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公开(公告)号：CN118099072A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211491225.2
申请日：2022-11-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 施宏飞
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本申请公开一种半导体工艺腔室、晶圆传送件、半导体工艺设备及方法，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、工艺基座以及顶针，工艺基座设置于工艺腔室内，工艺基座设有至少一个第一晶圆支撑面以及与各个第一晶圆支撑面对应的第一限位凸起，第一晶圆支撑面用于与晶圆的下表面接触，第一限位凸起凸出于对应的第一晶圆支撑面；第一晶圆支撑面设置有用于使顶针贯穿通过的通孔，顶针可相对于腔室本体升降，在顶针支撑晶圆的情况下，第一限位凸起与晶圆限位配合。晶圆传送件用于向上述的半导体工艺腔室传送晶圆。半导体工艺设备包括上述的半导体工艺腔室以及上述的晶圆传送件。
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公开(公告)号：CN118083983A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211490608.8
申请日：2022-11-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B23/00 , C30B29/36
摘要： 本申请公开了一种含氮的碳化硅粉料的制备方法及碳化硅晶体的生长方法，涉及碳化硅晶体制备领域。一种含氮的碳化硅粉料的制备方法包括：将硅原料和碳原料按预设摩尔比充分混合，得到混合物原料；将放置有混合物原料的加热容器置于反应设备中；对反应设备抽真空，加热；向反应设备内通入保护气体以及氮气，继续加热升高反应设备内的温度，使碳原料和硅原料发生反应，降温，得到含氮的碳化硅粉料。一种碳化硅晶体的生长方法包括：将上述含氮的碳化硅粉料置于加热容器中并加热，加热容器内的含氮的碳化硅粉料升华后在加热容器顶部的碳化硅籽晶处结晶，得到碳化硅晶体。本申请能够解决碳化硅晶体电阻率均匀性较差引起缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN118073160A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211475182.9
申请日：2022-11-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 李兴存
摘要： 本申请公开了一种射频功率的馈入结构及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射频功率的馈入结构，包括：馈入结构本体；馈入结构本体的侧壁设有第一环形槽，第一环形槽包括两个沿馈入结构的轴向间隔设置的槽面和连接两个槽面的槽底，两个槽面形成电容结构件，槽底形成电感结构件；电容结构件与电感结构件并联设置，且两者形成的等效电路的并联谐振频率与等离子体及射频功率源之间相互作用产生的高次谐波的频率接近或相等。一种半导体工艺设备，包括上述馈入结构。本申请能够解决驻波效应导致刻蚀均匀性差等问题。
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公开(公告)号：CN118053792A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410195396.3
申请日：2022-10-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、固定支架、转轴和两个连接臂，所述工艺腔室包括腔室主体和腔室盖体，所述腔室盖体与所述腔室主体相连，且用于围成腔室空间；所述转轴转动地设于所述固定支架上，所述两个连接臂与所述转轴固定相连，且可随所述转轴转动，所述两个连接臂均与所述腔室盖体固定相连，所述腔室盖体可随所述两个连接臂的转动与所述腔室主体相连或分离；所述腔室盖体设有第二冷媒通道，一个所述连接臂为第二冷媒输入管道，另一个所述连接臂为第二冷媒输出管道，所述第二冷媒输入管道和所述第二冷媒输出管道分别与所述第二冷媒通道的两端连通。
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公开(公告)号：CN117467976B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311437657.X
申请日：2023-10-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/67
摘要： 本申请公开一种用于气相沉积工艺腔室的上衬环、下衬环、进气衬体和内衬，其中，上衬环包括第一环本体、第一导流件和第二导流件，第一导流件和第二导流件相对设置，且凸出于第一环本体的下端面，第一导流件的第一端和第二导流件的第一端均位于上衬环的进气侧，第一导流件的第二端和第二导流件的第二端均位于上衬环的排气侧，上衬环的进气侧和上衬环的排气侧为上衬环的相背的两侧，在从进气侧至排气侧的方向上，第一导流件与第二导流件之间的距离逐渐减小。上述方案能解决背景技术中所提及的气相沉积工艺腔室存在的工艺质量不佳的问题。本申请还公开一种气相沉积工艺腔室和半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN114171365B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111507528.4
申请日：2021-12-10
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种匀流装置、工艺腔室及半导体工艺设备，该匀流装置包括环形支撑件和环形盖板，在二者彼此相对的两个表面之间形成有凹凸结构，凹凸结构形成有沿环形支撑件的径向间隔设置的多个匀流腔，以及设置在各相邻的两个匀流腔之间，用于将二者连通的连接通道，且不同的连接通道在环形支撑件的轴向上相互错开；在环形盖板中设置有进气通道，进气通道的出气端与最靠近环形支撑件外侧的匀流腔连通；在环形支撑件中设置有出气通道，出气通道的进气端与最靠近环形支撑件内侧的匀流腔连通，出气通道的出气端与工艺腔室的内部连通。本发明的技术方案可以在提高匀流效果的基础上，减小占用空间、降低加工难度、维护难度和设备成本。
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公开(公告)号：CN114156149B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111417577.9
申请日：2021-11-25
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种磁控管装置和半导体工艺设备，磁控管装置包括旋转座、驱动轴、换位转轴、曲柄、连杆、摇杆、安装座、磁控管、第一限位件和第二限位件，在驱动轴沿第一方向转动，且驱动摇杆限位于第一限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第一方向转动，且磁控管与安装座的连接处与驱动轴之间的间距为第一间距；在驱动轴沿第二方向转动，且驱动摇杆限位于第二限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第二方向转动，且磁控管与安装座的连接处与驱动轴之间的间距为第二间距，第二间距大于第一间距，且第二方向与第一方向互为反方向。上述技术方案公开的磁控管装置具备切换磁控管位置的能力。
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公开(公告)号：CN113555268B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110795297.5
申请日：2021-07-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/3065 , B81C1/00
摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备及刻蚀方法，该半导体工艺设备包括工艺腔室、射频线圈结构和上射频源，其中，工艺腔室包括工艺腔体和介质腔体，介质腔体位于工艺腔体的上方，且介质腔体与工艺腔体密封连接；并且，介质腔体的顶部设置有进气口，用以向工艺腔室中通入工艺气体；介质腔体的内径由上而下递增；射频线圈结构环绕在介质腔体周围，并与上射频源电连接；射频线圈结构的内径由上而下递增。本发明提供的半导体工艺设备及刻蚀方法，可以在低腔室压力和低上电极功率的条件下，实现等离子体启辉。
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公开(公告)号：CN113517211B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110413686.7
申请日：2021-04-16
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C14/35 , C23C14/50
摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备及薄膜沉积方法，其中，半导体工艺设备包括工艺腔室、承载部件和冷却部件，承载部件可移动地设置在工艺腔室中，用于承载晶圆；冷却部件设置在工艺腔室中，并位于承载部件的下方，用于在承载部件移动至靠近冷却部件时，对承载部件进行冷却。本发明提供的半导体工艺设备及薄膜沉积方法，能够减少承载部件降温至满足工艺要求所需的时间，从而提高冷却效率，提升产能。
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公开(公告)号：CN113363185B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110599855.0
申请日：2021-05-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体清洗设备，包括浴槽、清洗槽、声波信号发生装置传导介质喷射装置，清洗槽用于容纳晶片且清洗槽的底部容置于浴槽中，声波信号发生装置设置在浴槽底部，用于提供声波信号，浴槽中的传导介质用于将声波信号向清洗槽传导，传导介质喷射装置设置于浴槽中并位于清洗槽的一侧，用于向清洗槽的底部喷射传导介质，以在清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。在本发明中，浴槽中设置有传导介质喷射装置，传导介质喷射装置能够向晶圆清洗槽的底部喷射传导介质，在晶圆清洗槽的底部形成持续由清洗槽的一侧向另一侧流动的传导介质层，将晶圆清洗槽底部的气泡推离晶圆清洗槽的底部，提高声波信号的能量利用率，进而提高晶圆的清洗效率。
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