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公开(公告)号：CN110204209A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910383945.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种选择性稀土掺杂钪基氟化纳米晶的上转换玻璃陶瓷复合材料。玻璃陶瓷为SiO2:66-x-y mol％；Al2O3:6mol％；K2CO3:9mol％；KF:18.8mol％；ScF3:x mol％；LnF3:y mol％；ErF3:0.2％；16≤x≤20；当1.6≤y
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公开(公告)号：CN108624319A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810553366.X
申请日：2018-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种白光LED用硼酸盐橙色荧光粉及其制备方法。该荧光粉具有如下化学表示式：RSr(2-x)M(BO3)3：xEu2+，其中，x＝0.001～0.1，R为Na或K，M为Zr或Hf。制备时，按化学式RSr(2-x)M(BO3)3：xEu2+的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为锶的无机盐、硼酸、氧化铕、含R的无机盐和含M的氧化物，其中，x＝0.001～0.1；将所述原料的均匀混合物于还原气氛下在高温炉内烧结后缓慢冷却至室温，得到硼酸盐橙色荧光粉。本发明橙色荧光粉具有分散性好、颗粒度均匀、化学稳定性和热稳定性好、发光效率高、原料价廉、易得、制备温度低等优点，其激发带覆盖紫外和蓝光区域，适合作为白光LED用橙色荧光粉。
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公开(公告)号：CN105315991B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510679168.4
申请日：2015-10-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/59
Abstract: 本发明公开了一种白光长余辉荧光材料。该荧光材料具有如下化学表示式：M4Sr(1‑x)Zn(1‑y)(Si2O4N8/3)：xEu2+，yRe3+，其中，M为Li、Na、K中任意一种，Re为Nd、Pr、Dy、Sm、Gd、Ho中任意一种，x为0.001～0.10，y为0.001～0.01。所得的长余辉荧光材料以氮氧化物为基质材料，具有化学稳定性和热稳定性良好，原料价廉、易得等优点。本发明的荧光材料存在蓝光和红光两个区域发射峰，能实现白色长余辉发射，且余辉时间在毫秒级，能应用于交流LED荧光粉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104629759B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510073606.2
申请日：2015-02-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/64
Abstract: 本发明公开了一种提高铝酸锶荧光粉的发射强度的方法。其中，铝酸锶荧光粉的化学式为Sr1-xAl2O4:xEu2+，其中，0.01≤x≤0.1；按所述铝酸锶荧光粉的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为碳酸锶、氧化铝和氧化铕，后加入改性剂，研磨混匀得到混合物；将该混合物先在退火炉中预处理，将预处理后的混合物冷却到室温后取出再次研磨，然后再在高温炉内于还原气氛下高温煅烧，后冷却到室温得到所述铝酸锶荧光粉。本发明通过改性剂降低铝酸锶基质的声子能量，减少无辐射跃迁，增加缺陷密度，使铝酸锶的发光强度相对于未添加改性剂得到大大提高，余辉时间延长。
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公开(公告)号：CN105950142A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610428447.8
申请日：2016-06-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/63
CPC classification number: C09K11/63
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域。一种无稀土黄色荧光粉，化学表示式是：(M1‑xNx)2Zn(BO3)2，其中M，N为碱土金属Ba、Sr、Ca中任意一种，x为0～1。该无稀土黄色荧光粉的优点是不含价格较为昂贵的稀土元素，且制备条件温和，不需要高温和还原气氛；具有宽的激发带宽，覆盖紫外、紫光和蓝光区域，与紫外芯片的发射峰重叠很好，能够有效被激发。
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公开(公告)号：CN103833222A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410016366.8
申请日：2014-01-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Fe纳米颗粒掺杂的多功能量子点玻璃材料。本发明采用溶胶-凝胶法在气氛的控制下将Fe纳米颗粒镶嵌在玻璃基体中，通过调节玻璃基体的组成、合成工艺、纳米颗粒的掺杂浓度、烧结气氛等，可得到透明度高、Fe纳米颗粒分散均匀、尺寸可控的玻璃。所得玻璃不仅具有玻璃基质物化性能稳定性高、Fe纳米颗粒不易被氧化的优点，同时表现出Fe纳米颗粒优异的光学、磁学性质以及大的非线性光学效应。本发明所用原料来源广泛、价格低廉、易于获得；所用合成方法工艺简单、条件温和、重复性好、可控性高；本发明为制备颗粒尺寸小、分散均匀的Fe纳米晶提供了新思路；拓宽了Fe纳米颗粒的应用领域，为其在非线性光学器件的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN113897635B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111050017.4
申请日：2021-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开一种MOFs衍生的镍钴双氢氧化物阵列电催化析氧材料及其制备方法。将泡沫镍在2‑甲基咪唑中浸泡，然后再添加Co盐，继续浸泡得到Co‑MOFs纳米片原位生长形成的三维阵列前驱体；将三维阵列前驱体浸泡在Ni盐中，静置反应得到。本发明以室温合成的Co‑MOFs阵列为前驱体，通过离子交换策略对MOFs前驱体进行破坏/重组，得到三维自支撑的镍钴双氢氧化物阵列电催化析氧材料，该材料提供更多的活性位点和良好的三维电导率，并加快传质过程；此外，双金属活性位点通过强耦合协同作用进一步提高催化活性；同时，通过原位生长方式使MOFs衍生物与导电基底更紧密接触，减小电子传递阻力。
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公开(公告)号：CN113981371B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111218145.5
申请日：2021-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法，包括以下步骤：(1)硅片亲水处理；(2)制备Ag/SiO2共溅射单层膜；(3)利用氢氟酸对Ag/SiO2共溅射单层膜进行腐蚀，得高SERS强度Ag/SiO2共溅射单层膜。本发明设计并制备得到了一种可实现比单层金属膜SERS增强效果更高的金属‑绝缘体共溅射膜(Ag/SiO2)，采用较为简单的磁控溅射，从而利用氢氟酸对二氧化硅的腐蚀性，使Ag/SiO2共溅射薄膜中的二氧化硅被不同程度腐蚀，从而留下不同颗粒大小和间隔的银纳米颗粒，提高其单层膜的SERS强度。
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