公开(公告)号：CN110446693A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201880019061.9

申请日：2018-07-11

Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司

Inventor： 大友惠 ,  长友大朗 ,  高桥健太郎

IPC: C04B35/575 ,  H05B3/14

Abstract: 本发明提供一种SiC烧结体，所述烧结体含有氮原子，所述烧结体的最大体积电阻率Rmax与所述烧结体的平均体积电阻率Rave之比即Rmax/Rave为1.5以下，且所述烧结体的最小体积电阻率Rmin与所述平均体积电阻率Rave之比即Rmin/Rave为0.7以上，所述烧结体的相对密度为98％以上。

公开(公告)号：CN109180209A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811016740.9

申请日：2018-08-31

Applicant: 江苏科技大学

Inventor： 陈洪美 ,  廖斯恩 ,  张静 ,  金云学

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/577 ,  C04B35/575 ,  C04B35/52 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料的方法，该方法将所需量的纳米碳化硅颗粒、白砂糖粉、纳米二氧化硅粉和石墨粉混合后在高温加压条件下通过碳热还原反应，制备出以石墨和碳化硅复合相为基体，碳化硅纳米线为增强体的陶瓷基复合材料。本发明制备方法制得的复合材料利用原位自生技术，在复合粉体上直接生成弥散分布的碳化硅纳米线(SiCnw)增强体，生产成本低，比单一的SiC材料和石墨材料具有更优越的耐磨性能和力学性能。

公开(公告)号：CN108774065A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201810631138.X

申请日：2018-06-19

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 黄政仁 ,  王晓洁 ,  姚秀敏 ,  刘学建 ,  刘泽华 ,  陈军军

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种SiC/MCMBs复合材料及其制备方法和应用，所述SiC/MCMBs复合材料包括SiC基体、以及分布在碳化硅基体中的中间相碳微球，所述中间相碳微球的含量为15～30wt%。

公开(公告)号：CN108585875A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810287961.3

申请日：2018-04-03

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 黄毅华 ,  江东亮 ,  黄政仁 ,  刘学建 ,  陈忠明

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577

CPC classification number: C04B35/575 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供一种大尺寸、高强度石墨烯纳米片/碳化硅复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：以碳化硅、碳化硼、石墨烯纳米片和碳黑为原料，按照石墨烯纳米片/碳化硅复合材料的原料组分称量并混合，得到原料粉体，所述原料组分包括：81～98wt%碳化硅、0.5～6wt%碳黑、0.5～3wt%碳化硼和1～10wt%石墨烯纳米片，各组分含量和为100wt%；将所得原料粉体置于模具中进行热压烧结，得到所述石墨烯纳米片/碳化硅复合材料，所述热压烧结的烧结温度为1900～2200℃，烧结压力为20～80MPa。

公开(公告)号：CN105837219A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610164484.2

申请日：2016-03-22

Applicant: 西安铂力特激光成形技术有限公司

Inventor： 薛蕾 ,  王俊伟 ,  赵晓明 ,  杨东辉

IPC: C04B35/575 ,  B28B1/00 ,  B33Y10/00

CPC classification number: C04B35/575 ,  B28B1/001 ,  B33Y10/00 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅陶瓷零件的制备方法，先将碳化硅粉末、硼粉和碳粉混合得到陶瓷粉末，再将陶瓷粉末与有机粘接剂混合均匀，得到混合浆料。将混合浆料装入3D打印成型设备中，利用可控紫外线光束，采用面曝光或点扫描的方式，根据零件三维模型逐层打印，制成碳化硅陶瓷零件粗坯。再将碳化硅陶瓷零件粗坯进行低温脱脂处理，使粗坯中的有机粘接剂蒸发溢出；再进行热等静压处理，获得致密的碳化硅陶瓷零件。本发明采用3D打印技术制造碳化硅陶瓷零件，零件的形状不受约束，并且致密性较好，解决了现有热压成型制备方法依赖模具，不适合小批量生产的问题。

公开(公告)号：CN105541331A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510996728.9

申请日：2015-12-28

Applicant: 西安建筑科技大学 ,  洛阳科创新材料股份有限公司

Inventor： 蔡艳芝 ,  尹洪峰 ,  王晓东 ,  蔚文绪 ,  马军强

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/575 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/575 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/65 ,  C04B2235/75

Abstract: 本发明公开了一种Ti3SiC2/SiC功能梯度材料的制备方法，包括将Ti3SiC2粉体与SiC粉体在模具内逐层梯度混配后制成坯料，坯料经真空热压烧结得到坯体，再将坯体依次进行浸渍增密及热解处理；所述的SiC粉体包括微米β-SiC粉体和纳米β-SiC粉体；所述的真空热压烧结温度为1600～1700℃，保温3～5h，最高压力为25MPa；所述的浸渍增密包括将热压烧结后的坯体中的含有60vol.％SiC～100vol.％SiC的梯度层在聚碳硅烷液体中进行浸渍增密；本发明的方法制备的Ti3SiC2/SiC功能梯度材料致密度高，沿厚度方向自Ti3SiC2向SiC包含多个梯度层(可根据需要进行设计)，在各个梯度层内结构均匀致密，各个梯度层间界面有适中的结合，力学强度高，断裂韧性好，高温下抗氧化性能好，抗热震性好，可制备成11个梯度层的厚度为8～15mm的Ti3SiC2/SiC功能梯度材料。

公开(公告)号：CN104326749A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410522500.1

申请日：2014-09-30

Applicant: 苏州博利迈新材料科技有限公司

Inventor： 翟红波 ,  杨振枢 ,  韦洪屹

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高强度纳米陶瓷材料及其制备方法，涉及材料技术领域，由以下质量份数的各个组分构成：（1）碳化硅，18-32份；（2）碳化钨，15-25份；（3）纳米MnO，4-9份；（4）Nb2O5，3-8份；（5）TaSe2，4-8份；（6）纳米氧化锌，5-8份；（7）纳米氧化锆，5-15份；（8）烧结助剂，6-10份。一种高强度纳米陶瓷材料的制备方法是通过高温固化法进行制备。本发明高强度纳米陶瓷材料及其制备方法提供的纳米陶瓷材料具有高强度和高韧性的特点，同时性质更加稳定，具有耐高温和耐磨等性能，可作为刀具或特种性能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN1874973A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032260.1

申请日：2004-10-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野友之 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/00 ,  C04B35/56 ,  C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/58 ,  C04B35/582 ,  C04B35/593 ,  C04B35/596

CPC classification number: C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/185 ,  C04B35/443 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/524 ,  C04B35/528 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/80 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963

Abstract: 本发明提供了适合作切削工具、滑动部件和成型模具材料的高耐磨、低摩擦的陶瓷复合材料。该陶瓷复合材料的特征在于由具有平均晶粒尺寸为3μm或更小，优选30nm或更小的碳作为主组分的相以及陶瓷相(条件是排除碳)构成。所述陶瓷相为选自Al、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W的氮化物、碳化物、氧化物、复合氮化物、复合碳化物、复合氧化物、碳氮化物、氧氮化物、碳氮氧化物和碳氧化物中的至少一种。该陶瓷复合材料是通过在800至1500℃烧结温度和200MPa或更高烧结压力下烧结原料粉末而制得。

公开(公告)号：CN1234646C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN03125220.6

申请日：2003-08-01

Applicant: 万青

Inventor： 万青

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法。它涉及块体钛碳化硅陶瓷材料的制备，提供了一种掺加助剂CaF2热压烧结层状钛碳化硅块体材料的方法。本发明的方法是一种原位热压烧结法，其方法的步骤及次序如下：A.摩尔比Ti∶Si∶C＝3∶1∶(1.95～2.05)混合，再加总量2～8Wt%的CaF2；B.将A料24～30h的混合；C.将混合均匀的粉料装入石墨模具中，在惰性气氛保护下热压烧结1～8h，温度1200～1500℃，压力20～80MPa；D.在惰性气氛保护下自然冷却。本发明的创新之处在于利用助剂CaF2的加入，降低烧结温度，加快固相反应，提高产物的纯度和致密度。本发明简单可靠、成本低、产率高，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN1552662A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03133510.1

申请日：2003-05-28

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 周延春 ,  张海斌 ,  刘明月 ,  闫程科 ,  王京阳

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575

Abstract: 本发明涉及无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备技术，具体为一种无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备方法，在Ti3SiC2陶瓷材料的制备原料中加入金属Al，均匀混合后，进行热压烧结或热等静压烧结，烧结温度为1350－1650℃，烧结时间为0.5－2小时，形成Ti3Si1－xAlxC2固溶体，其中x＝0.02－0.2。本发明在1350－1650℃、0.5－2小时热压烧结或热等静压烧结的掺少量Al的Ti3SiC2体材料均匀、致密、不含有TiC，其强度和硬度与不掺入Al的Ti3SiC2相当，但高温的抗氧化性能得到大幅度提高。