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    一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用
    73.
    发明公开
    一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN118724588A

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN202410773066.8

    申请日：2024-06-17

    申请人： 武汉理工大学

    发明人： 黄端平 ,  毛万紫 ,  徐庆 ,  张枫

    IPC分类号： C04B35/493 ,  H10N30/853

    摘要： 本发明属于压电陶瓷材料技术领域，公开了一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明低温烧结PZT基压电陶瓷材料的化学组成为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3+a％LBPBSC，其中，LBPBSC为纳米级PbO‑B2O3‑SiO2‑Li2O‑Bi2O3‑CuO玻璃粉，LBPBSC中PbO、B2O3、SiO2、Li2O、Bi2O3、CuO的摩尔比为(35～40):(10～15):(5～8):(10～15):(10～12):(5～10)，LBPBSC的质量为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3质量的a％，0.5≤a≤0.6。本发明材料能够在低于900℃的温度下烧结，烧结后致密度高，具有优异的电学性能，满足压电陶瓷元器件的应用需求。

    高温极化获得的高压电性能铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷
    74.
    发明授权
    高温极化获得的高压电性能铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷 有权

    公开(公告)号：CN116444268B

    公开(公告)日：2024-09-17

    申请号：CN202210017463.3

    申请日：2022-01-07

    申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

    发明人： 董显林 ,  陈政燃 ,  梁瑞虹

    IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明涉及一种高温极化获得的高压电性能铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷。所述铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷的原料组分及其摩尔百分比含量为：以Pb(Sb1/2Nb1/2)aZrbTicO3为基础，外加x mol%的ZnO，其中a=0.02～0.06、b=0.47～0.53、c=0.47～0.53且a+b+c=1，x=0.2～0.8。所述铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法包括以下步骤：（1）配料；（2）合成；（3）细磨；（4）造粒；（5）成型；（6）排塑；（7）烧结；（8）披电极；（9）高温极化。

    一种锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法
    75.
    发明授权
    一种锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN116354718B

    公开(公告)日：2024-07-02

    申请号：CN202310323698.X

    申请日：2023-03-29

    申请人： 南京理工大学

    发明人： 汪尧进 ,  房泽 ,  王佳佳 ,  王书豪 ,  李响 ,  丁冠中

    IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明涉及一种锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明所述锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为xPb(In1/2Nb1/2)O3–0.04Pb(Mn1/3Sb2/3)O3–(0.96‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3，其中0.0≤x≤0.1。本发明以三元系陶瓷锑锰‑锆钛酸铅为基体，引入第四组元Pb(In1/2Nb1/2)O3，成功制备了同时具备高机械品质因数、高机电耦合系数和高压电性能的综合性能优异的适合大功率谐振器件的四元系铅基压电陶瓷材料。

    一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法
    78.
    发明公开
    一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN117326866A

    公开(公告)日：2024-01-02

    申请号：CN202311629620.7

    申请日：2023-12-01

    申请人： 山东利恩斯智能科技有限公司

    发明人： 郇正利 ,  费璇 ,  曹光利 ,  黎超逸

    IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

    摘要： 本发明涉及一种铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。所述压电陶瓷的化学组成为Pb0.98La0.02(Zr0.54Ti0.43Nb0.03)O3+xwt%CeO2+ywt%MnCO3，0.15≤x≤0.45，0＜y≤0.1，其中Pb0.98La0.02(Zr0.54Ti0.43Nb0.03)O3为基体陶瓷粉体，x表示CeO2占基体陶瓷粉体的质量百分比，y表示MnCO3占基体陶瓷粉体的质量百分比，可简写为PLZTN+xwt%Ce+ywt%Mn。本发明还提供了该压电陶瓷的制备方法。本发明提供的铈锰共掺的锆钛酸铅基压电陶瓷通过铈锰复合掺杂使该PZT基陶瓷的压电系数和机械品质因数均得到了改善，同时具有优异的压电性能、较低的损耗和良好的应变温度稳定性，以及良好的机械品质，在高性能压电器件的制备上具有十分广阔的应用前景，是大功率压电器件领域在优良候选材料。

    一种高压电系数的PMNZT基压电陶瓷及其制备方法和应用
    79.
    发明授权
    一种高压电系数的PMNZT基压电陶瓷及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN115894020B

    公开(公告)日：2023-12-19

    申请号：CN202211661997.6

    申请日：2022-12-23

    申请人： 佛山仙湖实验室

    发明人： 郝华 ,  郭庆虎

    IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/853 ,  H10N30/092 ,  H10N30/097

    摘要： 本发明属于压电陶瓷技术领域，公开了一种高压电系数的PMNZT基压电陶瓷及其制备方法和应用。本发明高压电系数的PMNZT基压电陶瓷通过选择性能优异的铌镁酸铅‑锆酸铅‑钛酸铅三元陶瓷为基体，并在A位引入比Pb离子半径略小的三价离子，引起晶格畸变，增强陶瓷的弛豫特征，从而获得更高的介电和压电性能；该压电陶瓷的正压电系数d33高达1040pC/N，逆压电系数d33*高达1310pm/V，介电常数ε33为4530‑6460，介电损耗tanδ＜0.03，平面机电耦合系数kp＞0.70，并且该压电陶瓷的制备工艺简单，具有广(56)对比文件Shujun Zhang等.ElectromechanicalProperties of PMN–PZT PiezoelectricSingle Crystals Near Morphotropic PhaseBoundary Compositions.Journal of theAmerican Ceramic Society.2007,第90卷(第12期),3859-3862.Zexiong Qiu等.characteristics andstructure of Mn doped 0.6xPMT-0.4PT-xPZ(x=0.2、0.25) ternary system nearmorphotropic phase boundary).journal ofmaterials science：materials inelectronics.2018,第29卷(第16期),14261-14266.詹志洪.稀土在功能陶瓷新材料中的应用及市场前景.世界有色金属.2004,(10),21-24.李强;夏志国;斯琴毕力格.Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3陶瓷在准同型相界附近的结构与性能研究.稀有金属.2009,(01),47-51.