公开(公告)号：CN1532546A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03107379.4

申请日：2003-03-25

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 申文杰 ,  徐奕德 ,  包信和 ,  李永刚 ,  刘红梅

IPC: G01N30/86 ,  G01N30/46 ,  G01N30/62

Abstract: 本发明为一种针对双柱双检测器(热导池以及氢火焰)气相色谱的数据处理方法。该方法中引入一个校正因子，采用一种算法。本发明实现了甲烷无氧芳构化反应产物的全分析，同时可对第二种气体共存在下甲烷无氧芳构化反应进行产物的全分析。

公开(公告)号：CN1160155C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN99112884.2

申请日：1999-04-28

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 舒玉瑛 ,  马丁 ,  徐龙伢 ,  徐奕德 ,  包信和

IPC: B01J29/78

Abstract: 一种甲烷直接合成芳烃的催化剂，其特征在于：该催化剂为用ZnO、Ga2O3、Cr2O3、In2O3、WO3或MoO3改性的MCM-22沸石，其中MCM-22的SiO2/Al2O3比为30～100，活性组分重量百分含量为2～30%。其甲烷合成芳烃反应是在连续进料的固定床式反应器系统中进行，反应气流用纯甲烷或用惰性气体稀释，反应温度在650～800℃之间，反应空速为750～5000ml/g·h。使用本发明催化剂甲烷可以高选择性和高稳定性制苯。

公开(公告)号：CN1491746A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02148076.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 包信和 ,  徐奕德 ,  王红霞 ,  申文杰 ,  李勇 ,  苏玲玲 ,  刘红梅 ,  李勇刚

IPC: B01J29/48 ,  B01J37/10 ,  C07C2/46

Abstract: 一种改进过渡金属分子筛负载型催化剂催化活性的方法，用水蒸汽与惰性气体的混合气直接对过渡金属分子筛负载型催化剂进行处理，其条件为：水蒸汽分压为0.1atm至0.9atm，温度范围为160℃至800℃，处理时间为5分钟至10个小时。本方法所适用的过渡金属分子筛负载型催化剂可由浸渍法、固相法、高能球磨法、微波浸渍法等获得。本发明得到的催化剂适用于低碳烷烃(C1－C4)的无氧芳构化过程；适用于固定床反应器、流化床反应器和无机膜反应器；适用的空速(GHSV)可在200h－1至20000h－1变化；适用的反应压力可从1atm到20atm之间变化；适用的反应操作温度为350℃至900℃。

公开(公告)号：CN1482112A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN02143125.6

申请日：2002-09-13

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 申文杰 ,  徐奕德 ,  包信和 ,  李永刚 ,  刘红梅 ,  苏玲玲 ,  王红霞 ,  李勇

IPC: C07C15/04 ,  C07C2/82 ,  C01B3/38 ,  C01B31/18

Abstract: 一种直接转化甲烷制苯、氢气与一氧化碳的催化反应，将甲烷氧化偶联催化剂与甲烷无氧芳构化催化剂依次放置于一个反应器中，甲烷与氧气共进料，在600－900℃温度下实施耦合催化反应。甲烷氧化偶联催化剂为Sr－La2O3/CaO、La2O3/BaO、Mn/Na2WO4/SiO2、Pb/SiO2、Y2O3、LiYO2、Li2O/MgO、Sc2O3或Sm2O3。甲烷无氧芳构化催化剂为Mo/HZSM－5、W/HZSM－5、Re/HZSM－5、Mo/MCM－22或Mo/HZRP－1。催化剂空速分别为1000－60000毫升/分钟*克催化剂与500－5000毫升/分钟*克催化剂，氧气/甲烷为0.1－10％，反应气流量为5－100毫升/分钟。

公开(公告)号：CN1393402A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN01114194.8

申请日：2001-07-04

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 许名灿 ,  程谟杰 ,  包信和

IPC: C01B39/04

Abstract: 一种高岭土微球担载纳米沸石分子筛Y的制备方法。其步骤：1)制备导向剂；2)取导向剂加入柠檬酸钠，磁力搅拌1.5～3小时；其导向剂与柠檬酸钠重量比为65～75∶2.5～3.5；3)将焙烧后的高岭土微球加入步骤2)溶液中，机械搅拌，加入量与所述溶液的重量比为65～75∶4～15；4)滴入硫酸溶液，滴入量为步骤3)中所述溶液重量的23～32％，浓度为28～32％，得到凝胶，振荡均匀后于90～110℃下晶化；5)取上述产物进行分离得到高岭土微球担载纳米沸石分子筛Y产物。它水热稳定性好。

公开(公告)号：CN1354043A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN00123289.4

申请日：2000-11-22

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 包信和 ,  马洪涛 ,  程谟杰 ,  罗洪原

IPC: B01J23/56 ,  B01J29/068

Abstract: 一种用于由合成气制备二碳含氧化合物的铑基催化剂,由活性组份Rh和载体组成,Rh的重量含量为0.01～10%,其特征在于:所采用的载体为具有适当孔径、较高硅铝比的分子筛,孔径大小在0.5nm到30nm之间,表面积在100～1500m2/g以上,Si/Al比在5～∞之间。本发明催化剂用于C2含氧化合物的合成,可以提高CO的转化率及C2含氧化合物的收率。

公开(公告)号：CN1288857A

公开(公告)日：2001-03-28

申请号：CN99120816.1

申请日：1999-09-22

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 程谟杰 ,  包信和 ,  谭大力 ,  林励吾

IPC: C01B33/113

Abstract: 一种合成的层状二氧化硅分子筛,其原粉具有下述的X－射线粉未衍射特征:d值(A),衍射相对强度(I/IO%)；20.3±0.50,100；9.93±0.20,47±30;7.19±0.10,32±30；6.35±0.10,38±30;4.97±0.10,32±20;4.53±0.10,100;4.00±0.10,44±20;3.22±0.10,40±20;3.18±0.10,33±20;本发明具有与以往分子筛不同的结构,且可以通过或不通过金属离子修饰用作催化剂。

公开(公告)号：CN119212534A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202310771503.8

申请日：2023-06-27

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 姜鹏 ,  陈明宇 ,  包信和

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/852 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明涉及一种提升碲化银室温热电优值的方法，属于热电材料技术领域。在碲化银作为热电材料使用时，对其施加与热流方向垂直的磁场；所述碲化银其组成为Ag2+xTe，其中0

公开(公告)号：CN118059953A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211451003.8

申请日：2022-11-18

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 潘秀莲 ,  方光宗 ,  于永琪 ,  由灏盛 ,  包信和

IPC: B01J35/30 ,  B01J23/755 ,  B01J23/78 ,  B01J23/83 ,  C01B3/40

Abstract: 本发明属于Ni金属元素催化剂制备技术领域，具体涉及一种高分散镍基催化剂及其制备方法和在甲烷二氧化碳重整中的应用。所述催化剂包括金属氧化物载体和活性中心Ni，所述活性中心Ni的浓度为0.01～15wt.％；所述活性中心Ni为分散于载体的状态，分散度为70～100％；所述活性中心Ni的粒径不大于2nm。本发明方法所制备的催化剂具有极佳的稳定性与抗积碳能力，制作过程简单，重复性好，催化剂活性中心分散度高，实现了甲烷转化率为60～99％，二氧化碳转化率为50～99％，产出合成气中H2/CO比值为0.8～1.2。

公开(公告)号：CN117998957A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211386650.5

申请日：2022-11-07

Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所

Inventor： 姜鹏 ,  王卓发 ,  陈昀 ,  包信和

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/10

Abstract: 本发明提供一种热电器件的快速制备方法，包括以下步骤：准备原料，原料包括：陶瓷基板、焊锡膏、P型晶粒和N型晶粒；通过焊锡膏印刷机将焊膏丝网印刷在下基板上；通过高速高精度贴片机实现P型晶粒和N型晶粒的自动落位；根据所使用的焊锡膏的类型，选择相应的温度曲线，再通过回流炉将晶粒焊接在下基板上；闭合上基板，再次将热电器件送入回流炉之中，完成所有晶粒的焊接即完成整个热电器件的制备。本发明对落位P型晶粒和N型晶粒进行横向和纵向的限位，避免焊锡膏融化时晶粒产生倾斜，影响制备热电器件的质量。同时通过掩模版的特殊设计，跳过导流片的中间部分。降低电阻的同时，避免焊锡膏融化时晶粒产生倾斜，影响制备热电器件的质量。