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公开(公告)号:CN102424577B
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201110278893.2
申请日:2011-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C7/10 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法,它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现,用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15,其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分,且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60,用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是:(1)Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数,降低电位梯度;(2)V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度,并节约能耗,降低成本;(3)预烧能增强粉体活性;(4)分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能,同时降低能耗,节约成本。
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公开(公告)号:CN204464323U
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201520089165.0
申请日:2015-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本实用新型公开了一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件,包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层,其特征是,还包括梯度结构空穴注入传输体系层,所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体,从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输,增加了发光层中空穴的数量,促进了空穴-电子的平衡性,因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射,提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。
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公开(公告)号:CN205542905U
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201620088826.2
申请日:2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种紫外有机发光器件。所述器件包括衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和反射金属阴极层,电子注入层为厚度是1.5nm?6nm的LiF;衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体。本实用新型利用厚绝缘层作为电子注入层,通过减少电子的注入,提高发光层中电子?空穴的平衡性,因而在达到同等数量的电子?空穴对数目时只需要更低的电流密度,增加了电子与空穴在发光层中复合的概率,产生高效率的近紫外光发射,提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。
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公开(公告)号:CN203225281U
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201320173422.X
申请日:2013-04-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/52
Abstract: 本实用新型公开了一种光谱随视角变化甚微的微腔结构倒置型顶发射有机电致发光器件,包括微腔结构和在微腔结构内从下向上倒置设置的衬底、反射金属阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、半透明金属阳极、出射发光线,通过半透明金属阳极由正向负连接反射金属阴极通以直流电构成外电路。其特征是:在半透明金属阳极之上不设有折射率匹配层和扩散层。本实用新型简化制作工艺流程、降低生产成本。通过调节发光层的厚度及其在微腔中的适当位置,器件的EL光谱在偏离发光面法线方向60O视角范围内光谱峰值位置、光谱形状及其对应的色坐标变化甚微,而且出射光线是通过微腔干涉效应发出的。
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