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公开(公告)号：CN106206866A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610564475.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的制造方法及发光二极管，属于半导体技术领域。所述制造方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层；电子阻挡层包括依次生长的第一子层、第二子层、第三子层；第一子层包括交替层叠的AlGaN层和GaN层，且各个AlGaN层中Al的掺杂浓度沿生长方向逐渐变化；第二子层为掺杂Mg的GaN层；第三子层为同时掺杂In和Mg的GaN层，且第三子层中In的掺杂浓度沿生长方向逐渐变化，第三子层中Mg的掺杂浓度保持不变。本发明整体上既能有效阻挡电子泄漏到P型层，又可以提高空穴的注入数量和注入效率，大大提高电子和空穴有效辐射复合的发光效率。
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公开(公告)号：CN113540300B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110585784.9
申请日：2021-05-27
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种提高表面平整度的发光二极管外延片制备方法，属于半导体器件技术领域。第一氮气对衬底的表面进行氮化处理并增强衬底的表面稳定性。再通入5～20sccm的Al源，减小附着物掉落到衬底上的可能性。第一氢气有刻蚀的作用，可以起到清洁衬底和去除反应腔的内壁的部分粘附力不强的氧化物的作用，减小衬底上的杂质并使反应腔内壁上部分粘附不稳定的附着物掉落，伴随废气一起排出反应腔。第二氮气与第二氢气则可以起到清理衬底的表面的掉落物以及进一步清理反应腔的内壁上的附着物的作用。最终有效提高衬底的表面的质量的同时，大幅度减小了反应腔的内壁上的附着物掉落的可能性，提高最终得到的发光二极管外延片的表面平整度。
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公开(公告)号：CN112366255B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202011061495.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在GaN缓冲层上依次层叠的成核层、GaN填平层及n型GaN层中均掺杂有n型杂质。成核层与GaN填平层中n型杂质的掺杂浓度是逐渐增加的，减少底层存在的缺陷，为后续生长的外延结构提供一个良好的生长基础来减少缺陷。而n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度为2E8～6E18/cm3，n型GaN层中n型杂质的掺杂浓度相对传统n型GaN层大幅度减小，掺杂的Si源分散到GaN填平层及成核层中，缺陷的密度会减小，n型GaN层本身的质量可以得到提高，在n型GaN层上生长的有源层的质量也可以得到提高，最终得到的发光二极管外延片的质量得到提高。
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公开(公告)号：CN111834496B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010462407.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。GaN成核层与GaN填平层之间的插入层包括依次层叠在GaN成核层上的SiN子层、InN子层与AlGaN子层。SiN子层的表面平整度相对较好。SiN子层上层叠的InN子层性质较为稳定，在SiN子层上生长时，不易由于高温而出现分解的情况，保证InN子层生长完毕时，InN子层整体表面较为均匀，AlGaN子层可以形成Ga原子占据较大面积的Ga性表面，Ga原子占据较大面积的Ga性表面则可以与GaN填平层进行良好接触，使得在AlGaN子层上生长的GaN填平层具有较好的晶体质量与表面平整度，最终提高发光二极管外延片的晶体质量。
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公开(公告)号：CN112133797A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010802174.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、低温P型层和高温P型层；在所述高温P型层生长完后，对所述高温P型层的表面进行预处理，在所述高温P型层上形成粗化表面；在所述高温P型层的粗化表面上形成MgN岛状物；在所述MgN岛状物上生长P型GaN填平层。该生长方法可以形成两层粗化结构，降低光子在高温P型层与空气的界面之间的全反射，提高高温P型层的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111554784B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010659341.5
申请日：2020-07-09
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层由依次层叠的第一单层、复合层和第二单层组成，所述复合层由（n+1）个第一子层和n个第二子层交替层叠而成，n为正整数；所述第一子层为掺杂Si的GaN层，所述第二子层、所述第一单层和所述第二单层均为掺杂Al的GaN层，且所述第一单层和所述第二单层中Al的掺杂浓度均大于所述第二子层中Al的掺杂浓度。本公开在提供大量自由移动的电子进行复合发光的同时，有效提高LED外延片的晶体质量，确保LED的性能能够满足应用需要。
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公开(公告)号：CN111554784A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010659341.5
申请日：2020-07-09
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述N型半导体层由依次层叠的第一单层、复合层和第二单层组成，所述复合层由（n+1）个第一子层和n个第二子层交替层叠而成，n为正整数；所述第一子层为掺杂Si的GaN层，所述第二子层、所述第一单层和所述第二单层均为掺杂Al的GaN层，且所述第一单层和所述第二单层中Al的掺杂浓度均大于所述第二子层中Al的掺杂浓度。本公开在提供大量自由移动的电子进行复合发光的同时，有效提高LED外延片的晶体质量，确保LED的性能能够满足应用需要。
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公开(公告)号：CN109904287B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910085722.4
申请日：2019-01-29
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、插入层、有源层和P型半导体层，插入层包括第一超晶格结构、第二超晶格结构和第三超晶格结构，第一超晶格结构的叠层结构包括第一子层和第二子层，第二超晶格结构的叠层结构包括第三子层和第四子层，第三超晶格结构的叠层结构包括第五子层、第六子层和第七子层，第一子层的材料采用氮化铝，第二子层、第三子层和第六子层的材料采用氮化镓，第四子层、第五子层和第七子层的材料采用氮化铝镓，第五子层中铝组分的含量等于第四子层中铝组分的含量，第七子层中铝组分的含量大于第五子层中铝组分的含量。本发明可提高复合发光效率。
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公开(公告)号：CN109346582B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811003560.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述外延片包括：衬底、以及依次在衬底上沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和活化P型接触层；所述活化P型接触层包括第一GaN层和第二GaN层，所述第一GaN层位于P型层与所述第二GaN层之间；所述第一GaN层为掺杂Mg的GaN层，所述第二GaN层为掺杂Mg和In的GaN层，所述第一GaN层中Mg的浓度高于所述第二GaN层中Mg的浓度，所述第一GaN层的厚度大于所述第二GaN层的厚度。
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公开(公告)号：CN108717954B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810283347.X
申请日：2018-04-02
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、三维生长层、二维生长层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述三维生长层包括依次层叠的复合结构和单层结构，所述复合结构包括依次层叠的多个子层，每个所述子层为掺杂镁的氮化镓层，且所述多个子层中镁的掺杂浓度沿所述复合结构的层叠方向逐层降低，所述单层结构为没有掺杂的氮化镓层。本发明通过在三维生长层的生长初期掺杂镁，有利于晶种的聚集，提高晶种的稳定性，从而提高三维生长层的晶体质量，进而提高后续生长的二维生长层、有源层等的晶体质量，最终提升发光二极管的发光效率。
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