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公开(公告)号：CN105789906A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610120954.5
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
CPC classification number: H01Q15/0026 , H01Q15/0046
Abstract: 该发明公开了一种2D相位梯度的超表面复合结构，属于微波技术电磁散射控制领域。该结构包括：金属底板、位于金属底板上的中间介质层、位于介质层上周期分布的金属贴片层；所属金属贴片层包括阵列分布的周期单元；所属周期单元为2×2的网格结构，其特征在于每个网格内阵列分布有金属贴片，每个网格内的金属贴片尺寸沿阵列的横向或纵向渐变，所属周期单元中相邻网格内的金属贴片尺寸渐变方向相反。本发明主瓣峰的偏移重置了镜向的散射场能量到其它方向，甚至能够将入射平面波直接转化为表面波在超结构面内传输，能够更加智能的控制电磁波方向，从而使得镜向散射及边缘散射得到较好控制，且施工工艺简单可靠，容易实现。
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公开(公告)号：CN104852156A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510154660.X
申请日：2015-04-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明提供一种新型宽带电磁波极化调控电磁结构，用于解决现有极化调控电磁结构极化转换带宽较窄、极化转换效率低下以及结构厚度较大等问题，且当电磁波入射角度发生改变时，结构的极化调控能力变差和转换带宽变窄的问题。本发明新型宽带电磁波极化调控电磁结构，包括3层，底层为金属平板，中间层为介质基板，表层为一层周期性金属椭圆环；所述周期性金属椭圆环层的周期为7.0～11.0mm，金属椭圆环的尺寸为：外椭圆长半轴为3.5～6.5mm、短半轴为0.8～1.6mm，内椭圆长半轴为1.8～2.2mm、短半轴为0.3～0.6mm。本发明结构在厚度、转换带宽、转换效率和入射角度上都优于传统的极化调控电磁结构。
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公开(公告)号：CN104716440A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510138232.8
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种多层图形化磁性薄膜电磁吸波体。该吸波体，底层为金属平板，底层以上为正方形柔性衬底和图形化磁性薄膜的多层堆叠复合单元结构；其中正方形柔性衬底和磁性薄膜中心重合，磁性薄膜单元为边长小于衬底的正方形，二者构成回字形图形化结构。多层堆叠复合单元结构的总厚度不超过0.5mm，磁性薄膜的单元边长A≤1cm，磁性薄膜与柔性衬底的间隙为R，柔性衬底厚度为D，膜隙比10:5≤A/R≤15:1。其中柔性衬底的相对介电常数为2.5，相对磁导率为1。本发明具有：工艺简单，可操作性强，成本较低，延展性好，可以直接与橡胶贴片复合的优点。
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公开(公告)号：CN104538744A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410720282.2
申请日：2014-12-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种应用于金属圆柱体的电磁硬表面结构及其构建方法，本发明涉及一种在特定频带内可加强电磁波传播的电磁硬表面结构及其构建方法，属于微波技术领域。该电磁硬表面结构由磁性介质层和相距宽度为g的矩形金属贴片沿磁性介质层长边方向依次排列组成的金属贴片层构成。磁性介质层完全覆盖金属贴片层底部，厚度为d，宽度为l，长度为h；金属贴片宽度为w，长度为l；exp(4πd/(w+d))＞1，g/w＜0.2，(w+g)/λ0＜0.25，λ0＝c/f0，l＝2π(r+d)，h＝n×(w+g)-g，n≥4，n为正整数，λ0为自由空间中入射波的工作波长，c为自由空间中光速，f0为自由空间中入射波的工作频率。所述电磁硬表面结构应用时加载于金属圆柱体侧表面。本发明可直接应用于减小金属圆柱体对电磁波的前向散射。
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公开(公告)号：CN103985967A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410197930.0
申请日：2014-05-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于吸波泡沫和渐变阻抗条复合加载的边缘散射抑制方法。本发明属于电子材料技术领域，特别涉及电磁波边缘散射抑制结构及其设计实现。整形：在距离金属目标体前缘,沿长轴方向的0.5-4倍入射波波长处，沿长轴轴线的垂直方向切去金属目标体；然后在整形后的金属目标体上加载吸波泡沫，使其恢复整形前的外形；最后在吸波泡沫上下表层分别完全覆盖渐变阻抗条，渐变阻抗条的阻抗从与金属目标体接触的位置到金属目标体前缘阻抗逐渐变大。本方法能够有效降低金属目标体的边缘散射；通过合理调整吸波泡沫的相对介电常数，能控制不同极化下的边缘散射；与目标边缘外延伸阻抗条加载设计的方法相比，该方法具有一定的机械强度，易于在实际工程中的应用；工艺简单、可操作性强，易于推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116259978B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310202857.0
申请日：2023-03-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L27/34
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种基于SAM‑OAM耦合的宽带低RCS超表面设计方法。本发明基于几何相位实现宽带覆盖2π相位的M种基本单元，改变电磁波的波前相位，构成形成涡旋超表面；同时由入射的圆极化平面波经过涡旋超表面反射，圆极化入射波携带的SAM与涡旋超表面产生的OAM耦合叠加，实现反射电磁波波前相位exp(ilφ)的螺旋分布特性和相位奇点。本发明通过超表面反射的涡旋波具有“中心空洞”的特征，这一典型特征由涡旋波的相位奇点所引起，从而反射波中心的电场幅值为零，并且基本单元的宽带设计，最终实现了兼具宽带范围内低RCS特征的超表面结构，在微波领域具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN119767658A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411959299.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种宽带侧壁图形化吸波蜂窝结构。本发明通过将条形电阻膜以其宽度相等间隔，并与蜂窝孔径Z方向成夹角平行满布蜂窝单元内壁的设计方式，最终在蜂窝单元内壁形成电阻膜条纹的类螺旋结构设计，有效地改善了吸波蜂窝结构等效介电常数的各向异性，进而使得该结构极化不敏感；并且该结构设计在加工时，因工艺精度导致图形错位的影响极小。而且类螺旋结构设计使其沿着孔径方向形成交替阻抗，进而在入射波入射后因条形电阻膜的设置角度使其在蜂窝孔内壁形成更多次的反射吸收，有效地改善了在宽带范围内与空气的阻抗匹配，从而实现2～18GHz超宽带吸波性能。
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公开(公告)号：CN119218405A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411345484.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子材料技术及雷电防护领域，特别涉及一种兼容防雷/边缘散射控制的渐进阻抗薄膜材料。本发明基于法拉第笼概念的被动防护方法应用到典型边缘散射抑制结构的雷击防护中，采用整个全覆盖的周期性镂空阻抗膜覆着于典型边缘散射抑制结构表面，通过计算设置各个镂空图形的参数值不对原本的电性能产生负面影响，而防雷渐进的阻抗薄膜能有效的导走注入在目标体的雷电流，使得雷电流顺利流入导体很好的保护了在其下方的吸波材料，达到很好的防雷效果，使得防雷击的效果能够同时兼备。本发明工艺简单、可操作性强、易于工业化实施，适合推广。
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公开(公告)号：CN115411528B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210866571.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，涉及一种基于OAM的低RCS超表面结构设计方法。本发明基于人工电磁超表面，利用其特殊的电磁性能，设计覆盖2π相位的基本单元结构，改变电磁波的波前相位，构成形成涡旋波的电磁结构超表面。并通过超表面引入产生涡旋波束所需的相位补偿，使得反射后的涡旋波束具有“中心空洞”(零辐射)的特征，这一典型特征由涡旋波的相位奇点所引起，从而反射波中心的电场幅值为零，利用这一特征，以极大的减小超表面的RCS，在微波领域具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN115360523B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210870683.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种基于奇点相消的低RCS超表面结构设计方法。本发明基于人工电磁超表面，利用其特殊的电磁性能，设计覆盖2π相位的基本单元结构，改变电磁波的波前相位，构成形成涡旋波的电磁结构超表面。其中，OAM采用平面波进行相位补偿实现带有奇点的涡旋波，具有极低RCS特征；并通过优化设计相位梯度，得到具有完全相反的正负奇点的一对OAM，再组合；利用两个相反方向的涡旋波相消的特征，使得平面波在垂直入射的条件下，实现了工作频点的单站RCS减缩，从而有效控制目标体的电磁散射，取得极低RCS，为RCS减缩技术提供了新的思路和方法，在微波领域具有广阔的发展前景。
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