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公开(公告)号：CN116230339A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310191675.8
申请日：2023-03-02
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻器技术领域，尤其是涉及一种用于高空环境温度测量的珠状热敏电阻器及其制备方法。珠状热敏电阻器包括热敏陶瓷微珠、绝缘涂层、反射涂层。所述热敏陶瓷微珠直径为200‑500μm；所述绝缘涂层成份均匀且厚度可控为10‑20μm；所述反射涂层成分均匀且厚度可控为200nm‑500nm；珠状热敏电阻器响应时间为0.2‑0.5s。本发明方法制得的珠状热敏电阻器，具有体积较小，响应速度快，降低太阳辐射的优点，适用于高空气象探测探空仪中的温度测量。
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公开(公告)号：CN114956789B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210637174.3
申请日：2022-06-07
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种线性宽温区高温热敏电阻材料及其制备方法，该材料按照xAl2O3‑（1‑x）CaMnO3（0.2≤x≤0.4）的化学计量比分别称取碳酸钙、氧化铝、二氧化锰，经混合研磨、预烧、成型、烧结、涂覆电极，即可得到在温度250℃‑950℃范围内具有线性阻温特性的热敏陶瓷材料。采用本发明制备的线性宽温区高温热敏电阻材料性能稳定、一致性好，能够适用于宽温区高温测温、控温和温度补偿等领域。
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公开(公告)号：CN114773034B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210597563.8
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01C7/04
Abstract: 本发明涉及一种高稳定负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法，该方法以通过以Mn2O3、Co2O3、NiO为初始氧化物原料，并掺杂特定化学计量比的Al2O3与Ho2O3，经过研磨、煅烧、研磨、压块成型、冷等静压成型、高温烧结即可得到高稳定负温度系数热敏陶瓷，其材料常数B25/50℃的范围为3561‑3998K，温度0℃电阻率的范围为10703‑12847Ω·cm，采用本发明制备的高稳定负温度系数热敏陶瓷材料具有明显的负温度系数特性，材料体系稳定性高，线性度好，其晶粒具有凸起的表面形貌，适合制造用于高稳定的NTC热敏电阻器。
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公开(公告)号：CN112876238B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110212343.4
申请日：2021-02-25
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04 , C04B35/457 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种锡酸盐体系负温度系数热敏电阻材料，该体系热敏电阻材料是以二氧化锡、三氧化二镧、三氧化二钕、三氧化二钐和三氧化二钆为原料，将二氧化锡分别与三氧化二镧、三氧化二钕、三氧化二钐或三氧化二钆混合，经过球磨、干燥、研磨、煅烧、再研磨、冷等静压成型、高温烧结，即可得到锡酸盐体系材料，该体系材料电性能参数为：B400℃/1000℃=12320‑15177K，ρ1000℃=0.650‑8.095×103Ω·cm。本发明制备的锡酸盐负温度系数热敏电阻材料体系在温度区间400℃‑1100℃内具有明显的负温度系数特性，该材料体系电性能稳定，一致性好，老化性能稳定，对氧分压不敏感，是一类适合制造用于高温及不同氧分压环境的热敏电阻材料。
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公开(公告)号：CN115872741A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310036322.0
申请日：2023-01-08
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: C04B35/495 , H01C7/04 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种适用于高温宽温区测温的高稳定性热敏电阻材料及其制备方法，该材料以二氧化铈、三氧化二钕、三氧化二钐、三氧化二钆、三氧化二钬、三氧化二铒、三氧化二镥、三氧化二镱、三氧化二钇和五氧化二铌为原料，按化学组成为CxN1分别称取，其中C为稀土氧化物，x为稀土氧化物的种类，3≤x≤9，N为五氧化二铌，经混合研磨、预烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即得到材料常数为B200℃/600℃=3915 K‑5009 K，温度150℃时电阻率为2.01×109Ω.cm‑1.13×106Ω.cm，lnρ和1000/T的线性拟合Pearson’s r系数均≥99.75%，温度1000℃老化1000小时后电阻漂移率＜1%的高温热敏电阻材料，该热敏电阻材料性能稳定，一致性好，在温度25‑1350℃的适用于高温宽温区测温的高稳定性热敏电阻材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863363B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202010498086.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 中科立民新材料(扬州)有限公司 , 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高温热敏电阻的封装方法及其封装的电阻和应用，其该封装过程包括：浆料调制，浆料液面调节，蘸取或包裹，固定，淬火以及再次蘸取和淬火的循环操作等流程实现高温热敏电阻封装。本发明封装方法应用于300～1000℃温区并长期使用的热敏电阻的封装工艺，所得到的高温热敏电阻器导热性好、热稳定性好，封装后热敏电阻的阻值基本保持不变，电学性能稳定；热敏电阻与绝缘层贴合度好，无分层；绝缘层导热性好，不影响热敏电阻的灵敏性；并且大大提高了电阻中的芯片和引线接触点的机械性能；该封装方法工艺简单、周期短、环境友好、能耗低、成本低廉，得到的热敏电阻能长期耐受高温、适应高温震动等特殊环境的工作要求。
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公开(公告)号：CN111704462B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202010636688.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H01C7/04 , H01C17/30 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明涉及一种适用于通用航空尾气排放测温的复合负温度系数热敏电阻及其制备方法，该热敏电阻以碳酸钙，二氧化铈，五氧化二铌，三氧化钨，三氧化二镧和二氧化锰为原料，经混合研磨、煅烧、再混合研磨、冷等静压成型、高温烧结工艺、被电极工艺过程，得到具有特殊结构为烧绿石相CaCeNbWO8和钙钛矿相LaMnO3的复合NTC热敏电阻，其致密度为89%‑95%，材料常数为B200℃/1100℃=44 K‑10889 K，在温度850℃时，电阻率为4.26×102Ωcm‑1.76×105Ωcm。本发明所述的复合NTC热敏电阻可应用于温度200‑1100℃环境下的温度监测和控制，具有明显的负温度系数特性，高温性能稳定，抗老化性好，适用于通用航空尾气排放测温。
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公开(公告)号：CN114441057A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210109995.X
申请日：2022-01-29
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型探针的感温探头制备方法和用途。该方法以微型热敏电阻器为核心测温元器件，通过在探针管一端先注入导热硅脂，再放入微型热敏电阻器，最后灌入环氧树脂，获得微型探针的感温探头。该方法工艺简单，获得微型探针的感温探头应用于深海环境温度测量的热时间常数较小，密封性好。在温度‑5℃~+35℃范围具有明显的负温度系数特性、较好的绝缘特性、较快的响应速度，可耐海水环境高压、高盐和高湿极端条件，适用于深海环境快速温度测量。
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公开(公告)号：CN114436334A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210257517.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种超宽温区核壳结构复合负温度系数热敏材料及制备方法，采用溶胶‑凝胶法分别制备La‑Mn‑O基核材料及Ba‑Sr‑Ti‑O基壳材料，结合超声辅助法将Ba‑Sr‑Ti‑O基溶胶包覆在La‑Mn‑O基核材料表面形成核壳结构复合材料体系。该核壳结构热敏材料可以通过调节包覆量，在超宽温区内调控热敏材料的电阻率、材料常数和温区。本发明通过调控La‑Mn‑O及Ba‑Sr‑Ti‑O及材料包覆量，实现了从‑250℃至1000℃的超宽温区应用；该材料体系不仅实现了超低温区的测温，还可拓展到高温区，对于开发新型核壳包覆结构的负温度系数热敏材料体系及其拓展材料测试温区、应用领域具有重要指导意义。
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公开(公告)号：CN114134457A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111483558.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种类光栅结构复合NTC热敏薄膜的制备方法。该方法在衬底上生长两种或多种NTC热敏薄膜，不同薄膜以条纹形式生长构成类光栅结构，通过调整薄膜种类和条纹宽度，实现调控NTC薄膜电学性能的目标。该制备一方面，可避免先制备多相复合源材料或靶材，再以此为基本材料制备获得复合薄膜的过程中因为源材料或靶材相分布不均匀而造成薄膜一致性差的问题；另一方面，可避免复合薄膜异质生长过程中因晶格失配或热膨胀系数不匹配而产生界面缺陷，进而导致薄膜质量下降的问题。具有制备工艺简单、成本低、性能可控的优势，可推广至半导体、传感器等领域。
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