公开(公告)号：CN116469759A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310150818.0

申请日：2023-02-22

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李伯昌 ,  刘艳 ,  张嘉豪 ,  杨学峰 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L21/308 ,  B24B29/02 ,  B24B57/02 ,  H01L21/306

Abstract: 一种利用氟基等离子体预处理氧化镓的化学机械抛光法，采用常压的氟基等离子体对氧化镓表面进行预处理，形成氟化镓保护层；对带有氟化镓保护层的氧化镓表面进行时间可控的化学机械抛光；与现有技术相比，本发明可避免氧化镓表面产生腐蚀坑，增大粗糙度，同时防止镓‑氧键直接受到机械应力，避免了氧化镓发生解理。

公开(公告)号：CN114927572A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210385996.7

申请日：2022-04-13

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘艳 ,  姚育鹏 ,  周久人 ,  张洪瑞 ,  补钰煜 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 一种铁电掺杂正反馈场效应晶体管器件，包括衬底、埋氧层、沟道层和绝缘层，在所述绝缘层上布设铁电介质层，在铁电介质层上设置具有距离间隔的靠近漏端的编程栅极(PG)和靠近源端的编程栅极，通过对编程栅极施加脉冲完成铁电非易失掺杂，获得可编辑的半导体沟道能带结构，构建正反馈机制，实现超陡峭亚阈值特性，并兼具数据的存储与计算功能；其中，所述靠近漏端的编程栅极与漏极之间以靠近漏端的侧墙掩蔽，所述靠近源端的编程栅极与源极之间以靠近源端的侧墙掩蔽；本发明还提供了该器件的制备方法。基于本发明，可同时获得超陡峭亚阈值特性和存算一体功能，从而突破工作电压和数据输运所导致的能耗性能瓶颈。

公开(公告)号：CN114725124A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210176047.8

申请日：2022-02-24

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘艳 ,  周久人 ,  闫钦元 ,  冯雯静 ,  郑思颖 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L27/1159 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构，包括：衬底；第一隔离层，设置在所述衬底的上表面；沟道层，所述沟道层设置在所述第一隔离层的上表面，包括本征区和掺杂区，所述掺杂区的上表面与所述沟道层的上表面齐平；第一电极层，设置在所述本征区的上表面；第二电极层，设置在所述掺杂区的上表面；铁电层，设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，并且覆盖所述第一电极层的部分上表面；以及第三电极层，所述第三电极层设置在所述铁电层和所述第二电极层的上表面。本发明的半导体结构利用铁电肖特基隧穿结优异的单向导电特性，并通过铁电层控制铁电肖特基隧穿结宽度来实现器件的开关及存储，使得开关控制具有良好非易失性阻抗特性和单向导电性。

公开(公告)号：CN219575647U

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202222555071.0

申请日：2022-09-22

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  贾晓乐

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

Abstract: 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，具体公开了一种氧化镓肖特基二极管，包括衬底层、阴极金属层、导电漂移层和阳极金属层，所述阴极金属层设置于所述衬底层底面；所述导电漂移层设置于衬底层的顶面；所述阳极金属层设置于导电漂移层的顶面；其中，所述导电漂移层中具有多个横向排列且有一定间隔的埋层，埋层的掺杂类型与导电漂移层相反。本实用新型可以提高氧化镓肖特基二极管的击穿电压，从而提高氧化镓肖特基二极管的PFOM，且只略微提高特征导通电阻。

公开(公告)号：CN218548443U

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202222705811.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 韩根全 ,  贾晓乐

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种氧化镓肖特基二极管，其自下至上包括阴极金属、衬底、n型Ga2O3外延层和阳极金属，还包括SiO2保护环和SiO2场板，SiO2保护环贯穿n型Ga2O3外延层，且其上、下表面与n型Ga2O3外延层的上、下表面平齐，阳极金属的外径小于SiO2保护环的外径；SiO2场板为环形，设于SiO2保护环的上方，位于阳极金属的外周，其内周壁嵌入阳极金属，且其外径小于n型Ga2O3外延层的外径；n型Ga2O3外延层自下至上包括掺杂浓度依次递减的第一导电漂移层、第二导电漂移层。本实用新型通过将SiO2保护环厚度设置为与n型Ga2O3外延层一致，和优化n型Ga2O3外延层的掺杂浓度分布，使得在保持特征导通电阻的同时提高击穿电压，从而提高二极管的功率品质因子。