一种SiC-MOSFET的驱动电路
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111900969A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种SiC-MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC-MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC-MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC-MOSFET连接,用于通过防止SiC-MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC-MOSFET误动作和SiC-MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC-MOSFET的稳定关断。

    一种储能系统储能容量的确定方法及系统

    公开(公告)号:CN110061493B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201910238665.9

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 一种储能系统储能容量的确定方法及系统,包括:在一个调度周期内,在初始储能容量的基础上,增加预设裕度的储能容量,并确定净收益值;判断所述净收益值是否不为正,若是,则当前储能容量为储能容量临界值;否则,继续按预设裕度增加储能容量并确定所述储能容量下的净收益值,直至所述净收益值由正转负。本方案在一个调度周期的短期内,以净收益值的正负为判断标准,判断储能容量的临界值,使得储能容量配置有据可依;在一个调度周期内,以预设裕度逐渐增加配置容量,可以精确确定储能容量临界值,在理论性的基础上,提高了配置方法的可行性和可靠性。

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