一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管合成的等效电感电路

    公开(公告)号:CN115296660A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210897665.1

    申请日:2022-07-28

    Abstract: 一种基于金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管合成的等效电感电路,涉及射频集成电路领域,包括:第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)、第一偏置单元(3)、第二偏置单元(4)、第一反馈电阻单元(5)、第三跨导单元(6)、第四跨导单元(7)、第三偏置单元(8)、第四偏置单元(9)和第二反馈电阻单元(10)。第一跨导单元、第一反馈电阻单元和第二跨导单元构成第一回路,第三跨导单元、第二反馈电阻单元和第四跨导单元构成第二回路,且第一回路和第二回路有共同的输入端Zin、电源端VDD和地端GND,构成并联关系。最终该等效电感电路实现了高Q值、大电感值、高的L值线性度和较低噪声的综合性能。

    一种高效的结合并行局部采样和贝叶斯优化的微波器件设计方法

    公开(公告)号:CN113449423A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110740255.1

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 本发明涉及一种应用于微波器件的新型高效电磁优化方法,属于微波器件设计优化领域,用于解决电磁优化中的局部优化方法容易因为优化起点不佳而陷入局部最优解和全局优化方法的收敛速率总是相对较低的问题。本发明具体提出了一种新型的包含并行局部采样和贝叶斯优化(BayesianOptimization,BO)方法的高效电磁优化方法。传统BO仅使用优化迭代中潜在最优解的信息,本发明提出一种新式并行局部采样策略,提高潜在最优解附近的采样能力,局部采样范围由当前潜在最优解的导数信息确定,使用局部采样点与潜在最优解共同建立替代模型进而指导优化过程。采用本发明能够对多数微波器件高效的进行设计优化,优化的收敛速度快,能有效的指导微波器件的生产。

    一种宽频带工作的差分有源电感

    公开(公告)号:CN111884622A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010639282.5

    申请日:2020-07-06

    Abstract: 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域,包括:第一N型MOS晶体管(M1),第二N型MOS晶体管(M2),第三N型MOS晶体管(M3),第四N型MOS晶体管(M4),第五P型MOS晶体管(M5),第六P型MOS晶体管(M6),第七N型MOS晶体管(M7),第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中,晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构,M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源,LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间,实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值,并实现电感值和Q值可调谐。

    一种结合先进自适应采样和人工神经网络的微波器件自动建模方法

    公开(公告)号:CN111460734A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010256969.0

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 本发明提出一种结合先进自适应采样和人工神经网络的微波器件自动建模方法,用于解决微波建模过程中训练数据/验证数据的采样问题。本发明提出的增强型自动建模方法(AMG)方法分阶段执行数据采样,该采样过程为一种新型的自适应采样。在数据采样的每一阶段中,AMG不必沿着建模空间的所有维度进行均匀采样,而是识别当前阶段对模型输出行为非线性影响最大的输入维度,然后在输入空间的这个维度上进行采样,生成额外的训练数据。该AMG方法能够自动执行训练/验证数据的自适应采样和神经网络的自动训练,以用最少的数据样本获得用户所需精度的能够代表微波器件行为特征的神经网络模型。

    一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感

    公开(公告)号:CN105680822B

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201610007381.5

    申请日:2016-01-06

    Abstract: 一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感,该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极‑共栅极结构上加入多重电压调制电路;可调节的有源反馈电阻连接于正负跨导放大器之间,用于改善有源电感的实部损耗,进而进一步地提高Q值;可变电容连接于正跨导放大器的输入端和负跨导放大器的输出端,用于调节有源电感的负载电容,进而扩展电感值和Q值的调节范围。两个可调电流源分别为正跨导放大器和负跨导放大器提供直流偏置,并可以调节有源电感的工作频率范围。这些组成部分使得该有源电感的工作频率、电感值和Q值均可进行调节。

    一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器

    公开(公告)号:CN107946383A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201711181871.8

    申请日:2017-11-23

    Abstract: 本发明公开一种具有行波电极的硅基波导型光敏晶体管探测器。该探测器包括Si衬底;在Si衬底上依次制备出Si次集电区、Si集电区、SiGe基区和多晶Si发射区,SiGe基区上下各生长一层本征SiGe层。掺杂浓度高的SiGe基区作为光敏晶体管探测器的光吸收层;Si次集电区,Si集电区,本征SiGe层,SiGe基区和多晶硅发射区形成脊型波导结构;光窗口位于脊形波导的端面,实现入射光的侧面探测吸收。发射极电极和集电极电极构成的行波电极,可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应,减少寄生电容对高速传输的影响。随着硅集成电路特征线宽逐渐缩小,用波导型SiGe探测器作为光互联的主要器件,可以缓解金属互联造成的传输信号延时、功率耗散、层间干扰等制约系统性能的问题。

    一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感

    公开(公告)号:CN107124157A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201710270950.X

    申请日:2017-04-24

    Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感,包括:第一跨导单元(1),调制单元(2),第二跨导单元(3),第三跨导单元(4),第四跨导单元(5),第一可调偏置电路(6),第二可调偏置电路(7),第三可调偏置电路(8),第四可调偏置电路(9)。其中,调制单元(2)与第一跨导单元连接,用于增大有源电感的Q值和带宽;第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路,第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路,主回路和从回路进行并联,增大了整个回路中用来合成电感的等效电容,从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐,而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。

    一种低功耗超宽带低噪声放大器

    公开(公告)号:CN104660185B

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201510051759.7

    申请日:2015-02-01

    Abstract: 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级,可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强,在实现输入匹配和噪声匹配的同时,实现高增益;第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6,为电路系统提供一个零点,增加了电路系统的稳定性,并拓展其带宽;第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构,实现了低功耗。本发明提供了一种在2~5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。

    全差分式浮地有源电感
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104009722B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201410191631.6

    申请日:2014-05-07

    Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域,特别涉及一种全差分式浮地有源电感,具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导,采用共栅电路结构作电流缓冲器,使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构,形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻,从而减小实部损耗,增大Q值。进一步地,在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻,增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容,所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压,可调谐电感值和Q值。

    高Q值可调谐差分式有源电感

    公开(公告)号:CN103956986B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201410186734.3

    申请日:2014-05-05

    Abstract: 本发明提供一种高Q值可调谐差分式有源电感,涉及射频集成电路技术领域,以解决现有差分有源电感实部损耗比较大、Q值不高的问题;该发明包括电源、输入输出端、偏置电路和差分Cascode基本结构,还包括有源电阻反馈网络,它由无源电阻Rf和PMOS晶体管Mp3并联构成,并且所述有源电阻反馈网络的两端和差分Cascode结构中的Mn1、Mn2管的漏极相连接;所述差分Cascode结构由Mn1、Mn2、Mn3和Mn4晶体管构成,且Mn1、Mn2晶体管和Mn3、Mn4晶体管分别以交叉耦合对的形式相连接,并且Mn3、Mn4晶体管的漏极与Mn1、Mn2晶体管的源极接在一起;本发明通过对有源反馈电阻网络和偏置电路的调谐,可实现对差分式有源电感的电感值和Q值的可调谐性。

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