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公开(公告)号：CN103342474A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310234932.8
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造导电聚合物和纳米材料的薄膜的方法，纳米材料首先与铁离子层结合，然后通过气相聚合后可以获得导电聚合物超薄层。同时LB膜沉积可以形成大面积纳米材料的有序排布。因此，获得的导电聚合物和纳米材料的薄膜具有厚度超薄、比表面积大并可大面积制备的优点；并且方法简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN103112238A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310030371.X
申请日：2013-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: B32B37/15
Abstract: 一种导电聚合物复合薄膜电的制备方法，属于电子功能材料技术领域。本发明提供的导电聚合物复合薄膜的制备方法，主要包括两个过程：（1）在基片表面气相沉积一层导电聚合物薄膜A；（2）在导电聚合物薄膜A表面旋涂原位聚合的导电纳米粒子掺杂的导电聚合物薄膜B。本发明充分结合气相沉积、原位聚合和旋涂工艺各自制备薄膜的优点，能够制备出均匀性好、比容量大、稳定性高的复合薄膜，所制备的复合薄膜可在电池、传感器以及电化学电容器方面具有良好的用途。
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公开(公告)号：CN103009730A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210541546.9
申请日：2012-12-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造复合纳米薄膜的方法，包括：将有机纳米材料溶于第一溶剂中，获得第一分散溶液；将聚乙烯醇溶于第二溶剂中，获得第二分散溶液；提供基片并对基片进行亲水处理；将基片浸入所述第二分散溶液中形成聚乙烯醇薄膜；将基片浸入第一分散溶液中形成有机纳米材料薄膜；重复前两个步骤至少一次，形成复合纳米薄膜；从基片上剥离复合纳米薄膜。本发明的实施例中，使用有机纳米材料与聚乙烯醇形成复合纳米薄膜，形成的复合纳米薄膜具有良好的耐水性。
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公开(公告)号：CN102718408A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210205758.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造气体敏感薄膜的方法，包括：将氧化剂和纳米结构材料溶于溶剂中；将混合溶液涂敷于基片上；将基片置入导电聚合物单体气氛中第一时间。本发明实施例中，将氧化剂和纳米结构材料混合溶液涂敷于基片上可以在基片上获得氧化剂/纳米结构材料复合纳米薄膜，然后基片置入导电聚合物单体气氛中一段时间，这样，可以通过简单的化学气相聚合方法修饰氧化剂/纳米结构材料复合纳米薄膜而获得导电聚合物/纳米结构材料复合纳米薄膜，该复合纳米薄膜作为气体敏感薄膜。该方法成本低，可以廉价的实现薄膜的大面积制备，且简单的单体化学气相聚合过程保证了获得的导电聚合物/纳米结构材料复合纳米薄膜结构的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN102623175A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112202.6
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米电容器的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett（LB）膜方法在基底上制备高密度中空纳米粒子薄膜作为电容器一个电极，然后在中空纳米粒子表面采用原子沉积（ALD）方法沉积介电纳米薄膜作为电容器介质材料，最后在介电薄膜上通过ALD方法沉积金属纳米薄膜作为电容器另一个电极，形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的纳米电容器及阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102623173A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112199.8
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法，对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理；采用原子层沉积的方法制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极；采用原子层沉积方法沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料；采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料；采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料，从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属-绝缘体-聚合物半导体-金属的电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米层状结构，使得电容器具有大的能量密度，并易于实现阵列化。同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN101373817B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810046331.3
申请日：2008-10-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法，首先将阳离子表面活性剂和可溶性可电离的导电聚合物在气/液界面进行组装，然后通过LB法将导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构转移致阳极层，作为器件的空穴注入层，然后再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。本发明中的空穴注入层材料，由于具有很好的有序层状结构，使得空穴传输层与阳极层之间的接触势垒降低，空穴的注入效率增加。本发明可用于大面积聚合物空穴注入层的制备，制作高质量有机电致发光显示器件。
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公开(公告)号：CN101540378A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910059064.8
申请日：2009-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法，首先在器件阳极上构筑有序紧密排列的导电聚合物纳米线结构作为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。空穴注入层中的材料是有序排列的高导电性聚合物纳米线，具有载流子迁移率高的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件，而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。
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公开(公告)号：CN114544714B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210181202.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种MOFs导电聚合物复合薄膜气体传感器及制备方法，在金叉指电极表面沉积聚3,4‑乙烯二氧噻吩PEDOT，以六水合硝酸钴、六水合硝酸铈和均苯三甲酸为原料用水浴法合成钴铈基金属有机框架CoCe‑BTC，然后采用旋涂法得到CoCe‑BTC/PEDOT复合薄膜，本方法可以将CoCe‑BTC/PEDOT复合薄膜简单高效地转移到光滑衬底上，制备出的传感器结合了CoCe‑BTC及PEDOT的优点，同时提升了响应度和导电性，稳定性好、成本低，为该类型气体传感器的大规模生产提供一种良好的设计理念。
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