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公开(公告)号：CN117855245A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410264204.X
申请日：2024-03-08
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本申请涉及光电显示技术领域，提供了一种像素单元、像素单元组、显示芯片和显示芯片的制备方法。像素单元包括：驱动晶体管、至少一个第一发光元件和至少一个第二发光元件；第一发光元件的阳极、第二发光元件的阴极与驱动晶体管的第一极连接，第一发光元件的阴极与共阴极连接，第二发光元件的阳极与共阳极连接；驱动晶体管的第二极用于输入交变驱动信号，驱动晶体管的第三极用于输入控制信号；其中，驱动晶体管用于在控制信号的作用下导通、并将交变驱动信号输出至第一发光元件和第二发光元件；第一发光元件和第二发光元件分别在交变驱动信号的作用下发光。这样，能够通过一个驱动晶体管控制至少两个发光元件，进而达到有效提升像素密度的效果。
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公开(公告)号：CN116544321B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310819690.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光芯片的制备方法、发光芯片以及显示面板。其中，发光芯片的制备方法包括：提供发光芯片本体，发光芯片本体包括通过电子传输层形成一体化的多个像素单元；在相邻像素单元之间的电子传输层上形成凹坑；在凹坑内制备散热结构。本公开的技术方案，有利于提高整体发光器件散热效率的同时，可避免各像素单元之间发生光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN116525729B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310813055.3
申请日：2023-07-05
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/60 , H01L25/075
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。其中，显示面板的制备方法包括：在衬底的一面制备阵列排布的容纳结构；在容纳结构的侧壁上制备高熔点反射层，形成防光串扰结构；在防光串扰结构内生长LED外延结构，形成LED芯片；将防光串扰结构和LED芯片转移至驱动基板上。本公开的技术方案，解决了通过巨量转移技术容易伤到发光单元，从而降低发光单元的优良率的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题，有利于提高显示面板的发光效率，以及有利于防止相邻LED芯片之间发生光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN116722093B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310977066.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制作方法，能够解决显示面板的良率较低的技术问题。该显示基板包括电气元件和铜柱，所述铜柱用于与其他基板键合；所述铜柱包括细铜下段、粗铜中段和细铜上段，所述细铜下段位于所述电气元件的阳极上，所述粗铜中段位于所述细铜下段上，所述细铜上段位于所述粗铜中段上；所述细铜下段和所述细铜上段的铜晶粒的晶粒度，小于所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度。
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公开(公告)号：CN117153962A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311441150.1
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及发光二极管的转移技术领域，特别涉及一种发光二极管的转移方法、装置以及阵列基板。发光二极管的转移方法包括制备分散有发光二极管的流体；制备形成有阵列排布的接收结构的接收基板，接收结构与发光二极管的形状匹配；将多个接收基板以竖直方向放置于第一液体中，两个接收基板形成一组，每组接收基板之间对应接收结构顺次形成多个流体通道；使用提拉设备从第一液体中提拉接收基板至流体通道位于第一液体之上，向流体通道中注入流体，流体中的发光二极管填充至接收结构中；顺次相邻的三个流体通道中依次注入分散有不同颜色的发光二极管的流体。本公开的技术方案，可实现三色发光二极管的自组装过程，以及有利于提高自组装速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116825910B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311091290.0
申请日：2023-08-29
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置。通过结合第一保护层、第二保护层和第三保护层，以及第一发光层、第二发光层和第三发光层制备阵列排布的三色子像素。第一子像素的发光层包括第一发光层，第二子像素的发光层包括第一发光层和第二发光层；三色子像素中的第三子像素的发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层。其中，第一发光层、第二发光层和第三发光层的铟含量均不同。本公开的技术方案，解决了现有技术中通过巨量转移技术实现全彩化显示导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN116825910A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311091290.0
申请日：2023-08-29
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置。通过结合第一保护层、第二保护层和第三保护层，以及第一发光层、第二发光层和第三发光层制备阵列排布的三色子像素。第一子像素的发光层包括第一发光层，第二子像素的发光层包括第一发光层和第二发光层；三色子像素中的第三子像素的发光层包括第一发光层、第二发光层和第三发光层。其中，第一发光层、第二发光层和第三发光层的铟含量均不同。本公开的技术方案，解决了现有技术中通过巨量转移技术实现全彩化显示导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN116705827A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310973807.2
申请日：2023-08-04
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板以及显示面板的制备方法。其中，显示面板，包括：像素阵列基板，像素阵列基板包括多个像素单元和第一平坦层，第一平坦层覆盖多个像素单元，第一平坦层远离所述像素单元的一面依次覆盖第一散热金属层和衬底；对应衬底、第一散热金属层和第一平坦层形成有多个第一凹槽，第一凹槽临近像素单元，第一凹槽内填充有散热材料；其中，第一凹槽通过刻蚀部分衬底、部分第一散热金属层和部分第一平坦层形成。本公开的技术方案，可有效提高像素单元的散热效率，有利于提高像素单元的发光性能，以及延长像素单元的使用寿命，进而有利于提高显示面板的发光性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN116344572B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310617836.5
申请日：2023-05-30
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种Micro LED结构及其制备方法，属于Micro LED显示技术领域，该Micro LED结构和衍射光波导匹配连接；该Micro LED结构包括发光组件、第一基板、波导传输层以及光耦合组件；发光组件设置于第一基板的一侧；波导传输层和光耦合组件均设置于第一基板背离发光组件的一侧，光耦合组件与发光组件对位设置，并内嵌于波导传输层中靠近发光组件的一侧；第一基板至少用于传输发光组件发出的光至光耦合组件；光耦合组件用于控制光的旋转角度以使光按照预设方向传输，波导传输层用于传输预设方向的光至衍射光波导。如此，减少了Micro LED结构的尺寸，利于产品的小型化。
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公开(公告)号：CN116314245B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310517418.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法。发光面板包括N型半导体外延层、发光外延层、P型电极、N型电极、第一绝缘层和第二绝缘层；所述N型半导体外延层上形成有碗状的第一凹槽和网状的第二凹槽；所述发光外延层和所述P型电极形成于所述第一凹槽中，且所述发光外延层位于所述N型半导体外延层与所述P型电极之间；所述N型电极和所述第二绝缘层形成于所述第二凹槽中，且所述N型电极位于所述N型半导体外延层与所述第二绝缘层之间；所述第一绝缘层覆盖所述发光外延层、所述P型电极和所述第二绝缘层。本公开的技术方案，能够有效避免台阶侧壁损伤，提高光效。
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