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公开(公告)号：CN101442071A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810240270.4
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明是关于一种氮化镓基场效应管及其制备方法。该场效应管包括正面管芯、衬底和背金结构，所述的衬底包括碳化硅衬底或蓝宝石衬底，所述的背金结构设置在衬底底面，该背金结构包括背金起镀层和电镀层，所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层，所述的钛金属层与所述的衬底接触。本发明采用氢氧化钠抛光液，对场效应管的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，利用钨的良好阻挡性能，钛/钨/金系统有效地阻挡金锡合金或金锡焊料在高温条件下向衬底渗透，有效地增强了背金结构在碳化硅衬底或蓝宝石衬底的粘附性。
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