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公开(公告)号：CN208174645U
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201820789449.4
申请日：2018-05-25
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H03F3/68
Abstract: 本实用新型公开了一种基于幂函数的信号缩放电路，包括依次级联的第一级对数运算电路、第二级线性反向运放电路、第三级指数运算电路和第四级线性反向运放电路。通过该电路实现输入信号的幂函数运算，能够快速有效地实现将较小电压范围的输入信号放大至较大范围电压或者将较大电压范围的输入信号压缩至较小电压范围，从而方便进行后续的模数转换，并且提高了模数转换的准确度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207782760U
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201820692846.X
申请日：2018-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H03H11/32
Abstract: 本实用新型公开了宽带有源功分器及宽带有源功率合成器。电路中包含有源放大器、电容、电感和电阻。宽带有源功分器的输入端接入一个有源放大器之后分成两路再分别串接一个有源放大器，而宽带有源功率合成器在两个输入端各接入一个有源放大器之后合成一路再串接一个有源放大器。本实用新型克服了传统无源型功分器与功率合成器在宽带应用尤其是高频段插损较大以及隔离度较差而影响测量结果的缺陷。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206962011U
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201720323988.4
申请日：2017-03-30
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了新型超宽带高增益对跖维瓦尔第天线，包括分别设置在介质板两侧面的金属接地板和金属微带馈线，金属接地板和金属微带馈线的上端部分别为关于x轴旋转对称的扇板，扇板的边由内指数渐变槽线、外指数渐变槽线、及两端分别接内指数渐变槽线和外指数渐变槽线末端的半椭圆构成；金属微带馈线的下端部接微带线，金属接地板的下端部接翼板，同轴接头通过微带线和翼板馈电。采用微带线-槽线馈电方式，具有馈电简单、超宽带、增益高、方向图对称、辐射方向性好、交叉极化比低等优点，结构简单、易于加工、便于集成，具有很强的实用性和广泛的适用性，尤其在移动天线、宽带天线、MIMO天线和阵列天线等领域具有较好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206479587U
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201621444359.9
申请日：2016-12-27
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型涉及一种加载铁氧体的PCB型横电磁波小室，属于电磁兼容领域，包含外导体和内导体，外导体包括方形结构的中间段外导体和呈锥形结构过渡的渐变段外导体，两者围成一个小室；内导体为沿外导体轴向方向设置的一块扁平的芯板；外导体为单层PCB板，中间段外导体四周的金属层上设有若干相互平行的纵向槽，纵向槽长度与中间段轴向长度相同，高度与金属层厚度相同，且纵向槽内填充有铁氧体条。加载铁氧体的PCB型横电磁波小室有效抑制了横电磁波小室的高次模和谐振的产生，制作简单且成本较低且可防止电磁波泄漏，实现了较好的屏蔽作用。能够将横电磁波小室的上限工作频率扩展到3.3GHz。
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公开(公告)号：CN206059652U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621101359.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种小型化超宽带高增益Vivaldi天线，包括方形基板，所述方形基板的正反面印制有金属导体层，所述金属导体层包括金属辐射贴片，正反面的所述金属辐射贴片结构相同且关于主辐射方向旋转对称，所述金属辐射贴片的外边缘为槽线，所述槽线包括内指数渐变槽线和外指数渐变槽线。正面的所述金属导体层还包括金属微带馈线，所述金属微带馈线与金属辐射贴片相连。本实用新型所提供的一种小型化超宽带高增益Vivaldi天线，馈电简单、辐射方向性好、超带宽、增益高、增益峰值偏移角度小、辐射效率高，全频覆盖C、X、Ku、K、Ka五个波段，可广泛地应用于无线通信、雷达、定位、监测、控制和医学等领域，发展潜力巨大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203800907U
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201420203641.2
申请日：2014-04-24
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H03K5/135
Abstract: 本实用新型属于微波毫米波技术领域，具体涉及一种W波段脉冲行波管大功率合成系统，包括波导功率分配器、第一可调衰减器、第一固态放大器、第一隔离器、第一行波管放大器、第二可调衰减器、移相器、第二固态放大器、第二隔离器、第二行波管放大器和波导功率合成器；本实用新型W波段脉冲行波管大功率合成系统，在技术上实现了W波段两路脉冲行波管的大功率合成，两路均设置了隔离器，能够保证固态放大器不被烧毁；本实用新型采用输出相位差90度的功率分配器将同一信号源功率一分为二，两路间存在90度相位差，以防止两路行波管放大器间的干扰和自激，功率合成器的两输入被设计为-90度的相位差，以保障两路功率的有效合成。
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公开(公告)号：CN203444276U
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201320565651.6
申请日：2013-09-12
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本实用新型公开了一种抗干扰自调整微控制器系统，通过设置在微控制器内部的A/D转换器，进行实时的电磁干扰检测，并能降低输入微控制器的信号干扰。本实用新型提供的抗干扰自调整微控制器系统，包括微控制器、电源、传感器和抗干扰电路，电源为微控制器供电，传感器通过抗干扰电路与微控制器连接；所述微控制器内设置有中央处理器、寄存器、第一A/D转换器和第二A/D转换器，所述第一A/D转换器和第二A/D转换器和寄存器相连，所述中央处理器从寄存器中提取数据；所述抗干扰电路包括低通滤波器、高通滤波器、峰值检波器、耦合电容和参考电压。
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公开(公告)号：CN222582863U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202421020068.1
申请日：2024-05-11
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层上方连接有AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本发明与传统固定组分势垒器件相比，GaN组分渐变复合势垒器件在AlGaN和GaN材料之间的线性错位和晶格散射更小，能够提升器件的电学性能，由于GaN的肖特基势垒较低，传统固定组分势垒器件栅极泄漏电流较大，本发明的沟道从GaN组分渐变到AlGaN，能够产生更高的势垒高度并形成浓度更高、范围更宽的三维电子气，使器件具有更好的跨导平坦度，提高器件的线性度，带来更好的输出性能表现。
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公开(公告)号：CN211014194U
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201921741109.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种空气负氧离子检测及组网装置，包括云平台、用户终端以及设置在各检测点的检测终端；各检测终端和用户终端分别与云平台无线连接，实现组网；所述检测终端包括负氧离子采集器、I‑V跨导放大电路、微控制器、温湿度采集模块、GPS采集模块、显示模块和NB‑IoT通信模块，所述微控制器内置有AD转换器。本实用新型为负氧离子检测提供了一种更为方便、低成本和高自动化程度的实现方案。
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公开(公告)号：CN206727221U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720425460.8
申请日：2017-04-21
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种新型宽带对跖维瓦尔第天线，包括矩形介质板（1），分别设置在矩形介质板（1）正反面的金属微带馈线和金属接地板，金属微带馈线包括第一肺形线和微带馈线（8），第一肺形线包括半椭圆结构（5）、内指数渐变槽线（4）和外指数渐变槽线（6）；金属接地板包括第二肺形线、渐变巴伦（3）和平行双线（2），第二肺形线与所述第一肺形线关于x轴旋转对称；介质板（1）的顶部延伸有半椭圆形介质板（7）。本实用新型的一种新型宽带对跖维瓦尔第天线，能够消除天线增益峰值偏移问题，且能够提高天线的主轴辐射特性，进而提高天线增益值。
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