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公开(公告)号:CN111118599B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201911379934.X
申请日:2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法,包括步骤:A.制备SiC凝胶溶胶;B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃~250℃;C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时;D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃~1800℃、压力550托~650托、氢气环境中烧结2小时,然后自然冷却到室温;E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨;F.按预设次数重复执行步骤B~E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长,且制备成本低。
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公开(公告)号:CN111182767A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201911426098.6
申请日:2019-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种散热器,该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板,壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道,传动机构设于壳体内,用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动,散热基板供发热元件安装,散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构,提高了散热能力,满足了高热流密度元件散热要求,并实现了散热器低负载下的节能降耗。
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公开(公告)号:CN111074342A
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201911379924.6
申请日:2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法,包括步骤:A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室;B.把石墨载盘升温至第一预设温度,保持外延生长室压力为第一预设压力,以氢气为载气通入硅源和碳源,使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层;第一预设温度为1550℃~1750℃,第一预设压力为150托~250托;C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源,将温度降低至第二预设温度,该第二预设温度为600℃~800℃;D.重复预设次数的步骤B、C;E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气,继续降温至室温;F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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