偿线圈和所述右补偿线圈的第一凹槽和第二凹槽。本发明在补偿线圈电流不变的情况下，增大了补偿线圈与超导磁体之间可移动的轴向距离，从而有效提高了该装置的补偿磁位型范围和精度，使得回旋行波管能够工作在最佳性能状态。具有使用方便、操作简单、灵敏度高、精度高、磁位型变化范围广、磁位型组合方式丰富的特点。
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公开(公告)号：CN118556290A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202280088269.2
申请日：2022-04-08
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 高桥秀和
IPC: H01L27/146 , H01J23/02 , H04N25/70
Abstract: 本申请实施例提供了一种包括量子点(quantum dot，QD)区域的图像传感器，该QD区域用于在短波长红外(short wavelength infrared，SWIR)范围内执行光电转换。该QD区域具有两个或两个以上QD层的堆叠。该两个或两个以上QD层可以包括第一QD层和第二QD层，该第一QD层包含第一量子点，该第二QD层包含第二量子点，该第一量子点的带隙可以不同于该第二量子点的带隙。可替换地或另外，该两个或两个以上QD层可以彼此不同地进行掺杂，以便在该QD区域产生内置电场，使光生载流子漂移出该QD区域。
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