稀土磁体的制造方法
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108735412A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810341604.0

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及稀土磁体的制造方法。提供即使主相的粒径为1~20μm也能够在抑制磁化的降低的同时提高矫顽力的R-T-B系稀土磁体的制造方法。稀土磁体的制造方法,其包括:准备由(R1vR2wR3x)yTzBsM1t(R1为轻稀土元素,R2为中稀土元素,R3为重稀土元素,T为铁族元素,M1为杂质元素等)表示的第1合金熔液;以100~102K/秒的速度将第1合金熔液冷却从而得到第1合金块;将第1合金块粉碎从而得到1~20μm的粒径的第1合金粉末;准备由(R4pR5q)100-uM2u(R4为轻稀土元素,R5为中·重稀土元素,M2为与R4和R5合金化从而使(R4pR5q)100-uM2u的熔点降低的合金元素等)表示的第2合金熔液;和使第1合金粉末与第2合金熔液接触。

    稀土磁体
    85.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108257753A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201711323866.6

    申请日:2017-12-13

    Abstract: 本发明涉及稀土磁体。提供一种在R主要为Ce的R‑Fe‑B系稀土磁体中,即使Ce以外的稀土元素R1非常少也能提高矫顽力的稀土磁体。稀土磁体,其整体组成由式CepR1qT(100‑p‑q‑r‑s)BrM1s(其中,R1为Ce以外的稀土元素,T为选自Fe、Ni和Co的一种以上,M1为选自Ti、Ga、Zn、Si、Al、Nb、Zr、Mn、V、W、Ta、Ge、Cu、Cr、Hf、Mo、P、C、Mg、Hg、Ag和Au的一种以上以及不可避免的杂质,并且p、q、r和s为:11.80≤p≤12.90,0≤q≤3.00,5.00≤r≤20.00和0≤s≤3.00),并且具备磁性相和存在于所述磁性相周围的富(Ce,R1)相。

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