公开(公告)号：CN104752241A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410482929.2

申请日：2014-09-19

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 ,  郑永均 ,  李钟锡 ,  千大焕 ,  姜修槟

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/3006 ,  B22F1/0085 ,  B22F1/0096 ,  B22F3/00 ,  B22F2998/10 ,  B23K35/025 ,  C22C1/0466 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/025

Abstract: 本发明提供一种接合银浆的方法。该方法包括制备含有银粉末和铅粉末的银浆，以及加热银浆。然后接合银粉末。

公开(公告)号：CN103872130A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310438998.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的多个n型柱区和n-型外延层；布置在多个n型柱区和n-型外延层上的p型外延层和n+区；穿过n+区和p型外延层并布置在多个n型柱区和n-型外延层上的沟槽；布置在沟槽内的栅极绝缘膜；布置在栅极绝缘膜上的栅电极；布置在栅电极上的氧化膜；布置在p型外延层，n+区，和氧化膜上的源极电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极电极，其中沟槽的每个角部接触对应的n型柱区。