复合材料、其制造方法和锂离子二次电池用负极材料等

    公开(公告)号:CN114728797A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202080079629.3

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明的课题是提供一种能够作为锂离子二次电池的负极材料利用的复合材料。本发明的复合材料包含碳性材料和覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层,所述金属氧化物层以岛状散布的海岛结构覆盖所述碳性材料表面,并且所述金属氧化物层对所述碳性材料的覆盖率为20%以上且80%以下。另外,本发明的复合材料包含碳性材料、以及覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层和无定形碳层,所述金属氧化物层以岛状散布于所述碳性材料表面。本发明的复合材料包含碳性材料和覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层,所述金属氧化物层中存在厚度至少超过10nm的部分,所述金属氧化物的覆盖面积之中厚度为10nm以下的部分的面积比例为70%以上且99%以下,厚度超过10nm的部分的面积比例为1%以上且30%以下。此外,本发明的复合材料包含碳性材料、以及覆盖所述碳性材料表面的金属氧化物层和无定形碳层,在所述金属氧化物层中存在厚度至少超过10nm的部分,金属氧化物层的覆盖面积之中厚度为10nm以下的部分的面积比例为30%以上且70%以下,厚度超过10nm的部分的面积比例为30%以上且70%以下。

    磁传感器
    82.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审 转让

    公开(公告)号:CN114690086A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111340593.2

    申请日:2021-11-12

    Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的目的在于提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为:磁传感器(1)具备非磁性的基板、和设置于基板上的感应元件,所述感应元件包含初始磁导率为5000以上的非晶合金的软磁体层(101),并且,所述感应元件具有长边方向和短边方向,在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性,并通过磁阻抗效应来感应磁场。

    1,2,3,4-四氯丁烷的制造方法

    公开(公告)号:CN111212823B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201880066876.2

    申请日:2018-10-11

    Abstract: 本发明提供能够稳定且经济地制造1,2,3,4‑四氯丁烷的1,2,3,4‑四氯丁烷的制造方法。将含有3,4‑二氯‑1‑丁烯的反应液(1)加入到与该反应液(1)接触的内面由金属形成的反应容器(11)中,向所述反应液(1)导入氯气,使所述3,4‑二氯‑1‑丁烯与所述氯气进行反应,来制造1,2,3,4‑四氯丁烷,在这过程中含有一边进行以下操作、一边进行所述反应的步骤,所述操作为:将所述反应容器内(11)的反应液(1)的至少一部分取出过滤,从而除去所取出的反应液(1)中的固体物,将过滤后的反应液(1)返回到所述反应容器(11)中。

    卤化锌水溶液的制造方法

    公开(公告)号:CN110603227B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201880030077.X

    申请日:2018-04-25

    Abstract: 本发明提供由含有卤化锌的混合物制造高纯度的卤化锌水溶液的方法。卤化锌水溶液的制造方法具备下述工序:添加工序,在含有碳原子数3以下的醇、卤化锌和锌的混合物中添加水和卤化氢而获得混合液;以及蒸馏工序,将混合液进行蒸馏而将碳原子数3以下的醇从混合液中除去,而获得卤化锌水溶液。

    磁传感器
    87.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审 转让

    公开(公告)号:CN114651186A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202080077823.8

    申请日:2020-08-17

    Inventor: 筱龙德

    Abstract: 磁传感器(1)的特征在于,具有:多个感应元件(31),所述多个感应元件(31)由软磁体构成,具有长边方向和短边方向,在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性,通过磁阻抗效应感应磁场,所述多个感应元件在短边方向上隔着间隙排列;以及连接部(32),所述连接部(32)将在短边方向上相邻的感应元件(31)的长边方向上的端部连接,连接部(32)随着沿着长边方向接近感应元件(31)而短边方向上的宽度变窄。

    SiC单晶锭的制造方法
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111218716B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN201911139201.9

    申请日:2019-11-20

    Inventor: 藤川阳平

    Abstract: 本发明的SiC单晶锭的制造方法中,在坩埚的下部配置由高热传导率原料构成的高热传导率原料层,并在所述高热传导率原料层的上侧和下侧的至少一侧配置由低热传导率原料构成的低热传导率原料层,从而形成原料部,以原料部的最高温度处于所述高热传导率原料层中的方式进行加热,进行SiC单晶锭的生长。

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