一种含硼有机化合物及其应用
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118271356A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211729518.X

    申请日:2022-12-30

    摘要: 本发明涉及一种含硼有机化合物及其应用,属于半导体技术领域,本发明提供化合物的结构如通式(1)所示:#imgabs0#本发明还公开了上述化合物的应用。本发明的化合物具有窄半峰宽,作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时,器件的电流效率得到显著提升,同时发光色纯度和器件寿命也得到了较大的改善,本发明含硼有机化合物作为发光层掺杂材料使器件具有良好的光电性能。

    有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置

    公开(公告)号:CN118265425A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311627624.1

    申请日:2023-11-30

    摘要: 本发明涉及一种有机发光二极管,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;和第一发光部,所述第一发光部包括第一蓝色发光层和第二蓝色发光层且位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述第二蓝色发光层位于所述第一蓝色发光层与所述第二电极之间并且接触所述第一蓝色发光层,其中所述第一蓝色发光层包括第一基质和第一掺杂剂,所述第二蓝色发光层包括第二基质和第二掺杂剂,其中所述第一基质是具有第一氘化率的蒽衍生物,所述第二基质是具有比所述第一氘化率更小的第二氘化率的蒽衍生物,其中所述第一掺杂剂是由式3表示的第一化合物,所述第二掺杂剂是由式7表示的第二化合物。

    有机金属化合物和包括该有机金属化合物的有机发光二极管

    公开(公告)号:CN118265417A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311822613.9

    申请日:2023-12-27

    摘要: 公开了一种有机发光二极管,包括:第一电极;面对第一电极的第二电极;和设置在第一电极和第二电极之间的有机层,其中所述有机层包括发光层、空穴传输层(HTL)和电子传输层(ETL),其中所述发光层包括掺杂材料和基质材料,其中所述掺杂材料包括由化学式1表示的有机金属化合物,其中所述基质材料包括由化学式2表示的化合物和由化学式3表示的化合物的混合物,其中所述空穴传输层包括由化学式4表示的化合物,其中所述电子传输层包括由化学式5表示的化合物。所述有机发光二极管具有优异的发光效率和寿命。

    一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用

    公开(公告)号:CN114874262B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202210553715.4

    申请日:2022-05-19

    摘要: 本申请公开了一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用,所述具有高激子利用率青蓝色荧光材料在溶液与薄膜中表现出良好的耐温性,与质子转移黄光材料掺杂制备的掺杂薄膜在高温范围内具有良好的温度响应,有应用到高温传感中的潜力;将具有质子转移的黄光材料与上述青蓝光材料掺杂作为发光层,制备白光OLED器件。所制备的青蓝和白光OLED器件具有耐高温的特征,在高温下电致发光强度明显增强。本发明所述单分子青蓝光OLED以及白光OLED器件都具备较高的器件效率、高的激子利用率和较好的耐温性;其中发射层黄光材料与青蓝光材料之间没有能量传递,因此色坐标与电致发光光谱稳定,在高效耐高温的OLED应用领域具有很高的使用及推广价值。

    有机电致发光材料和装置
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118239985A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202311780300.1

    申请日:2023-12-22

    摘要: 本申请涉及有机电致发光材料和装置。提供一种化合物,其包含式I#imgabs0#的第一配体LA。在式I中,X1至X8中的每一者为C或N;#imgabs1#为单键或双键;K为直接键或连接基团;RA、RB和RC各自为氢或通用取代基;LA与具有至少40的原子量的金属M配位;任何两个取代基可接合或稠合以形成环;且(i)两个RA取代基接合以形成与环A稠合的环,(ii)两个RB取代基接合以形成与环B稠合的环,或(iii)具有条件(i)和条件(ii)两者。还提供含有其的调配物、OLED和消费型产品。

    一类含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118221729A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410166014.4

    申请日:2024-02-05

    摘要: 本发明属于有机光电领域,公开了一类含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体及其制备方法和应用。所述的含三苯基氧化膦单元的不对称有机半导体的化学结构为以下通式中的一种,其中R1为H、#imgabs0#中的一种;R2为碳原子数6~60的芳香族烃基、碳原子数3~60的芳香族杂环基中的一种。本发明中,含三苯基氧化磷单元的不对称有机半导体的不对称结构有利于提高热稳定性和平衡载流子迁移率,同时三苯基氧化磷单元可发挥主体材料作用避免荧光猝灭。此类含三苯基氧化磷单元的不对称有机半导体可作为双极性材料,通过蒸镀的方法制备具有简单器件结构的有机发光二极管的发光层。#imgabs1#