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公开(公告)号：CN114945692B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202180009207.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 丰田通商株式会社
Abstract: 目的在于提供一种方法，用所述方法可以从原料为废料等的铝合金熔体中有效地除去Mg。本发明的金属除去方法包括形成与含有Mg的铝合金熔体接触的熔融盐层的处理步骤，所述熔融盐层覆盖所述铝合金熔体的表面的至少一部分。这种方法使得Mg从所述铝合金熔体被吸收至所述熔融盐层并被除去。所述熔融盐层含有特定卤族元素和特定金属元素，所述特定卤族元素是Cl或Br中的一种以上，所述特定金属元素是Cu、Zn或Mn中的一种以上。优选地将所述特定金属元素作为所述特定金属元素的氧化物供给至所述熔融盐层。此时，所述熔融盐层优选含有Mg。除去Mg的步骤优选通过设置将所述铝合金熔体与所述熔融盐层桥接的导体来进行。这能够增强Mg除去效率和所述特定金属元素的回收效率。
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公开(公告)号：CN117625958A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311076459.5
申请日：2023-08-24
Applicant: 泰星能源解决方案有限公司 , 国立大学法人九州大学 , 丰田通商株式会社 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够恢复从含有金属元素的矿石中浸出金属元素所使用过的低共熔溶剂的金属元素浸出能力的方法。这里公开的疏水性低共熔溶剂的再生方法包含：准备从含有金属元素的矿石中浸出金属元素所使用过的疏水性低共熔溶剂的工序、以及使上述疏水性低共熔溶剂与盐酸接触的工序。上述疏水性低共熔溶剂的氢键供体为含羧基化合物，且氢键受体为氯化盐。上述盐酸的使用量是相对于上述氢键受体1摩尔、氯化氢为1摩尔以上的量。
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公开(公告)号：CN115461501A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180028149.9
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的半导体衬底的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：在具有贯通孔(11)的基底衬底(10)上形成生长层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还是一种形成生长层(20)的方法，包括：在基底衬底(10)的表面上形成生长层(20)之前在基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。
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公开(公告)号：CN115398604A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028148.4
申请日：2021-03-30
IPC: H01L21/324 , C30B33/02 , C30B33/04 , B23K26/382 , H01L21/268 , C30B29/38
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够去除引入到氮化铝衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种氮化铝衬底的制造方法，其包括通过在氮气氛下对所述氮化铝衬底进行热处理而去除所述氮化铝衬底的应变层的应变层去除步骤。这样，本发明可以去除引入到氮化铝衬底中的应变层。
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公开(公告)号：CN115123007A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210263396.3
申请日：2022-03-17
Abstract: 本发明涉及电力调节系统和聚合装置。一种电力调节系统，其调节使用多个电气化车辆作为能量资源的虚拟发电厂中的电气化车辆的充电和放电电力。该电力调节系统包括：第一处理器，其被配置为基于电气化车辆中包括的每个单个电气化车辆的车辆信息来管理电气化车辆的充电和放电；以及第二处理器，其被配置为基于从第一处理器提供的充电和放电信息来控制电气化车辆与连接到配电网的多个充电器和放电器之间的充电和放电。该充电和放电信息基于每个单个电气化车辆的车辆信息生成，并且包括由电气化车辆构成的电气化车辆组的充电和放电约束和每个单个电气化车辆的充电和放电约束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114945436A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180009195.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 丰田通商株式会社
Abstract: 一个目的在于提供一种当从原料为废料等的铝合金熔体中除去Mg时使用的金属除去剂。本发明提供一种金属除去剂，用于形成从铝合金熔体中吸收Mg的熔融盐层。所述金属除去剂含有：特定金属元素，是Cu、Zn或Mn中的一种以上；特定卤族元素，是Cl或Br中的一种以上；以及Mg。所述金属除去剂还可以含有：基础卤化物，充当所述熔融盐层的基材；以及特定金属卤化物，是特定金属元素和特定卤族元素的化合物。所述特定金属元素是Cu、Zn或Mn中的一种以上，并且所述特定卤族元素是Cl或Br中的一种以上。当使用所述金属除去剂形成的熔融盐层与含有Mg的铝合金熔体彼此接触时，Mg从所述铝合金熔体侧被吸收至所述熔融盐层侧并被有效地除去。
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公开(公告)号：CN114424322A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080066201.5
申请日：2020-09-24
Inventor： 金子忠昭
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/04 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/10
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够减少去除应变层时的材料损失的、用于制造SiC衬底的新技术。本发明是一种SiC衬底(30)的制造方法，其包括：应变层薄化步骤(S1)，通过使SiC衬底体(10)的应变层(12)移动到表面侧来使应变层(12)变薄。这样，通过包括使应变层(12)移动(集中)到表面侧的应变层薄化步骤(S1)，可以减少去除应变层(12)时的材料损失(L)。
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公开(公告)号：CN114423888A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065953.X
申请日：2020-09-24
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。为了解决上述问题，本发明实现了一种半导体衬底的制造方法及其制造装置，所述半导体衬底的制造方法包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述原料体并在所述原衬底上形成生长层。通过采用这样的结构，本发明可以在多个原衬底各自中同时实现期望的生长条件，因而可以提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。
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公开(公告)号：CN114174566A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080018852.7
申请日：2020-03-03
Abstract: 本发明解决的问题是提供一种减少了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。此外，本发明解决的问题是提供一种去除了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并且加热所述主体容器(20)，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并且形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有蚀刻空间(S1)，所述蚀刻空间(S1)是在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成的。
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公开(公告)号：CN114174564A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080030894.2
申请日：2020-04-24
Inventor： 金子忠昭
IPC: C30B23/06 , H01L21/20 , H01L21/203 , C30B29/36
Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的半导体衬底的制造方法和制造装置。实现了一种半导体衬底的制造方法及用于该方法的制造装置，所述制造方法包括：设置步骤，将具有半导体衬底的多个被处理体以堆叠的方式设置；和加热步骤，对多个所述被处理体的每一个进行加热，使得在所述半导体衬底的厚度方向上形成温度梯度。
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