一种用于定位的发光装置及定位方法

    公开(公告)号:CN101446866A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810241412.9

    申请日:2008-12-19

    Abstract: 本发明提供一种用于定位的发光装置及定位方法。用于定位的发光装置,包括:发光模块(300),用于发出被光位置获取装置(800)获取并判断其相应位置的光;控制电路模块(200),为一处理单元,用于接收相应的数据进行处理并控制所述发光模块(300)工作;接触信号采集模块(100),用于把所受到的力转化为相应的电信号并传送到所述控制电路模块(200);通讯模块(400),用于所述控制电路模块(200)与外部设备的信息交换。与现有技术相比本发明的优点在于,能够以较低的成本实现了对显示屏交互式的输入,而且能够获得较为统一精确的接触的力的信息。

    单镜头立体投影装置及滤光色轮

    公开(公告)号:CN101271261A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810066862.9

    申请日:2008-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种单镜头立体投影装置,包括光源以及沿光源传播方向依次设置的滤光色轮、数字微镜芯片和投影镜头,滤光色轮用于周期性地滤过红、绿、蓝三种原色光,数字微镜芯片将三种原色光反射至投影镜头并经投影镜头的作用而成像,滤光色轮设置有分别对应于三种原色的三个偏振滤光单元,每一个偏振滤光单元包括偏振方向正交的两个偏振滤光片,轮流生成不同偏振态的单色偏振光。本发明同时公开了一种滤光色轮,包括分别对应于红、绿、蓝三种原色的三个偏振滤光单元,每一个偏振滤光单元包括偏振方向正交的两个偏振滤光片。采用本发明,可用一个镜头模块实现立体投影,结构简单,使用方便,且有利于设备的小型化。

    一种投影与摄像两用光学镜头模块

    公开(公告)号:CN101256264A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200810066327.3

    申请日:2008-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种投影与摄像两用光学镜头模块,包括与投影灯连接的数字微镜装置(简称DMD)芯片、朝向投影屏幕的变焦镜头,所述DMD芯片将投影灯发出的光反射到变焦镜头,最终投射在所述投影屏幕上实现投影,设有光电信号采集模块,所述变焦镜头对着外界景物摄取的图像经所述DMD芯片改变光路,最终在所述光电信号采集模块上成像实现摄像。与现有技术对比的有益效果是:本发明的光学镜头模块,通过摄像、投影功能光路的有机组合,使一个镜头模块兼具摄像与投影功能,与现有的分立光学镜头模块相比减少了一个镜头,具有结构紧凑、空间利用率高的优点。本发明的光学镜头模块可以广泛用于安装空间很有限、又需要兼具摄像与投影功能的各种实用产品。

    一种立式双温区-双通道化学气相沉积设备

    公开(公告)号:CN115094402B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202210726752.0

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本申请涉及化学气相沉积领域,具体而言,涉及一种立式双温区‑双通道化学气相沉积设备,包括:沉积炉,沉积炉内包括介质容置区,介质容置区将沉积炉的内部腔室划分为上加热区和下加热区;介质容置区用于容置多孔介质,多孔介质用于沉积制备复合材料;第一加热体,用于对上加热区进行加热,以对多孔介质面向上加热区的一端进行加热;第二加热体,用于对下加热区进行加热,以对多孔介质面向下加热区的一端进行加热;其中,在沉积阶段时,第一加热体的功率不同于第二加热体的功率,以使多孔介质的上下两端的温度不同形成温差,从而本申请提供的化学气相沉积设备可以对多孔介质上下两端分别进行致密化,从而实现整个多孔介质的均匀致密。

    一种高压直流换流器及其可加速换流方法

    公开(公告)号:CN114598167A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210117300.2

    申请日:2022-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出一种高压直流换流器及其可加速换流方法,在现有的常规高压直流换流器的每个桥臂中改造加入桥臂耦合电抗器或者将已有的阳极电抗替换为桥臂耦合电抗器,实现非常简单、简易,成本很低,但能实现本发明的有益效果为:通过配置一定数值的桥臂耦合电抗器,加快桥臂换流过程,减小换相重叠角,从而扩大高压直流换流器的运行范围,增大可传输功率,减小功率损耗;甚至可以依靠桥臂耦合电抗器创造出的换流电压,在交流电压发生意外跌落时,进行电压补偿,从而抑制换相失败的发生,在高压直流输电HVDC的应用中具有非常优良的经济性和可靠性,提升对国民经济的促进作用。

    一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统

    公开(公告)号:CN109137061A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811200477.9

    申请日:2018-10-16

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: C30B7/08

    Abstract: 本发明涉及一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统,属于晶体生长中热场设计技术领域。本发明的坩埚系统,包括炉体内胆、散热底盘和坩埚。散热底盘置于炉体内胆下部,所述的坩埚置于炉体内胆内的散热底盘上。坩埚由坩埚本体和坩埚密封盖组成,坩埚密封盖盖在坩埚本体上,坩埚本体具有椭圆型底部结构本发明的坩埚系统,可以用于无籽晶法或者底部带籽晶的溶液法晶体生长中,通过特殊的散热设计,即可保证在溶液法生长晶体过程中界面为水平或微凸状态,有利于提高晶体生长质量。同时由于该设计结构简单,具有较强的可靠性,便于获得重复性生长结果。

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