一种Pt-GFW/SiO2/n-Si异质结材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104882507B

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201510156307.5

    申请日:2015-04-03

    Applicant: 三峡大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种Pt-GFW/SiO2/n-Si异质结材料及其制备方法。采用化学气相沉积(CVD)法生长的石墨烯网(GFW)转移到n型硅(n-Si100)基片上后,形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光照射高铂酸溶液来负载铂纳米颗粒的方法,在GFW/n-Si器件表面负载铂纳米粒子。本发明的铂负载的石墨烯、硅太阳能电池在室温、100 mW/cm2的模拟太阳光源照射下,器件的开路光电压从474mV提升到545 mV、短路光电流从18.2 mA/cm2提升到19.6mA/cm2、填充因子从42.8%提升到51.2%以上,光电转换效率从3.69%提升到5.48%。采用该方法具有性能优越,价格低廉,制备简单且不同于之前文献中所报道的用硝基甲苯作为溶剂,而采用去离子水作为溶剂,是一种优异的提升可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件性能的方法。

    一种Pt-GFW/SiO2/n-Si异质结材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104882507A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510156307.5

    申请日:2015-04-03

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开了一种Pt-GFW/SiO2/n-Si异质结材料及其制备方法。采用化学气相沉积(CVD)法生长的石墨烯网(GFW)转移到n型硅(n-Si(100)基片上后,形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光照射高铂酸溶液来负载铂纳米颗粒的方法,在GFW/n-Si器件表面负载铂纳米粒子。本发明的铂负载的石墨烯、硅太阳能电池在室温、100mW/cm2的模拟太阳光源照射下,器件的开路光电压从474mV提升到545mV、短路光电流从18.2mA/cm2提升到19.6mA/cm2、填充因子从42.8%提升到51.2%以上,光电转换效率从3.69%提升到5.48%。采用该方法具有性能优越,价格低廉,制备简单且不同于之前文献中所报道的用硝基甲苯作为溶剂,而采用去离子水作为溶剂,是一种优异的提升可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件性能的方法。

    一种非对称超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104795243A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510057777.6

    申请日:2015-02-04

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明属于电容器的制备技术领域,涉及一种基于镍铁层状双金属氢氧化物的非对称超级电容器及其制备方法。本电容器包括正极极片、负极极片、电解液、隔膜以及封装膜;正极极片为氢氧化镍,基底为泡沫镍或钛片,其特征是负极活性材料为镍铁层状双金属氢氧化物,基底为泡沫镍或钛片,电解液采用氢氧化钠、氢氧化钾、硫酸钠或硫酸钾溶液。该非对称超级电容器的制备方法,包括正极极片、负极极片的制备,电解液的配置以及电容器的组装。该非对称超级电容器电压窗口较宽,比电容较高,循环性能好,制备方法简单易操作,成本低。在电子产品、交通运输、移动通信、航空航天和国防科技等领域有很大的应用前景。

    一种防冰、自清洁、辐射制冷多功能涂层的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119432202A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411374030.9

    申请日:2024-09-29

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有防冰、辐射制冷、自清洁效果的多功能涂层及其制备方法。涂层主要成分有:SiO2纳米颗粒、TiO2纳米颗粒、α‑磷石膏、环氧树脂(E51)、聚乙烯亚胺(PEI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)及其固化剂,采用简单的共混法制备浆料,并用刮刀法进行镀膜,即可制备出兼具防冰、辐射制冷、自清洁效果的多功能涂层。涂层的制备未使用含氟试剂,对环境友好,其自清洁特性可使其表面避免被外界污染从而保持稳定的防冰和辐射制冷性能。此外,该复合涂层在机械磨损试验、化学稳定性试验和户外耐候试验中表现出良好的耐久性。

    VO2/Ni3(VO4)2复合材料的制备方法及电化学性能的检测方法

    公开(公告)号:CN118156056A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410181486.7

    申请日:2024-02-18

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开了VO2/Ni3(VO4)2复合材料的制备方法及电化学性能的检测方法。首先采用一次水热法在泡沫镍基底上制备氢氧化镍前驱体;然后再利用二次水热法在氢氧化镍前驱体上合成VO2/Ni3(VO4)2复合材料,接着使用不同的电解液对电极材料进行电化学性能评价。同在10mA/cm2电流密度下,采用1M KOH与1M LiNO3混合电解液测试的容量也为3.67F/cm2,循环充放电10000次后,容量保持率仍然高达93%,这说明使用1M KOH与1M LiNO3混合电解液不仅让该电极材料保持在碱性环境下的容量,而且其循环稳定性得到很大的提升。

    一种具有超疏水性能的辐射制冷涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN116102928A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310118175.1

    申请日:2023-02-15

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开一种具有超疏水性能的辐射制冷涂层的制备方法,将N,N‑二甲基甲酰胺与四氢呋喃混合搅拌,形成DMF与四氢呋喃混合溶液;将聚偏氟乙烯溶解在混合溶液中;将聚二甲基硅氧烷与其固化剂SYLGARD 184 CURING AGENT加入到混合溶液中得到胶质混合溶液;将小粒径聚四氟乙烯颗粒、大粒径聚四氟乙烯以及气相二氧化硅颗粒加入到制备的混合溶液中,水浴中加热,得到混合浆料;采用刮涂法将基片表面涂满所制备混合浆料;刮涂镀膜后的基片在较低温度下定型,之后利用梯度法烘干,待烘干结束便可获得一种具有超疏水性能的辐射制冷涂层。这种辐射制冷涂层兼具良好的辐射制冷性能以及疏水性,且制备方法简单、成本低廉、使用方便和易于大规模使用等优点。

    硫化钼和磷掺杂协同活化碳酸羟基钴电极的方法

    公开(公告)号:CN115863067A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202310045893.0

    申请日:2023-01-30

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开了硫化钼和磷掺杂协同活化碳酸羟基钴电极的方法。首先在泡沫镍基底上制备碳酸羟基钴前驱体;然后采用水热法在CCHH表面负载硫化钼,得到CCHH/Mo‑S;接着对CCHH/Mo‑S进行磷化处理,得到CCHH/Mo‑S/P;最后采用计时电位法对CCHH/Mo‑S/P进行活化处理,得到最终产物CCHH/Mo‑S/P/A。CCHH/Mo‑S/P/A在40 mA/cm2的大电流下,反复充放电10000次后,容量保持率仍然高达85%及以上,说明硫化钼和磷掺杂共同辅助的活化策略不仅显著提升了CCHH的容量,而且得到的样品具有优异的循环稳定性。

    复合型具有超疏水辐射制冷的涂层材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114106691B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202111383955.6

    申请日:2021-11-19

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明涉及复合型具有超疏水辐射制冷的涂层材料,该超疏水辐射制冷的涂层材料从内到外依次为K层、P层,其中K层为γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷掺杂SiO2涂层,标记为KH‑570@SiO2,P层为聚二甲基硅氧烷掺杂SiO2涂层,标记为PDMS@SiO2,K层为2‑4层,P层为1‑3层。相较于单独PDMS/SiO2混合参杂型材料,本方法可将制备温度从400℃下降到175℃。在进行机械臂耐摩擦实验往返200次以后,疏水角从158.75°只下降到155°,滚动角从小于5°上升到大于10°。该超疏水薄膜相较于玻璃片,具有辐射制冷的优良特性,温度可以下降10°‾15°,是一种超疏水加辐射制冷的薄膜。

    Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O等级纳米线阵列电极材料

    公开(公告)号:CN113380553A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110568993.2

    申请日:2021-05-25

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开了一种Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O等级纳米线阵列电极材料的制备及活化方法,以泡沫镍为基底,硝酸钴为钴源,尿素为核剂,硫脲为硫源,采用水热法,得到等级阵列结构的Co3S4/Co(CO3)0.5(OH)·0.11H2O复合电极材料:即由直径约为20nm的纳米线交缠形成直径约100nm的纳米线,纳米线均匀生长在泡沫镍上形成阵列结构。这种由多根纳米线构成的特殊等级阵列结构,比仅由100纳米直径的纳米线构成的阵列提供更多活性位点,有利于获得更大的容量;比仅由20纳米直径的纳米线构成阵列的结构更稳定,在循环过程中不易坍塌。不仅如此,通过一定条件充放电处理,样品的离子传输电阻明显下降,容量进一步增大。

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