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    一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法
    71.
    发明公开
    一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法 有权

    公开(公告)号：CN108597974A

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：CN201810447449.0

    申请日：2018-05-11

    申请人： 苏州大学

    发明人： 范荣磊 ,  沈明荣 ,  董雯 ,  黄冠平

    IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J9/12

    摘要： 本发明公开了一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供n型单晶Si片，对n型单晶Si片的正反两面进行制绒，并对制绒面进行清洗；S2.在步骤S1制绒后的n型单晶Si片的正面制作硼掺杂的p+发射极，反面制作磷掺杂的n+发射极，然后刻蚀Si片的边缘，并进行清洗；S3.在步骤S2中硼掺杂的p+发射极面上依次沉积Al2O3和ITO薄膜层；S4.在步骤S2中磷掺杂的n+发射极面上依次沉积Al2O3薄膜层、Ti和Pt金属层。本发明基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法使得Si光阴极的光电流密度明显提高，具有较高的光解水效率，同时稳定性增强、使用寿命长。

    选择性降低可见光响应的日盲紫外光电阴极及其制备方法
    72.
    发明授权
    选择性降低可见光响应的日盲紫外光电阴极及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106876227B

    公开(公告)日：2018-08-24

    申请号：CN201710093179.3

    申请日：2017-02-21

    申请人： 北方夜视技术股份有限公司

    发明人： 李晓峰 ,  赵学峰 ,  褚祝军 ,  邱永生 ,  陈其钧 ,  陈虹亦 ,  杨振 ,  吴启坤

    IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J9/12

    摘要： 本发明公开了一种选择性降低可见光响应的日盲紫外光电阴极及其制备方法。所述制备方法在石英玻璃窗的表面蒸镀金属导电膜，金属导电膜上蒸镀碱碲阴极膜，阴极膜表面再蒸镀碲膜层，制备得到选择性降低可见光响应的日盲紫外光电阴极。本发明在不降低日盲紫外光电阴极紫外光响应的基础上，可以将其可见光响应降低，对可见光的阴极灵敏度降低了一个数量级。日盲紫外光电阴极可见光响应的降低，大大提高了日盲紫外像增强器或光电倍增管的性能。采用本发明的方法所制作的日盲紫外像增强器，应用于电晕探测器，对同样的探测目标(如电晕放电)，探测距离较原有的日盲紫外像增强器可以提高约20％。

    一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法
    73.
    发明公开
    一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法 无效

    公开(公告)号：CN107731642A

    公开(公告)日：2018-02-23

    申请号：CN201711005738.7

    申请日：2017-10-25

    申请人： 济南大学

    发明人： 付小倩 ,  杨明珠 ,  李阳 ,  李志明 ,  马骏 ,  艾贻博

    IPC分类号： H01J9/12 ,  H01J1/34

    CPC分类号： H01J9/12 ,  H01J1/34

    摘要： 本发明公开了一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法，包括如下步骤：(1)表面化学清洗；(2)热碱清洗；(3)刻蚀清洗；(4)Ar+溅射：将经过刻蚀清洗的AlGaN光电阴极进行Ar+溅射，溅射的时间为0.5-1.5分钟；(5)高温热清洗：将经过Ar+溅射的AlGaN光电阴极在700-720℃下进行清洗，清洗时间不少于30分钟，即获得AlGaN光电阴极原子级清洁表面。本发明通过将多种AlGaN光电阴极表面清洁操作有机组合，有效提高了AlGaN光电阴极表面的清洁效果，从而获得原子级清洁表面。

    一种石墨烯光阴极及其制备方法
    77.
    发明授权
    一种石墨烯光阴极及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104465264B

    公开(公告)日：2017-03-08

    申请号：CN201410610300.1

    申请日：2014-11-03

    申请人： 华中科技大学

    发明人： 刘雨昊 ,  魏合林 ,  朱大明 ,  任宽 ,  袁利利

    IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  C01B32/184

    摘要： 本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第3步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第4步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度，从而极大提高光阴极的透光性、稳定性、光电转换效率、导电性、结构强度、光阴极灵敏度以及宽频带响应平整度。

    一种石墨烯光阴极及其制备方法
    78.
    发明公开
    一种石墨烯光阴极及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104465264A

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：CN201410610300.1

    申请日：2014-11-03

    申请人： 华中科技大学

    发明人： 刘雨昊 ,  魏合林 ,  朱大明 ,  任宽 ,  袁利利

    IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J9/12 ,  C01B31/04

    CPC分类号： H01J1/34 ,  C01B32/182 ,  C01B2204/22 ,  C01B2204/26 ,  H01J9/12 ,  H01J2201/34

    摘要： 本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第3步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第4步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度，从而极大提高光阴极的透光性、稳定性、光电转换效率、导电性、结构强度、光阴极灵敏度以及宽频带响应平整度。

    光电阴极、电子管以及光电倍增管
    79.
    发明授权
    光电阴极、电子管以及光电倍增管 有权

    公开(公告)号：CN101859672B

    公开(公告)日：2015-01-21

    申请号：CN201010157693.7

    申请日：2010-04-02

    申请人： 浜松光子学株式会社

    发明人： 山下真一 ,  渡边宏之 ,  小宫山广志

    IPC分类号： H01J1/34 ,  H01J29/38 ,  H01J40/06

    CPC分类号： H01J1/34 ,  H01J31/50 ,  H01J31/506 ,  H01J40/06

    摘要： 本发明涉及光电阴极、电子管以及光电倍增管。在光电阴极(1A，1B)中，由含有La2O3的结晶性材料形成的基底层(200)被设置于支撑基板(100A，100B)与光电子放出层(300)之间并接触于光电子放出层(300)。由此，在例如光电阴极(1A，1B)的制造工序中的热处理时，可以抑制包含于光电子放出层(300)的碱金属向支撑基板(100A，100B)侧的扩散。此外，推测该基底层(200)的功能为使在光电子放出层(300)产生的光电子e-中朝向支撑基板(100A，100B)侧的光电子的行进方向反转为其相反侧。