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公开(公告)号：CN1218800C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN02137749.9
申请日：2002-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22D27/02
Abstract: 一种多梯度/多层自生梯度复合材料的电磁分离制备方法。采用电磁力和不同凝固速度方法控制凝固时具有多种(或一种)初生相析出合金的凝固过程，根据初生相与熔体本身的导电性差异和初生相析出的温度区间的不同，在电磁力场和温度场下使多种初生相在不同的温度区间内从熔体中分离，并在铸件内部呈多层分布，从而制备出具有不同增强相增强的(或一种增强相而分布不同的)多梯度/多层自生梯度复合材料。本发明工艺简单、灵活，可以通过改变电磁力的施加方式与大小，控制凝固速度方法，制备性能不同多梯度/多层自生梯度复合材料，来满足不同工况的实际需要。
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公开(公告)号：CN1175118C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN01132091.5
申请日：2001-11-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种去除铝硅合金中铁元素的电磁过滤方法，首先在共晶铝硅合金熔体中加锰，使铁元素在熔体中以初生富铁相形式析出，然后根据初生富铁相与熔体本身的导电性差异，在电磁力作用下使初生相从熔体分离的原理，采用电磁过滤初生富铁相的方法，降低铝硅合金熔体中铁的含量。电磁力施加方式可以采用稳恒磁场加直流电流或高频磁场。本发明工艺简单、灵活，具有高效、无污染、连续处理金属熔体等特点，并能进一步提高金属熔体的洁净度。
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公开(公告)号：CN1424159A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02157729.3
申请日：2002-12-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种共晶体增强奥氏体中锰钢电磁场制备方法，取材料成分为：1.2％－1.55％C，6.8％－7.5％Mn，1.0％－1.8％Si，＜0.038％P，＜0.025％S，＜0.025％O，其余为Fe，在氩气保护下，将材料在感应线圈中加热熔化，当合金液过热100℃后，控制合金的温度与磁感应强度，使合金液在1500～1400℃之间于磁场中作用5～10分钟，断电随炉冷却。本发明利用电磁场的加热搅拌作用，影响合金元素在凝固过程中的偏析及相的生成，从而改变奥氏体中锰钢中团球共晶体数量、形态与分布，提高共晶体颗粒增强奥氏体中锰钢的综合性能，方法简单，容易控制，制备时间短，成本低。
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公开(公告)号：CN1326829A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01113026.1
申请日：2001-05-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种加热铸型气膜连续铸造方法,在加热铸型出口处加石墨环,并通过石墨环上的进气孔和进油孔,在铸棒与铸型间注入润滑油和气体(氮气、氩气),在铸造条件下,在铸型与铸棒间形成气膜,使铸型与铸棒非接触,使凝固过程中固液界面可以控制在铸型内的石墨环范围内,避免产生杂晶和发生泄漏事故,提高了具有定向凝固组织和单晶组织铸棒内部质量和表面光洁度,增加连铸速度,提高生产效率。
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公开(公告)号：CN1311345A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN01105354.2
申请日：2001-02-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种团球状共晶体珠光体钢基自生复合材料,采用镁稀土硅铁合金、硅钙稀土合金、钛铁、电解铜、纯铝、硼铁等合金配制的变质剂,控制含碳1.5－2.2%,锰3.0－7.0%,硅1.0－2.5%,铬0.0－1.2%,硫0.01－0.19%,磷0.02－0.10%钢液的凝固过程,获得团球状共晶体增强相,通过正火处理获得具有珠光体基体的新型复合材料。这种新型复合材料具有优异的强韧性和耐磨性,可用于制造在中低应力冲击磨粒磨损工况下使用的易磨件。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN114260019B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111388442.4
申请日：2021-11-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J27/24 , C02F1/30 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种制备锂掺杂、钴负载的g‑C3N4光催化剂的方法；包括以下步骤：将废旧钴酸锂电池进行拆解获得正极片，然后进行热解处理获得正极材料；将得到的正极材料与三聚氰胺、尿素、单氰胺或二氰二胺混合后进行无氧焙烧处理，得到锂掺杂，钴负载的g‑C3N4光催化剂。本发明充分利用市场上的报废的锂离子电池材料制备高附加值的光催化剂，与常规的利用高纯度的金属盐制备掺杂及同时负载的g‑C3N4光催化剂的方法相比，具有成本低廉，工艺简单等优点。同时，本方法直接利用正极材料制备光催化剂，既实现了废物的再利用与环境保护，又实现了传统的g‑C3N4光催化剂性能的提高，具有重要的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN114822707A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210451713.4
申请日：2022-04-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于指纹图谱的城市矿产基地复杂污染源解析方法，通过对城市矿产基地内主要生产、运输、储存环节中所产生的污染物组分及含量进行分析，编制出各具体环节的污染物指纹图谱库，从而实现城市矿产基地污染源解析；包括以下步骤：调查城市矿产基地的生产现状；测定城市矿产基地各环节污染物组分及含量；筛选出各环节的特征污染物，构建对应的污染物指纹图谱，形成污染物指纹图谱库；对该基地或其周边某处环境样品进行组分和含量分析；对比获得的污染物指纹图谱库，对上一步中的待测环境样品进行溯源分析；根据污染物指纹图谱和该基地环境样品溯源分析结果，确认该基地环境样本中污染物的来源环节，并提出合理改进措施。
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公开(公告)号：CN112280986B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011138338.5
申请日：2020-10-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种从废旧LED电子器件中浸出镓、砷，并同时回收金属银的方法。将废旧砷化镓LED经过两次水热处理，降解去除LED所包含的两种封装材料，使得LED芯片暴露于水热液中，在不使用任何酸的条件下，实现镓和砷的浸出，同时得到LED的金属银引线。其中，在相对温和的条件下开展一次水热处理，用来去除LED所包含的白色封装塑料PPA，并得到LED的金属引脚与LED的透明封装材料，而后采用磁选的方法，得到LED的透明封装部分。然后将得到的LED透明封装部分进行二次水热处理，用以去除透明封装材料，水热液经过真空抽滤，分别得到银质金属引线以及镓、砷的浸出液。本发明还提出了所述方法在从废旧LED电子器件中浸出镓、砷，并同时回收金属银的应用。
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公开(公告)号：CN112280986A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011138338.5
申请日：2020-10-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种从废旧LED电子器件中浸出镓、砷，并同时回收金属银的方法。将废旧砷化镓LED经过两次水热处理，降解去除LED所包含的两种封装材料，使得LED芯片暴露于水热液中，在不使用任何酸的条件下，实现镓和砷的浸出，同时得到LED的金属银引线。其中，在相对温和的条件下开展一次水热处理，用来去除LED所包含的白色封装塑料PPA，并得到LED的金属引脚与LED的透明封装材料，而后采用磁选的方法，得到LED的透明封装部分。然后将得到的LED透明封装部分进行二次水热处理，用以去除透明封装材料，水热液经过真空抽滤，分别得到银质金属引线以及镓、砷的浸出液。本发明还提出了所述方法在从废旧LED电子器件中浸出镓、砷，并同时回收金属银的应用。
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