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公开(公告)号：CN103788943A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410081670.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/61 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xClO3：xTm3+,xLi+，其中0≤x≤0.2；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨，即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发，且在457nm有蓝光发射，可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN103347351A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310324878.6
申请日：2013-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路，涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路；缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端，主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源，主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极；参考电压产生电路设有7个输出端，其中，4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路；3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压，另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。
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公开(公告)号：CN103094394A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310019710.4
申请日：2013-01-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。
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公开(公告)号：CN102275932B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110202745.2
申请日：2011-07-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种用激光提纯多晶硅片的方法，涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后，放置加热平台上进行预热；用激光对预热后的多晶硅片进行辐照；使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理；对多晶硅片进行退火处理；刻蚀多晶硅片表层部分，得到目标产品。质谱分析表明，可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2～3个数量级；提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片，减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。
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公开(公告)号：CN101872801B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102337124A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110203400.9
申请日：2011-07-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 一种稀土掺杂红光型荧光粉及其制备方法，涉及一种荧光粉。提供一种可在近紫外线下激发而发出红光，可作为三基色荧光粉中红粉材料的稀土掺杂红光型荧光粉及其制备方法。所述稀土掺杂红光型荧光粉的原料组成为碳酸锶、硼酸、氧化铕，其组合配比符合通式Sr3-xB2O6:xEu3+(0.01≤x≤0.1)。按组合配比通式Sr3-xB2O6:xEu3+(0.01≤x≤0.1)，将碳酸锶、硼酸和氧化铕混合，研磨，过筛后得到的细粉烘干；将烘干后所得的细粉煅烧后冷却降温；将收集产物研磨，过筛，制得稀土掺杂红光型荧光粉。
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公开(公告)号：CN101871883B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/LH2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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公开(公告)号：CN102153089A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110131546.7
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得磷吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101872801A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010177758.4
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，涉及太阳能电池。提供一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法。将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。所制备的掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触，通过不同退火的时间和温度由实验得到最优的欧姆接触制备条件，得到最佳的比接触电阻，提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，满足器件性能要求，可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。
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公开(公告)号：CN101871883A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/L H2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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