公开(公告)号：CN1204024C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN00811332.7

申请日：2000-08-04

Applicant: S·C·流体公司

Inventor： 詹姆斯·特塞奥尼斯 ,  黑科·莫端特兹 ,  莫汉·查安德瑞 ,  罗伯特·法默尔 ,  伊杰兹·杰弗里 ,  乔纳森·托伯特

IPC: B65D55/00

CPC classification number: H01L21/67126 ,  B01J3/008 ,  B01J3/06 ,  H01L21/67751

Abstract: 一种需要在清洁的操作过程中使用并在逐渐升高的压力和温度下操作的压力容器，包括：开式支撑框架；固定在所述开式支撑框架上的倒置压力容器；垂直移动的下面盖板；在向上与所述倒置压力容器闭合的位置和向下与所述压力容器开启的位置之间移动所述盖板的装置；机械锁定系统；防护装置，用来将所述操作环境与所述移动所述盖板的装置和所述锁定系统隔离；以及给所述压力容器施加热量的装置。

公开(公告)号：CN1189273C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN00811454.4

申请日：2000-07-20

Applicant: 弗洛霍丁斯SAGL公司

Inventor： 卡尔·贝里曼 ,  卡尔-埃里克·林德霍尔姆

IPC: B22F3/15

CPC classification number: F27B17/00 ,  B01J3/06 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/153 ,  B30B11/002

Abstract: 一种用于高温等静压的装置，包括压力容器(1)，设置在压力容器(1)中的隔热外壳，被外壳(4)封闭并设置在外壳中的炉腔(3)，放置被压制物体(6)的装料室(5)，在装料室(5)和外壳(4)的内顶(10)之间的控制装置(11)，它决定了在其本身和所述内顶(10)之间的空间(12)，控制装置(11)被设置用来控制压力介质从装料室(5)向所述空间(12)流动，并从那里流动到靠近外壳(4)的侧壁(19)的区域内，所述控制装置(11)包括至少一个开口(13)，开口(13)允许压力介质从装料室向所述空间的所述流动。开口(13)露出到所述空间(12)内并达到一个高度，该高度高于位于外壳(4)的侧壁(19)附近的区域中的控制装置(11)的周边部分(14)所处的高度。

公开(公告)号：CN1427090A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02151890.4

申请日：2002-10-02

Applicant: 新东工业株式会社

Inventor： 加藤龙彦

IPC: C22F1/04 ,  C22F1/06

CPC classification number: B22C9/105 ,  B01J3/06 ,  C22F1/04 ,  C22F1/043 ,  C22F1/06

Abstract: 通过使用热等静压工艺来减少轻合金铸件中气孔的方法，包括的步骤是：在比轻合金铸件液相出现的温度低5－100℃的温度下加热轻合金铸件，和采用液压介质压制已加热的轻合金铸件，进而减少其中存在的气孔。

公开(公告)号：CN1371462A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN00812047.1

申请日：2000-09-20

Applicant: S·C·流体公司

Inventor： 詹姆斯·特塞奥尼斯 ,  黑科·莫瑞特兹 ,  莫汉·查安德瑞 ,  伊杰兹·杰弗里 ,  乔纳森·托伯特

IPC: F26B3/00

CPC classification number: H01L21/67126 ,  B01J3/008 ,  B01J3/06 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种在第二超临界操作流体环境中制备及干燥晶片(15),包括微观电子机械系统(MEMS)结构的方法和装置。装置使用与操练机操作流体供应和回收系统连接的倒置压力容器(11),带有与外部加热和冷却源连接的内部热交换器(9),压力容器用可垂直移动的基板(10)关闭。构建用来支持多个晶片(13)的晶片盒(14)浸没在盛装容器(12)的第一操作流体中,其安装在基板(10)上,用来向上插入到压力容器(11)中。压力容器(11)入口管(2)和出口管(5)从压力容器(11)的顶垂直向下延伸到接近基板(10)。盛装容器(12)入口管(1)和出口管(4)从压力容器(11)的顶垂直向下延伸到盛装容器(12)内并接近盛装容器(12)的底。

公开(公告)号：CN1057869A

公开(公告)日：1992-01-15

申请号：CN91104585.6

申请日：1991-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 威廉·F·班霍尔泽 ,  托马斯·R·安东尼 ,  丹尼斯·M·威廉斯

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/02 ,  B01J3/06 ,  B01J2203/0655 ,  C23C16/27 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明涉及一种由同位素纯的碳-12和碳-13所组成的单晶金刚石的制造方法。在本发明中，同位素纯的单晶金刚石是直接由同位素纯的碳-12或碳-13在一个单晶基体上形成的。