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公开(公告)号：CN111384271A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811639969.8
申请日：2018-12-29
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明涉及量子点发光二极管技术领域，具体提供一种量子点发光二极管的制备方法。该制备方法包括：提供量子点发光二极管半成品结构；将所述量子点发光二极管半成品结构置于含有无机酸、有机羧酸或有机碱中的任一种的溶液中进行浸泡处理；所述量子点发光二极管半成品结构为叠层结构，所述叠层结构的一个表层为电极，另一表层为电子传输层。通过本发明的制备方法获得的量子点发光二极管，QLED器件漏电电流显著降低，外量子效率及使用寿命明显提高。
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公开(公告)号：CN111384268A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811639169.6
申请日：2018-12-29
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括：提供量子点墨水，所述量子点墨水包括溶剂体系和分散在溶剂体系中的量子点，其中，所述溶剂体系包括非极性溶剂和掺杂化合物；提供阴极基板或阳极基板，在所述阴极基板或所述阳极基板上沉积所述量子点墨水后进行光照处理，退火制备得到量子点发光层，其中，所述掺杂化合物为经光照处理后能光解为离子的化合物。
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公开(公告)号：CN111384256A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811621523.2
申请日：2018-12-28
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能叠层，所述空穴功能叠层包括空穴注入层，在所述空穴注入层上设置的空穴传输层，以及设置在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间的界面层，其中，所述空穴注入层邻近所述阳极设置，且所述空穴注入层的材料含有过渡金属氧化物；所述空穴传输层邻近所述量子点发光层设置，且所述空穴传输层的材料含有有机空穴传输材料；所述界面层的材料为石墨烯类材料。
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公开(公告)号：CN111384253A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811610461.5
申请日：2018-12-27
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层，所述电子传输层的材料为氟化石墨炔。这样的氟化石墨炔用于量子点发光二极管器件的电子传输层，不仅具有电子传输效率高的优点，而且与量子点发光层匹配度高，最终提高了器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN111384214A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811632413.6
申请日：2018-12-28
申请人： TCL集团股份有限公司
发明人： 叶炜浩
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01S5/343 , H01S5/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明属于发光材料制备技术领域，具体涉及一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构。本发明所提供的制备方法，包括：注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱体，在势垒层的表面进行沉积，制备半导体量子点；其中，掺杂金属原子缺电子，且掺杂金属的半径与势垒层阳离子的半径之差的绝对值为0.1～0.3埃。通过引入掺杂金属在势垒层表面形成均匀分布的成核点，改善了量子点在势垒层表面生长的均匀性，提高了量子阱的量子效率。
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公开(公告)号：CN111384093A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811643518.1
申请日：2018-12-30
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种像素结构、显示屏及金属掩膜版，其中，像素结构包括三种单色的主子像素和三种补偿子像素，六种子像素在第一方向以及垂直于所述第一方向的第二方向上按照规定的顺序排列。在蒸镀过程中，新像素结构使相邻的同色子像素排布形成的图形通过金属掩模板的一个开口形成，使掩模板上的掩模图形开口增大，提高了显示屏的分辨率；同时通过共用的补偿子像素，调节不同颜色器件的衰退差异，减少白色平衡的偏差，提高了显示效果。
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公开(公告)号：CN111383651A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811643061.4
申请日：2018-12-29
申请人： TCL集团股份有限公司
发明人： 陈明
IPC分类号： G10L21/0208 , G10L15/20 , G10L25/27
摘要： 本发明适用于语音降噪技术领域，提供了一种语音降噪方法、装置及终端设备，其中，方法包括：获取第一语音数据和第二语音数据，融合所述第一语音数据和所述第二语音数据，获得训练数据，根据所述第一语音数据和所述训练数据对生成对抗网络进行训练，获得训练后的生成对抗网络模型，通过所述训练后的生产对抗网络模型对待处理的语音识别数据进行降噪，获得目标语音识别数据。本发明能够降低语音中的噪音干扰，提高语音识别的准确率，使得语音数据准确的传递用户的信息。
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公开(公告)号：CN111383564A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811634499.6
申请日：2018-12-29
申请人： TCL集团股份有限公司
发明人： 王瑞
摘要： 本发明公开了一种数据处理方法、旋转显示装置及存储介质，所述数据处理方法应用于旋转显示装置中，所述旋转显示装置包括一灯条，所述灯条上间隔设置有若干LED灯；所述数据处理方法包括：获取所述灯条在当前的转动角度的每一LED灯的位置数据；记录位置发生变化的LED灯对应的像素数据并存储。本发明通过获取灯条在旋转过程中LED灯位置发生变化的位置数据，基于确定位置发生变化的LED灯的位置数据获取对应的像素数据并进行存储，而LED灯位置未发生变化的无需记录像素数据，减少了数据的存储及传输量，提升了灯条的分辨率和帧率。
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公开(公告)号：CN111383278A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811635408.0
申请日：2018-12-29
申请人： TCL集团股份有限公司
发明人： 黄道
IPC分类号： G06T7/80
摘要： 一种双摄像头的标定方法包括：通过双摄像头分别采集同一标定板组合的第一图像和第二图像，所述标定板组合中包括三张或三张以上的标定板，且所述标定板按照预定的角度设置；根据标定板在第一图像和第二图像中的位置，对所述第一图像和第二图像进行分割，得到三个以上的标定板具有不同摆放角度的图像对；根据得到的三个以上的图像对进行双摄像头标定。根据标定板在第一图像和第二图像中的位置，对第一图像和第二图像进行分割后，即可通过一次拍摄得到三组或三组以上的图像对，从而能够便于通过一次拍摄即可对双摄像头进行标定，有利于减少拍摄次数，提高标定效率。
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公开(公告)号：CN111383237A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811643062.9
申请日：2018-12-29
申请人： TCL集团股份有限公司
摘要： 本发明适用于图像分析技术领域，提供了一种图像分析方法、装置及终端设备，通过获取原始图像，并按照预设尺寸将该原始图像分割成不重叠的N个图像区块，N为大于1的正整数，再对该N个图像区块的光强度进行标准化处理，得到与该原始图像对应的光强度标签图，同时对该N个图像区块的物体结构含量进行标准化处理，得到与原始图像对应的结构线标签图，然后对光强度标签图和结构线标签图进行整合，得到与原始图像对应的混合标签图，计算混合标签图的卷积值，根据卷积值与预设阈值的比较结果得到对应的图像分析结果，通过同时确定原始图像的光强度和结构线，得到对应的混合标签图后计算其卷积值，得到原始图像是否需要进行光强度调节的图像分析结果，降低了对所有低亮度的图像都进行光强度调节的盲目性，并节约了处理器资源和时间，使得用户体验更好。
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