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公开(公告)号：CN118367075B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410791300.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板以及显示面板的制备方法。其中，显示面板包括：驱动基板、保护层以及像素单元，像素单元通过保护层键合在驱动基板上；像素单元包括电子传输层、发光层和空穴传输层；电子传输层包括第一半球结构，第一半球结构包括曲面区域和平面区域，平面区域朝向显示面板的出光侧；在垂直于平面区域的方向上，曲面区域中与平面区域的距离大于或者等于距离阈值的区域为预设区域，发光层包覆预设区域，空穴传输层位于发光层远离预设区域的一侧。本公开的技术方案，可改善由于发光层中电子‑空穴密度不均造成像素单元外量子效率下降的问题，有利于提高显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN118156382B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410562509.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置。其中，阵列基板的制备方法通过结合阻挡层，选择性区域生长将三色外延结构集成在同一衬底上，从而在衬底上形成阵列排布的三色子像素。本公开的技术方案，解决了现有技术中通过巨量转移技术实现全彩化显示导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN118263371A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410630512.X
申请日：2024-05-21
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。显示面板包括：驱动基板、键合在驱动基板上的像素单元以及挡光层；像素单元包括阵列排布的发光单元，发光单元共用电子传输层；电子传输层上设置有阵列排布的凹槽，凹槽与发光单元一一对应设置，凹槽位于发光单元的上方；像素单元还包括位于凹槽内的色转换层，色转换层与发光单元之间的电子传输层的出光面为粗糙面。本公开的技术方案，可改善当前发光单元造成相邻发光单元对应的出光侧发光的问题，有利于改善显示面板最终的显示效果，以及有利于提高电子传输层对发光单元的光线提取效率，可提高光线利用率，从而提高显示面板的发光效率。
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公开(公告)号：CN117954558B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410349914.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域。本公开涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。其中，显示面板的制备方法包括：提供显示基板，所述显示基板包括多个像素区；在所述显示基板的一侧形成像素限定层，所述像素限定层包括与所述像素区对应的像素开口；在所述像素开口中形成色转换材料层，所述色转换材料层的厚度小于所述像素限定层的厚度；在所述像素开口中位于所述色转换材料层背离所述显示基板的一侧形成散射颗粒层；通过加热使所述散射颗粒层与所述色转换材料层混合，以在所述像素开口中形成色转换层。本公开技术方案能够避免散射颗粒对色转换层图案化精度的影响。
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公开(公告)号：CN117855245B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410264204.X
申请日：2024-03-08
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本申请涉及光电显示技术领域，提供了一种像素单元、像素单元组、显示芯片和显示芯片的制备方法。像素单元包括：驱动晶体管、至少一个第一发光元件和至少一个第二发光元件；第一发光元件的阳极、第二发光元件的阴极与驱动晶体管的第一极连接，第一发光元件的阴极与共阴极连接，第二发光元件的阳极与共阳极连接；驱动晶体管的第二极用于输入交变驱动信号，驱动晶体管的第三极用于输入控制信号；其中，驱动晶体管用于在控制信号的作用下导通、并将交变驱动信号输出至第一发光元件和第二发光元件；第一发光元件和第二发光元件分别在交变驱动信号的作用下发光。这样，能够通过一个驱动晶体管控制至少两个发光元件，进而达到有效提升像素密度的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116722082B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310981170.1
申请日：2023-08-07
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板。阵列基板的制备方法包括形成LED外延叠层结构；在LED外延叠层结构上依次形成阳极和第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上形成第一图形；在LED外延叠层结构形成第二图形；将第二衬底与第一硬掩膜层键合，去除第一衬底并在LED外延叠层结构背离第二衬底的一侧依次覆盖阴极和第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层上形成第三图形；刻蚀阴极以及LED外延叠层结构至连通第二图形形成多个像素单元。本公开的技术方案，解决了由于采用光刻胶造成像素单元的电学接触受到影响，导致开启电压变大等电学问题，以及对像素单元的侧壁造成损伤，影响像素单元的发光效率的问题。
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公开(公告)号：CN116487508B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310737620.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法，属于Micro LED显示技术领域，该结构包括阵列排布的像素，且每个像素包括：发光元件、第一光调制层以及阳极反射层；发光元件包括相对的第一表面和第二表面，以及衔接第一表面和第二表面的衔接面；发光元件的第一表面对应Micro LED结构的出光面；第一光调制层位于发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面；第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长；阳极反射层位于第一光调制层背离发光元件的一侧。如此，通过利用阳极反射层对第一光调制层发出的光进行反射，使发光元件的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面，提高了Micro LED结构的光利用率并降低了整体能耗。
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公开(公告)号：CN117153962B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311441150.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及发光二极管的转移技术领域，特别涉及一种发光二极管的转移方法、装置以及阵列基板。发光二极管的转移方法包括制备分散有发光二极管的流体；制备形成有阵列排布的接收结构的接收基板，接收结构与发光二极管的形状匹配；将多个接收基板以竖直方向放置于第一液体中，两个接收基板形成一组，每组接收基板之间对应接收结构顺次形成多个流体通道；使用提拉设备从第一液体中提拉接收基板至流体通道位于第一液体之上，向流体通道中注入流体，流体中的发光二极管填充至接收结构中；顺次相邻的三个流体通道中依次注入分散有不同颜色的发光二极管的流体。本公开的技术方案，可实现三色发光二极管的自组装过程，以及有利于提高自组装速率。
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公开(公告)号：CN117012865A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311253050.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及Micro LED显示技术领域，公开了一种全彩Micro LED显示芯片及其制备方法，该方法包括：制备衬底外延层；衬底外延层的一侧形成有第一类型发光层；在第一类型发光层的第一预设区域内注入N型离子；在第一类型发光层背离衬底外延层的一侧，形成第二类型发光层；在第一类型发光层的第二预设区域和第二类型发光层的第三预设区域内注入N型离子；在第二类型发光层背离第一类型发光层的一侧形成第三类型发光层；在第二类型发光层的第四预设区域和第三类型发光层的第五预设区域内注入P型离子；在第三类型发光层背离第二类型发光层的一侧，形成P型外延层。由此，降低了工艺制备难度并提高了制备速度。
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公开(公告)号：CN116845081A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311091291.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L27/15 , G02F1/1335 , G02B27/01
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种AR显示芯片、AR显示芯片的制备方法及AR显示系统。其中，AR显示芯片包括：TFT基板和发光部，TFT基板和发光部通过各向异性导电胶层键合在一起；TFT基板上设置有阵列排布的第一阳极触点和第二阳极触点；发光部包括阵列排布的像素区，相邻像素区之间设置有液晶区；像素区包括像素单元，液晶区包括液晶单元，像素单元的第一阳极与第一阳极触点一一对应设置，液晶单元的第二阳极与第二阳极触点一一对应设置；绝缘胶层，绝缘胶层覆盖在发光部上。本公开的技术方案，避免了光波导带来的光学损耗，有利于提高AR显示效果，以及有利于实现AR显示系统的小型化设置。
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