CMOS硅双光电探测器
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1773712A

    公开(公告)日:2006-05-17

    申请号:CN200510118918.7

    申请日:2005-10-26

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 陈朝 卞剑涛

    Abstract: CMOS硅双光电探测器,涉及一种光电集成电路,尤其是涉及一种CMOS硅光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si3N4表面钝化层,其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上,场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅,金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面,SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。

    InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺

    公开(公告)号:CN1414642A

    公开(公告)日:2003-04-30

    申请号:CN02154606.1

    申请日:2002-11-25

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 陈朝 刘宝林

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 涉及一种半导体器件,尤其是一种将光信号转换为电信号的InGaAs/InP PIN光电探测器及其制造工艺。为i-InP顶层/i-In0.53Ga0.47As光敏层/i-InP缓冲层/N+-InP衬底四层双异质结材料结构。在顶层中有P+锌扩散层,P+锌扩散层靠近i-In0.53Ga0.47As光敏层,但没有到达光敏层;工艺步骤为:在外延片上生长氧化铝钝化膜,以锌作为扩散源进行开管锌扩散;用直接蒸发的方法在InP材料上淀积高质量的氧化铝薄膜,暗电流降低,信噪比提高,容易制备、成本低廉、结构改进,可在较低温度下连续、简便进行开管锌扩散新工艺,以及此膜可用于InP材料饨化膜和锌扩散的屏蔽掩膜,也可用于InP材料的抗反射膜,提高探测器的性能。

    用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器

    公开(公告)号:CN1250275A

    公开(公告)日:2000-04-12

    申请号:CN99119122.6

    申请日:1999-09-16

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器,采用CSMA/CD方式,执行IEE802.3u标准,设两块执行芯片U1、U2,光信号经光纤接口接光纤信号收发模块,收发模块的电转换输出经U1的解码——电阻组——U2的编码后,从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口,RJ45接口的发射端接耦合器,并经U2的解码——电阻组——U1的编码后,接收发模块,并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。

    一种复眼式太阳能电池封装玻璃及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107311448B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201710600885.2

    申请日:2017-07-21

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种复眼式太阳能电池封装玻璃及其制备方法,将SiO2、CaO、Na2O的原料按一定比例混合进行高温熔制,在特定模具中成型后退火而成,制备出表面具复眼式阵列的光伏玻璃,用于太阳能电池封装,一方面可额外将电池边缘的光聚集至电池,另一方面减小斜射光的入射角,增加了入射光量,从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明制备工艺简单,价格低廉,与现有的传统工艺兼容,能够提高现有商业化晶体硅太阳能电池组件的光电转换效率,而不必进行复杂、高成本的太阳电池组件对太阳的自动跟踪。

    一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103681900B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201310726455.7

    申请日:2013-12-25

    Applicant: 厦门大学

    Inventor: 陈朝 陈蓉 范宝殿

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法,涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅,在晶体硅中掺杂Ni杂质,Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3,掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜;使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照;用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后,得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收,提高少子寿命,使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率,减少电池的发热,提高电池效率,成本低,制作快速简便。

    一种下转换光伏玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN105036565A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510458298.5

    申请日:2015-07-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种下转换光伏玻璃及其制备方法,该下转换光伏玻璃包括超白光伏玻璃层及位于该超白光伏玻璃层一表面上的厚度为80~100nm的发光薄膜,该发光薄膜的原料为SiO2:xEu3+,xNa+,x=0.002~0.2,该超白光伏玻璃层中Fe2O3含量为0.005%~0.01%,且具有抗反射的绒面结构。本发明的下转换光伏玻璃可以有效的吸收掉照射至太阳能电池的短波光,然后发射出能量较低的长波光,增加太阳能电池的可见光波段的光谱响应,从而提高太阳能电池的光利用率和光电转换效率。

    一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN103094394B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201310019710.4

    申请日:2013-01-18

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1)将有机玻璃倒入有机溶剂中,静置,使有机玻璃溶解后加入荧光粉,得均匀透明的下转换荧光材料浆料;2)用胶布贴在晶体硅电池的主栅上,将步骤1)得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上,再撕去胶布,在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜;3)将样品电池烘烤,再放在空气中冷却至室温,即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少,工艺流程短,无污染,可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。

    用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN103401614B

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201310325139.9

    申请日:2013-07-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法,涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管;驱动电路设在基底上表面左半侧,在驱动电路左侧设有3个焊盘,在驱动电路右侧设有2个焊盘,在基底上表面右侧部分设有预留焊盘,右下焊盘与预留焊盘之间通过导线连接;二极管阴极端面通过银浆粘在预留焊盘上,阳极通过键合线与右上焊盘连接。在硅基底上左半侧形成光发射驱动电路,在驱动电路上左侧形成3个焊盘;在驱动电路右侧形成2个焊盘;在基底上右侧部分进行淀积金属铝板形成预留焊盘;在右下焊盘和预留焊盘之间相连;在预留焊盘上点上银浆,将二极管阴极端面粘在焊盘上,将二极管阳极接驱动电路右上焊盘上。

    一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路

    公开(公告)号:CN103347351B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310324878.6

    申请日:2013-07-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路,涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路;缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端,主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源,主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极;参考电压产生电路设有7个输出端,其中,4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路;3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压,另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。

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