SOC芯片频率测试方法
    81.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105182067B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201510638196.1

    申请日:2015-09-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种SOC芯片频率测试方法,使用ATE测试芯片时钟系统,芯片通过测试端口传输信号到信号通道,然后再传输到ATE中进行测试。这样每个测试信号对应一个信号通道。对测试结果比特化,得到测试数据。启用ATE上HRAM的OneBitMode,将比特化数据放入HRAM中。对测试数据进行快速傅立叶变换FFT处理,并加上汉宁窗以减少误差并且更容易进行插值运算。本算法优势在于通过加汉宁窗,有利于插值运算并且筛选出FFT之后的多余信息,最后通过插值运算得到最终频率。并且FFT算明显耗时短,明显减少测试时间。而通过插值运算明显提升测试精度,最终提升测试效率。

    材料的电沉积高通量制备设备与方法

    公开(公告)号:CN105839169A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610374329.3

    申请日:2016-05-31

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: C25D17/00 C25D3/56 C25D3/665 C25D5/022 C25D17/12

    Abstract: 本发明公开了一种材料的电沉积高通量制备设备与方法,该设备包括多通道电源等,掩模阴极板用一根导线连接到多通道电源上,第一纯金属阳极、第二纯金属阳极分别用一根导线连接到程控开关上,多通道电源与程控开关连接,程控开关用于控制正极的开关状态,掩模阴极板的作用是把电沉积材料做成想要的形状以满足应用或表征的需求;电解池设有电解液,掩模阴极板全部浸泡在电解液中,第一纯金属阳极、第二纯金属阳极都部分浸泡在电解液中,电解液用速度可控的磁力棒进行搅拌,磁力棒安装在磁力搅拌器上。本发明单次实验能将整个体系的几乎所有成分做出来,既能用于制备用于实验研究的微纳样品,也能用于大规模工业生产。

    用于检测玉米Proline1基因的引物组及其应用

    公开(公告)号:CN104862398A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510251306.9

    申请日:2015-05-18

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: C12Q1/6895 C12Q2600/13 C12Q2600/156

    Abstract: 本发明涉及一种用于检测玉米Proline1基因的引物组及其应用。该引物组的第一对碱基序列为:正向引物从5′端至3′端为:CGGTGTCACACACTCCGCATAC;反向引物从5′端至3′端为:GAAGGATAGGGCGTTCTTCGAT;该引物组的第二对碱基序列为:正向引物从5′端至3′端为:GGCCGAGGAGGGATACATCA;反向引物从5′端至3′端为:CAGCCCTCAGGGAAGCGATA。利用这两个分子标记能对玉米任何时期和任何组织的DNA进行基因型鉴定,检测杂交育种子代各单株中Proline1基因的存在与否以及杂合或纯合状态。这种检测方法的准确性高,操作简单,为利用Proline1基因的DNA分子标记辅助育种提供重要的技术手段。

    酸性条件下CdZnTe量子点的水相制备方法

    公开(公告)号:CN103320135B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201310244030.2

    申请日:2013-06-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明是涉及一种CdZnTe量子点酸性条件下的水相制备,属复合纳米微晶材料技术领域。本发明产物为CdZnTe量子点,其制备方法是:首先利用硼氢化钠(NaBH4)和碲粉(Te)反应制备碲氢化钠(NaHTe),然后将碲氢化钠注入到用氢氧化钠调节好PH的硝酸锌/硝酸镉/3-巯基丙酸溶液中,两者反应生成CdZnTe量子点溶液。本发明所得产物分散均匀、稳定性好、量子产率高、团聚少;它可应用于生物荧光标记、药物分离和一些光电器件领域。

    一种图形化衬底制作方法
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103337566A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201310243141.1

    申请日:2013-06-19

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种图形化衬底制作方法。本方法在衬底的正面采用光刻工艺定义出部分图形化衬底的图案区域,然后在衬底的正面淀积阻挡层,采用lift-off工艺剥离光刻胶,留下衬底表面的阻挡层。再进行一次光刻工艺第一出剩余部分图形化衬底的图案区域,然后在衬底的正面淀积阻挡层,采用lift-off工艺剥离光刻胶,留下衬底表面的阻挡层。最后进行干法或湿法刻蚀工艺,形成图形化衬底。如此可以解决曝光视场之间产生拼接误差,图案拼接部分发生形变,影响HBLED的发光效率的问题。

    高同源度多基因家族的表达谱的构建方法

    公开(公告)号:CN101096667B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200710041192.0

    申请日:2007-05-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及高同源度基因家族中各个成员基因表达谱的构建方法。本发明将RT-PCR随机克隆与荧光实时定量PCR相结合,使用RT-PCR随机克隆获得各个成员基因的表达状态以及表达的基因的相对丰度,再使用实时荧光定量PCR获得各基因家族总体表达量,将两者结合得到基因家族所有成员基因的表达状态及各个表达的成员基因的表达谱的方法。本发明为多基因家族表达调控的研究提供了新的方法,同时也为禾本科作物醇溶蛋白含量的基因工程改造提供了理论指导。

    一种具有高热稳定性钛基高熵非晶合金的制备方法

    公开(公告)号:CN118685721B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202410714131.X

    申请日:2024-06-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有高热稳定性钛基高熵非晶合金的制备方法,属于高熵合金制备技术领域。本发明的钛钒锆铌钽钼硼高熵非晶合金薄膜,按摩尔份数记,包括以下化学成分:Ti 47.3份、V 25份、Zr 11份、Nb 14份、Ta 2份、Mo 0.5份和B 0.2份。制备方法包括以下步骤:按比例混合各化学成分,熔炼,得到高熵合金靶材:以单晶硅片为基底,采用磁控溅射的方法将所述高熵合金靶材溅射在单晶硅片表面,得到所述钛钒锆铌钽钼硼高熵非晶合金薄膜。本发明提供了一种高热稳定性高熵非晶合金薄膜的制备方法,解决了非晶合金的高强度在高温下不能保持的问题,具有优异的实用价值和研究价值。

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