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公开(公告)号：CN105801119B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610310609.8
申请日：2016-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01B3/12 , H01P7/10 , C03C12/00 , H01G4/12 , C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种微波介电LTCC材料及其制备方法。本发明提供的CaWO4体系微波介电LTCC材料，包含CaWO4和Li2TiO3混合的两相以及0.5～1wt％LBSCA玻璃助熔剂；其中主晶相为四方相白钨矿CaWO4，辅助相为单斜晶系结构Li2TiO3；CaWO4和Li2TiO3混合料的重量百分比为84～86％：14～16％，以及总混合料重量百分比为0.5～1wt％的LBSCA玻璃助溶剂。其烧结温度为900～950℃，介电常数11.8～12.4，Q×f值57000～76000GHz，谐振频率温度系数‑2.9～1.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。
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公开(公告)号：CN105225833B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510701570.8
申请日：2015-10-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法，属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下，在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜；然后外加大小大于交换耦合多层膜的交换偏置场Hex1、方向与交换耦合多层膜交换偏置场Hex1方向相反的外磁场H2，同时在交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流，即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。本发明可在薄膜噪声抑制器制备完成后，根据实际需要调整噪声信号抑制频段及展宽噪声抑制器的抑制频段，可大大提高薄膜噪声抑制器的应用灵活性。
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公开(公告)号：CN105005010B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510390973.5
申请日：2015-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器及其制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域。包括衬底、依次位于衬底之上的底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层；所述底层线圈与顶层线圈通过金属通孔连接，且底层线圈与顶层线圈中电流流动方向一致，可增强磁场。本发明磁阻传感器采用优化结构的置位/复位线圈层且采用LTCC技术制备，使得在不附加任何磁性辅助层的基础上，提供满足应用需求的磁场，并同时降低置位/复位操作所带来的能耗，且工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN104944947B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510260718.9
申请日：2015-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/49 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提出了一种微波旋磁‑介电复合陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。所述微波旋磁‑介电复合陶瓷材料包括微波旋磁相LZTF和微波介电相LZT，所述微波旋磁相LZTF的质量百分比为35wt％～50wt％，所述微波介电相LZT的质量百分比为50wt％～65wt％，所述微波旋磁相LZTF为Li0.43Zn0.27Ti0.13Fe2.17O4，所述微波介电相LZT为Li2ZnTi3O8。本发明得到的复合材料具有低矫顽力、低铁磁共振线宽、高饱和磁化强度特性，同时兼具低介电常数、高品质因数、低温度系数特性，为LTCC元器件向高频化、宽频化、小型化发展提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN106904960A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710149952.3
申请日：2017-03-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Mg2SiO4‑Li2TiO3复合体系LTCC材料及其制备方法。本发明提供的LTCC材料，基于Mg2SiO4和Li2TiO3复合体系，通过固相法获得；实现烧结温度800～950℃低于960℃(Ag熔点)，εr＝9.0～18.0，且具有50,000～250,000GHz的高Qf值和近零τf＝‑15～15ppm/℃，在LTCC技术领域具有很高的应用前景和价值。可广泛应用于LTCC基板、叠层微波器件和模块中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915565B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410133503.6
申请日：2014-04-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供了一种多级阻变存储器单元及其制备方法，包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极；其特征在于，所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层。本发明通过增加纳米级隔离层，使阻变存储器的存储窗口提高到105量级以上，达到多级存储所需的首要条件；并且采用电化学活性材料作为顶电极，利用电化学活性材料的漂移特性实现不同电压激励下不同的电阻状态，达到多级存储的目的。同时，隔离层的加入减小了氧离子移动过程中的耗散，有效的保护了底电极，增大了器件的稳定性。另外，该多级阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。
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公开(公告)号：CN106747412A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611149340.6
申请日：2016-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/634 , C04B35/626 , C04B35/64 , C03C3/066
CPC classification number: C04B35/462 , C03C3/066 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Ti基LTCC微波介电陶瓷材料及其制备方法。本发明首先将(Mg0.95Co0.05)2TiO4与Li2TiO3进行复合，然后再借助LMZBS玻璃掺杂助熔来实现整个材料体系的900～950℃低温烧结。最终实现在900℃低温烧结下最佳性能可达到介电常数：εr＝16.6,Q×f＝125800GHz，τf＝1.4ppm/℃。本发明兼具超低损耗、近零谐振频率温度系数以及低温烧结的高性能，其介电常数εr为16.6～17.1，Q×f值为88400～125800GHz，谐振频率温度系数τf为1.3～5.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。
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公开(公告)号：CN104617215B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510013300.8
申请日：2015-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种多铁异质结及基于该多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法，属于电子材料技术领域。本发明多铁异质结采用廉价的含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷作为压电基片，在其一面涂覆银胶作为电极，另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后，再经过极化和老化处理后得到的。通过对该多铁异质结施加特定的电压脉冲，在去掉外加电压后，可在磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态，达到了稳定的非易失性磁矩调控效果。该调控方法操作简便，易实现，调控效果良好，在非易失性电场脉冲调制磁性器件领域有广泛的应用空间。
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公开(公告)号：CN104599826B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510013106.X
申请日：2015-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01F37/00 , H01F27/24 , H01F1/153 , C04B35/491 , H01F41/00
Abstract: 本发明提出了一种三态非易失性电压脉冲调制的电感及其实现三种不同电感量的调制方法，属于电子器件技术领域。可实现三态非易失性调制的电感包括含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材磁性薄膜和漆包线，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后，再经过极化和老化处理得到。通过对PZT基片的上下电极施加电压脉冲，在去掉外电压后，可在非晶软磁合金带材磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态，从而实现电感量的调控。该调控方法操作简单，性能优良，能耗低，在各种需要通过电感实现的滤波、调谐、阻抗匹配等功能电子电路系统中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105801119A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610310609.8
申请日：2016-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种微波介电LTCC材料及其制备方法。本发明提供的CaWO4体系微波介电LTCC材料，包含CaWO4和Li2TiO3混合的两相以及0.5～1wt％LBSCA玻璃助熔剂；其中主晶相为四方相白钨矿CaWO4，辅助相为单斜晶系结构Li2TiO3；CaWO4和Li2TiO3混合料的重量百分比为84～86％：14～16％，以及总混合料重量百分比为0.5～1wt％的LBSCA玻璃助溶剂。其烧结温度为900～950℃，介电常数11.8～12.4，Q×f值57000～76000GHz，谐振频率温度系数?2.9～1.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。
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