一种电流复用低噪放和混频器的融合结构

    公开(公告)号:CN202406088U

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201120535476.7

    申请日:2011-12-20

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本实用新型公开一种电流复用低噪放和混频器的融合结构,该结构的低噪放的输入管和下混频器跨导级复用静态偏置电流,使用电感电容并联网络来实现对来自低噪声放大器射频信号往混频器的隔离,使用电感电容网络和共栅极晶体管的高输出阻抗实现对来自混频器跨导级射频信号往低噪声放大器的隔离,对混频器中频信号往低噪声放大器方向的信号隔离是通过电流复用支路共栅极晶体管N5、N6的高输出阻抗和工作在饱和区的双平衡开关管的高输出阻抗一起实现的。低噪放和混频器复用电流大大提高了电流利用效率从而降低了功耗。同时由于本实用新型中的电流复用方式具有较高的信号隔离能力,在降低功耗的同时保证了电路的性能。

    一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源

    公开(公告)号:CN202394144U

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201120555233.X

    申请日:2011-12-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于:该带隙基准电压源包括一阶温度补偿基准电流产生电路(1),指数温度补偿电流产生电路(2),误差放大器(3),启动电路(4)及基准电流-电压转换电路(5);一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输入端同时与启动电路(4)的输出端及一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输出端相连,一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输出端同时与指数温度补偿电流产生电路(2)的第一输入端及误差放大器(3)的第一输入端相连。本实用新型增加很少的器件和功耗,得到了更低的温度系数。

Patent Agency Ranking