漏斗型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺

    公开(公告)号:CN100527341C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200710054613.3

    申请日:2007-06-19

    申请人: 中原工学院

    发明人: 李玉魁

    摘要: 本发明涉及一种漏斗型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及漏斗型栅控阴极结构;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件,能够进一步增强栅极结构的控制功能,提高碳纳米管阴极的电子发射效率,降低栅极的工作电压,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

    帽型底栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺

    公开(公告)号:CN100527339C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200710054605.9

    申请日:2007-06-19

    申请人: 中原工学院

    发明人: 李玉魁

    摘要: 本发明涉及一种帽型底栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件,在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及帽型底栅控阴极结构;能够降低栅极的工作电压,提高整体器件的显示亮度,减小栅极的工作电流,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

    桥栅结构的三极场致发射显示器及其制作工艺

    公开(公告)号:CN100527328C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200510017468.2

    申请日:2005-03-30

    申请人: 中原工学院

    发明人: 李玉魁

    摘要: 本发明涉及一种带有桥栅结构的碳纳米管阴极的三极结构场致发射显示器及其制作工艺,显示器包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔,在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极以及控制碳纳米管电子发射的桥栅结构控制栅极,在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层,阴极面板上制作有桥栅结构,用于控制碳纳米管阴极的电子发射,提高了碳纳米管发射电子的能力,改善了显示器件的场致发射性能,具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。

    斜方型丝状高栅阵列结构的平板显示器及其制作工艺

    公开(公告)号:CN100527326C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200610107297.7

    申请日:2006-10-17

    申请人: 中原工学院

    发明人: 李玉魁

    摘要: 本发明涉及一种斜方型丝状高栅阵列结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及斜方型丝状高栅阵列结构;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件,能够进一步的降低栅极结构的工作电压,减小栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的极间电容,有利于提高器件的工作速度,提高器件的显示图像质量,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

    内凹型栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺

    公开(公告)号:CN100527324C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200610107282.0

    申请日:2006-10-17

    申请人: 中原工学院

    发明人: 李玉魁

    摘要: 本发明涉及一种内凹型栅控阵列结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阴极玻璃面板上有阴极导电层、碳纳米管以及内凹型栅控阵列结构;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件,能够进一步降低栅极结构的工作电压,增强栅极的控制功能和控制效率,有利于进一步提高整体器件的显示亮度和显示图像质量,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

    电子发射装置
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100521057C

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200610073823.2

    申请日:2006-03-31

    IPC分类号: H01J29/02 H01J31/12

    摘要: 本发明提供了一种电子发射装置包括第一衬底;面向第一衬底并与第一衬底分隔开的第二衬底;在第一衬底上的电子发射单元,电子发射单元具有至少两个电极和用于发射电子的发射区;和在第二衬底上将通过由电子形成的束激发的光发射单元。电子发射单元包括用于聚焦所述束的聚焦电极。光发射单元包括在其上像素设置成图案的屏幕。每个像素具有荧光层。像素之一的荧光层通过所述束激发。所述聚焦电极包括开口,所述束通过所述开口。当到达像素的所述电子束的垂直直径是DBV且至少一个像素的垂直节距是PV时,垂直直径DBV和垂直节距PV满足:0.4<DBV/PV<1。

    碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN100495631C

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200610039205.6

    申请日:2006-03-30

    申请人: 东南大学

    摘要: 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法涉及场发射显示器栅极结构的设计、材料的选择和制作工艺流程的设计、发射材料表面处理技术,该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板,在玻璃衬底上覆盖阴极电极(2),在阴极电极上设有致密材料薄层(4),在阴极电极和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5),在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8),碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中,下部熔入致密材料薄层(4)中,在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6),栅极电极(6)中设有栅极小孔(7),栅极小孔与其下部的绝缘介质孔(8)对齐,绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。

    多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺

    公开(公告)号:CN100487848C

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200610048504.6

    申请日:2006-08-02

    申请人: 中原工学院

    发明人: 李玉魁

    摘要: 本发明涉及一种多圆环状阴极阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及多圆环状阴极阵列发射结构;增强栅极的电子发射控制作用,有效的增大碳纳米管阴极的发射面积,改善栅极的控制效率,进一步提高发光亮度,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。