-
公开(公告)号：CN220918518U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202322236555.3
申请日：2023-08-18
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种过滤装置和晶体生长设备。过滤装置包括过滤管和过滤件；过滤管的第一端设有第一开口，过滤管的第二端设有第二开口，过滤管内设有过滤区，过滤区位于第一开口与第二开口之间，过滤区具有入口和出口，入口朝向过滤管的内壁设置并向第一开口倾斜，入口与第一开口连通，出口朝向过滤区管的内壁设置并向第二开口倾斜，出口与第二开口连通；过滤件设置在过滤区，过滤件分别与入口和出口连通；过滤管用于设置在晶体生长区，第一开口用于朝向原料堆放区设置，第二开口用于朝向籽晶连接区设置。如此能够较少晶体碳包裹物的产生，从而保障碳化硅晶体的生长速度和产品品质。
-
公开(公告)号：CN220183429U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202320315569.1
申请日：2023-02-08
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本申请涉及一种碳化硅单晶生长坩埚。该碳化硅单晶生长坩埚包括盖体、底壁、侧壁以及由盖体、底壁和侧壁围合成的腔体，腔体包括原料腔体和生长腔体，原料腔体与生长腔体连通，设置在原料腔体中的若干导热片，导热片的侧边与坩埚的侧壁连接，导热片的底边与坩埚的底壁连接，在原料腔体的径向方向，导热片被配置为向原料腔体中部延伸且未延伸至料腔体中轴线，在原料腔体的轴向方向，导热片被配置为向生长腔体方向延伸。通过上述方式，本申请提供的碳化硅单晶生长坩埚能将热量跨过原料碳化区，传导原料中部，提高原料的利用效率。
-
公开(公告)号：CN219725815U
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202222818846.9
申请日：2022-10-25
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B49/16
摘要： 本申请公开了一种研磨调整器及研磨修正轮。该研磨修正轮包括若干毛刷区和若干丸片区，毛刷区和丸片区沿研磨修正轮表面周向间隔设置。通过上述方式，本申请提供的研磨修正轮能同时对研磨垫进行刷洗和修正，提高了对研磨垫的调整效率。
-
公开(公告)号：CN219526866U
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202320143722.7
申请日：2023-01-18
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构和晶体生长设备。坩埚结构包括坩埚体，坩埚体内包括用于容纳碳化硅粉料的原料腔室；坩埚盖，坩埚盖盖设于坩埚体；以及至少两个环状装置，环状装置位于原料腔室内，环状装置的外壁均抵持在坩埚体的内壁上，环状装置的环面上均开设有多个沿轴线方向贯穿的微孔；多个环状装置沿轴线方向间隔布置；沿坩埚体到坩埚盖的方向，相邻的多个环状装置的内径具有增大趋势。如此能够对晶体生长过程中更易碳化的边缘粉料处进行针对性阻挡，来有效过滤所产生的微小碳颗粒，降低碳化硅单晶中的碳包裹物，同时能最大程度减小对正常粉料升华气氛输运的影响，提高碳化硅单晶晶体质量。
-
公开(公告)号：CN219297699U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202320261057.1
申请日：2023-02-20
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本实用新型涉及晶体生长技领域，具体而言，涉及一种烧结装置。烧结装置包括坩埚体；坩埚体形成筒状的烧结室；坩埚盖，坩埚盖盖设于坩埚体；加热器，加热器设置在坩埚体的周侧；以及多个原料载具，原料载具用于承载颗粒状碳化硅原料；沿坩埚体的高度方向，多个原料载具依次层叠地设置在坩埚体的烧结室内。如此能够改善现有碳化硅在晶体生长过程中由于原料中杂质而影响晶体质量的情况，同时能够稳定晶体的电阻率不受原料杂质影响，减少晶体生长过程出现DSSF现象；还能够有效改善底部碳化原料随着原料装填的缝隙中逸出减低碳包裹的产生。
-
公开(公告)号：CN218666401U
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202222874670.9
申请日：2022-10-28
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本实用新型提供了一种用于外延生长装置的晶圆载具及包括该晶圆载具的外延生长装置，该晶圆载具包括：底座，具有中心槽；载盘，其设在底座的中心槽内，且用于承载晶圆；以及座盖，其设在底座上，且具有能够容纳晶圆的中心孔。其中，在底座上设有围绕中心槽布置的若干通孔。该晶圆载具的底座不易发生形变，有效提高外延生长装置在碳化硅衬底上生长外延层的质量。
-
公开(公告)号：CN218461945U
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202222094932.X
申请日：2022-08-09
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本申请公开了一种夹持治具，用于固定待被测量的产品。该夹持治具包括：支撑台和设置在支撑台上的吸附装置，及至少一夹持装置。夹持装置部分地环绕吸附装置，夹持装置用于夹持产品；其中，夹持装置包括夹持板和连接板，连接板的连接端与夹持板连接，连接板的滑动端可滑动地设置在支撑台上，夹持板设有对位标记。由此可利用夹持装置的夹持板对产品的空间位置进行限定，并且可利用夹持板上的对位标记作为位置参考，从而可以方便调整产品相对于吸附装置的位置，并保证在产品位置的调整中及后续检测过程中产品不易掉落。另外，夹持板通过连接板可与支撑板滑动连接，不仅可方便操作者对产品的夹持和定位，还可使夹持治具适配不同尺寸的产品。
-
公开(公告)号：CN218169146U
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202222327891.4
申请日：2022-08-31
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： B23K31/02 , B23K37/04 , B23K101/32
摘要： 本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种焊线导线装置；焊线导线装置包括机架、焊线组件和夹持机构，焊线组件设置于机架，且用于收纳或释放焊线；夹持机构可滑动地设置于机架，且夹持机构用于夹持从焊线组件释放的焊线，并通过滑动使其夹持的焊线被拉紧。本实用新型的焊线导线装置能够提高焊线送线的稳定性，进而能提升焊接质量。
-
公开(公告)号：CN215147989U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121226936.8
申请日：2021-06-02
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本实用新型涉及化学机械抛光技术领域，具体而言，涉及一种抛光机；抛光机包括基盘、抛光垫、抛光头、温度传感器和水冷组件，抛光垫设置于基盘的第一端面；抛光头设置于抛光垫的上方，且抛光头用于设置待抛光的晶片，在晶片设置于抛光头的情况下，晶片位于抛光头和抛光垫之间；温度传感器设置于基盘，用于检测抛光垫的温度；水冷组件用于将冷却水输送至基盘的第二端面。本实用新型的抛光机能够改善抛光温度控制的误差和滞后性，提高控制的准确性和稳定性，进而改善抛光的质量和成功率。
-
公开(公告)号：CN214445578U
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202120473652.2
申请日：2021-03-04
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： B24B53/017 , B24B41/06 , B24B53/095 , B24B49/00
摘要： 本实用新型涉及晶体加工技术领域，具体而言，涉及一种载具修整装置和系统。一种载具修整装置，包括工作台、装夹组件、顶升组件以及修整组件；装夹组件及顶升组件均与工作台可活动地连接，装夹组件用于夹紧位于工作台上的载具，顶升组件用于顶升位于工作台上的载具；修整组件用于相对于工作台运动，以修整被装夹组件夹紧的载具的载具。该载具修整装置能够对载具被抛光液腐蚀的底部进行修整，从而使得载具能够正常使用，进而能够有效延长载具的使用寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
120 条记录 (耗时 0.052 秒)
