一种微波旋磁‑介电复合陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104944947B

    公开(公告)日:2017-07-11

    申请号:CN201510260718.9

    申请日:2015-05-20

    摘要: 本发明提出了一种微波旋磁‑介电复合陶瓷材料及其制备方法,属于材料技术领域。所述微波旋磁‑介电复合陶瓷材料包括微波旋磁相LZTF和微波介电相LZT,所述微波旋磁相LZTF的质量百分比为35wt%~50wt%,所述微波介电相LZT的质量百分比为50wt%~65wt%,所述微波旋磁相LZTF为Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4,所述微波介电相LZT为Li2ZnTi3O8。本发明得到的复合材料具有低矫顽力、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度特性,同时兼具低介电常数、高品质因数、低温度系数特性,为LTCC元器件向高频化、宽频化、小型化发展提供了一种有效的解决方案。

    一种Mg<base:Sub>2</base:Sub>SiO<base:Sub>4</base:Sub>‑Li<base:Sub>2</base:Sub>TiO<base:Sub>3</base:Sub>复合体系LTCC材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106904960A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710149952.3

    申请日:2017-03-14

    IPC分类号: C04B35/462

    摘要: 本发明属于微波电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种Mg2SiO4‑Li2TiO3复合体系LTCC材料及其制备方法。本发明提供的LTCC材料,基于Mg2SiO4和Li2TiO3复合体系,通过固相法获得;实现烧结温度800~950℃低于960℃(Ag熔点),εr=9.0~18.0,且具有50,000~250,000GHz的高Qf值和近零τf=‑15~15ppm/℃,在LTCC技术领域具有很高的应用前景和价值。可广泛应用于LTCC基板、叠层微波器件和模块中。

    一种多级阻变存储器单元及其制备方法

    公开(公告)号:CN103915565B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201410133503.6

    申请日:2014-04-03

    IPC分类号: H01L45/00 G11C13/00 B82Y10/00

    摘要: 本发明的目的在于提供了一种多级阻变存储器单元及其制备方法,包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极;其特征在于,所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层。本发明通过增加纳米级隔离层,使阻变存储器的存储窗口提高到105量级以上,达到多级存储所需的首要条件;并且采用电化学活性材料作为顶电极,利用电化学活性材料的漂移特性实现不同电压激励下不同的电阻状态,达到多级存储的目的。同时,隔离层的加入减小了氧离子移动过程中的耗散,有效的保护了底电极,增大了器件的稳定性。另外,该多级阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。

    一种可实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法

    公开(公告)号:CN104617215B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201510013300.8

    申请日:2015-01-09

    IPC分类号: H01L41/12 H01L41/20 H01L41/47

    摘要: 本发明提出了一种多铁异质结及基于该多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法,属于电子材料技术领域。本发明多铁异质结采用廉价的含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷作为压电基片,在其一面涂覆银胶作为电极,另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理后得到的。通过对该多铁异质结施加特定的电压脉冲,在去掉外加电压后,可在磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,达到了稳定的非易失性磁矩调控效果。该调控方法操作简便,易实现,调控效果良好,在非易失性电场脉冲调制磁性器件领域有广泛的应用空间。

    一种可实现三态非易失性调制的电感及其调制方法

    公开(公告)号:CN104599826B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201510013106.X

    申请日:2015-01-09

    摘要: 本发明提出了一种三态非易失性电压脉冲调制的电感及其实现三种不同电感量的调制方法,属于电子器件技术领域。可实现三态非易失性调制的电感包括含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材磁性薄膜和漆包线,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理得到。通过对PZT基片的上下电极施加电压脉冲,在去掉外电压后,可在非晶软磁合金带材磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,从而实现电感量的调控。该调控方法操作简单,性能优良,能耗低,在各种需要通过电感实现的滤波、调谐、阻抗匹配等功能电子电路系统中有广阔的应用前景。

    一种微波旋磁-介电复合陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104944947A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510260718.9

    申请日:2015-05-20

    摘要: 本发明提出了一种微波旋磁-介电复合陶瓷材料及其制备方法,属于材料技术领域。所述微波旋磁-介电复合陶瓷材料包括微波旋磁相LZTF和微波介电相LZT,所述微波旋磁相LZTF的质量百分比为35wt%~50wt%,所述微波介电相LZT的质量百分比为50wt%~65wt%,所述微波旋磁相LZTF为Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4,所述微波介电相LZT为Li2ZnTi3O8。本发明得到的复合材料具有低矫顽力、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度特性,同时兼具低介电常数、高品质因数、低温度系数特性,为LTCC元器件向高频化、宽频化、小型化发展提供了一种有效的解决方案。

    一种微带天线复合基板材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102408202B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201110235563.5

    申请日:2011-08-17

    IPC分类号: C04B26/04 C04B35/26 C04B35/63

    摘要: 一种微带天线复合基板材料及其制备方法,属于电子材料技术领域。所述复合基板材料由70~90质量份数的主相材料和10~30质量份数的辅助相材料复合而成;其中:主相材料为Co2Z型六角铁氧体,其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24O41(x的取值范围为0~1.5);辅助相材料为聚丙烯树脂。其制备方法包括1)称料、混料、一次球磨后烘干;2)预烧;3)二次球磨、烘干;4)烧结;5)三次球磨、烘干;6)复合、造粒;7)热压成型等步骤。所述复合基板材料,在300MHz~3GHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性;同时具有一定的柔韧性;其制备方法简单易操作,便于掌握和推广。采用所述复合基板材料作为微带天线基板,有助于降低微带天线重量和体积,有利于提高微带天线的带宽以及辐射效率。

    一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法

    公开(公告)号:CN101847433B

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201010146346.4

    申请日:2010-04-14

    IPC分类号: G11C7/06 G11C11/16

    摘要: 一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法,属于磁性材料与元器件领域。所述CP构架的磁性随机存储器包括两个相同的CP构架的磁性随机存储器阵列和一个比较器,一个阵列为主磁性随机存储器阵列A1,另一个阵列为存储信息已知的参考磁性随机存储器阵列A2,A1的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的一个输入端;A2的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的另一个输入端。信息读取时,通过比较器输出电平的高低来判断主磁性随机存储器阵列A1中读取单元的信息是否与参考磁性随机存储器阵列A2中相应存储单元所存储的信息一致的方式来读取信息。本发明可在存储密度不变的前提下消除漏电流影响,保证存储单元信息读出的准确率。