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公开(公告)号：CN105683173A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480042018.6
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D307/77 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07D307/77 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1022 , C09K2211/1088 , H01L51/0054 , H01L51/0061 , H01L51/0073 , H01L51/5012
Abstract: 作为新颖物质提供一种由通式(G1)表示的发射高色纯度的蓝色发光且具有长寿命的有机化合物。该有机化合物是一种荧光有机化合物，其中具有苯并萘并呋喃基胺键合于芘骨架的1位及6位的结构。
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![二苯并[c,g]咔唑衍生物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置](/CN/2024/1/117/images/202410588024.jpg)
公开(公告)号：CN118530162A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410588024.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/80
Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。
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![二苯并[c,g]咔唑衍生物、发光元件、发光装置、电子设备及照明装置](/CN/2018/8/15/images/201880075855.jpg)
公开(公告)号：CN111372917B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201880075855.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。
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公开(公告)号：CN117204121A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030228.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元以及第一层。第一单元被夹在第一电极与第二电极之间，具有第二层、第三层及第四层。第二层被夹在第三层与第四层之间，第二层包含发光材料。第四层被夹在第二层与第二电极之间，包含第一有机化合物。第一有机化合物具有缺π电子型杂芳环骨架及富π电子型杂芳环骨架，HOMO能级在‑6.0eV以上且‑5.6eV以下的范围内。此外，第一层被夹在第一电极与第一单元之间，与第一层接触，并包含第二有机化合物及第三有机化合物。
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公开(公告)号：CN117016047A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280014454.7
申请日：2022-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件，在第一电极上隔着EL层包括第二电极，其中，EL层至少包括发光层、第一电子传输层、第二电子传输层以及电子注入层，在发光层上包括第一电子传输层，在第一电子传输层上包括第二电子传输层，以与发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面接触的方式包括绝缘层，在第二电子传输层上包括电子注入层，绝缘层位于发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面与电子注入层之间，并且，第二电子传输层包含具有至少一个杂芳环的杂芳族化合物以及与杂芳族化合物不同的有机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116981325A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310429642.2
申请日：2023-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 抑制发光器件的高电压化，该发光器件包括与有机化合物层接触地形成氧化铝膜的工序。提供一种有机EL器件的制造方法。在第一电极上形成有机化合物膜，在有机化合物膜上形成包含对水或以水为溶剂的药液的溶解度低的有机化合物的有机掩模膜，在有机掩模膜上形成无机掩模层，通过利用无机掩模层加工有机掩模膜及有机化合物膜的形状来形成有机掩模层及有机化合物层，使用水或以水为溶剂的液体来去除无机掩模层及有机掩模层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116830803A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202280013409.X
申请日：2022-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件，在第一电极上隔着第一EL层包括第二电极，其中，第一EL层至少包括第一发光层，在第一EL层上包括第二EL层，第二EL层至少包括第二发光层、第一电子传输层、第二电子传输层以及电子注入层，在第二发光层上包括第一电子传输层，在第一电子传输层上包括第二电子传输层，以与第一发光层的侧面、第二发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面接触的方式包括绝缘层，在第二电子传输层上包括电子注入层，绝缘层位于第一发光层的侧面、第二发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面与电子注入层之间，并且，第二电子传输层包含具有至少一个杂芳环的杂芳族化合物以及与杂芳族化合物不同的有机化合物。
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公开(公告)号：CN115942769A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210997676.7
申请日：2022-08-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/11 , H10K85/60 , H10K59/12 , H10K101/40
Abstract: 提供一种发光效率高的发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。该发光器件在阳极与阴极间至少包括含有发光物质、第一有机化合物及第二有机化合物的发光层，发光物质呈现荧光发光，第一有机化合物包含如下任一骨架：蒽、并四苯、菲、芘、咔唑、苯并咔唑、二苯并咔唑、二苯并呋喃、苯并萘并呋喃、双萘并呋喃、二苯并噻吩、苯并萘并噻吩、双萘并噻吩以及荧蒽，并且第二有机化合物包含如下任一骨架：芴基胺、螺二芴基胺、二苯并呋喃基胺、咔唑胺、苯并咔唑胺、二苯并咔唑胺、二苯并呋喃胺、苯并萘并呋喃胺、双萘并呋喃胺、二苯并噻吩胺、苯并萘并噻吩胺、双萘并噻吩胺以及芳基胺。
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公开(公告)号：CN115280536A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180022068.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
Abstract: 提供一种寿命良好的发光器件。另外，提供一种驱动电压低的发光器件。提供一种发光器件，其中，电子传输层包含碱金属的有机金属配合物及具有电子传输性的有机化合物，该有机金属配合物与有机化合物为形成激基复合物的组合，并且，将在所述有机金属配合物与所述有机化合物的质量比为1：1时形成的激基复合物的发射光谱的峰波长换算为能量的值(eV)比所述有机金属配合物的HOMO能级与所述有机化合物的LUMO能级之差(eV)小0.1eV以上。
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公开(公告)号：CN115148919A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210329977.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种耐热性得到提高的新颖的发光器件用混合材料。发光器件用混合材料包括第一杂芳族化合物及第二杂芳族化合物，第一杂芳族化合物具有第一杂芳环，第一杂芳环包括具有两个以上的氮原子以及苯环和吡啶环中的任一个的环或者具有二嗪环或三嗪环的环，第二杂芳族化合物具有第二杂芳环，第二杂芳环包括具有两个以上的氮原子以及苯环和吡啶环中的任一个的环或者具有二嗪环或三嗪环的环，第一杂芳环及第二杂芳环的结构彼此不同。
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