BiVO4/2D g-C3N4Z型异质结光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN109985657B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201910395741.7

    申请日:2019-04-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开一种BiVO4/2D g‑C3N4Z型异质结光催化剂的制备方法,具体方法为:先通过水热反应法制备BiVO4,热聚合三聚氰胺制备石墨相氮化碳(g‑C3N4),通过热氧化剥离得到2D g‑C3N4,然后以甲醇为溶剂,通过超声辅助化学吸附法制备BiVO4/2D g‑C3N4Z型异质结光催化剂。本发明制备的BiVO4/2D g‑C3N4Z型异质结光催化剂中,2D g‑C3N4分布在BiVO4的表面形成Z型异质结结构,能够快速分离光生电子和空穴,提高光电子的寿命,减小了光生电子空穴复合率,对可见光具有良好的响应,在催化反应40min后,罗丹明B溶液的降解率可达到93.0%。该材料可用于光降解有机污染物,对环境治理具有重要的意义。

    一种金纳米粒子的制备方法

    公开(公告)号:CN109158614A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811085484.9

    申请日:2018-09-18

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: B22F9/24 B82Y40/00

    Abstract: 本发明提供了一种金纳米粒子的制备方法,将何首乌多糖溶液和氯金酸溶液混合,进行氯金酸的还原反应,将所得还原产物体系进行透析,得到金纳米粒子。本发明以何首乌多糖为模板制备金纳米粒子,具有取材方便、成本低廉和原料环保的优点;制备的何首乌多糖稳定的金纳米粒子在水溶液中能够保持一周内稳定,无聚集和沉淀;制备条件温和、操作简单、反应过程易于控制,制备的金纳米粒子的粒径为16~25nm,粒径均匀,对桑色素具有高的催化效率。

    一种纳米氧化锌粉体光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN105749898B

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201610191351.4

    申请日:2016-03-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化锌粉体光催化剂及其制备方法,该纳米粉体光催化剂的分子式为ZnO,主要特征是采用可溶性硫酸锌为原料,将其溶解于去离子水中制得无色透明溶液,将混合溶液蒸发、干燥、研磨后制得前驱体粉末;在经过高温煅烧和自然冷却后得到纳米氧化锌粉体光催化剂。这种纳米粉体光催化剂的粒度在5~20nm,近似球形,具有均匀细小、分散性好、纯度高、光催化性能良好等优势。本发明的原料单一易得,不涉及前驱物的均匀性和成分偏析等问题,制备工艺简单、重复性好、煅烧温度低,而且制备周期短、成本低,易于大批量生产,产品在光催化净化处理技术等领域有着广阔的应用前景。

    一种氧化锑膜的制备方法
    64.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105908234B

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201610297100.4

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种氧化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5‑8V,电镀时间为5‑30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;膜电极在水中浸泡1‑24小时,在氮气气氛下300度到400度热处理1‑10分钟,自然冷却至室温,在导电基体得到氧化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,具有很好的应用前景。

    一种基于水合肼检测的电化学传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106770561A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710125116.1

    申请日:2017-03-03

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: G01N27/30

    Abstract: 一种用于检测水合肼的电化学传感器,该电化学传感器由氧化铟锡导电玻璃和涂覆在其上的硫化锑薄膜构成。该硫化锑薄膜的厚度是1毫升/平方厘米的浓度为5.5克/升的硫化锑的硫化铵溶液经低温干燥和热处理得到的。该传感器的制备方法主要是:氧化铟锡导电玻璃预处理,在处理好的氧化铟锡导电玻璃上涂覆浓度为5.5克/升硫化锑的硫化铵溶液,加热到200‑400℃干燥成膜后,然后对干燥后的硫化锑薄膜进行热处理,即得到本发明所述的电化学传感器。本发明制备的电化学传感器具有化学性质稳定,灵敏度高,检出限低,线性范围宽,制备方法简单等优点。本发明提供的电化学传感器对溶液中不同浓度的水合肼具有良好的检测效果,可用于水合肼的特征检测。

    一种长深孔工件内表面加工设备的校准方法

    公开(公告)号:CN104588769B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410795255.1

    申请日:2014-12-18

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种长深孔工件内表面加工设备的校准方法,其中,该加工设备包括:主传动系统,卷筒,钢丝绳,滑轮组件,位置调整传动系统,弹性夹头和拉刀,其中:拉刀安装到弹性夹头上,弹性夹头与钢丝绳的一端连接,钢丝绳绕在滑轮组件的滑轮槽中,另一端缠绕固定在卷筒上;主传动系统与卷筒相连,用于带动卷筒转动,并牵引钢丝绳移动;位置调整传动系统与滑轮组件相连,用于控制滑轮组件的位置。该校准方法包括:控制位置调整传动系统移动滑轮组件,使得弹性夹头或拉刀到达预设位置。从而实现了在使用长度小于工件内孔长度的拉刀,对该长深孔工件的内表面进行加工的过程中,对拉刀位置进行准确的校准。

    一种长深孔工件内表面加工设备及加工方法

    公开(公告)号:CN104625215B

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201410795003.9

    申请日:2014-12-18

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种长深孔工件内表面加工设备及加工方法,包括:主传动系统,卷筒,钢丝绳,滑轮组件,位置调整传动系统,弹性夹头和拉刀,其中:拉刀安装到弹性夹头上,弹性夹头与钢丝绳的一端连接,钢丝绳绕在滑轮组件的滑轮槽中,另一端缠绕固定在卷筒上;主传动系统与卷筒相连,用于带动卷筒转动,并牵引钢丝绳移动;位置调整传动系统与滑轮组件相连,用于控制滑轮组件的位置。从而实现了使用长度小于工件内孔长度的拉刀,对该长深孔工件的内表面进行有效加工,如切削或清理工作。

    一种硫化锑膜的制备方法
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105951146A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201610296937.7

    申请日:2016-05-06

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: C25D9/08

    Abstract: 一种硫化锑膜的制备方法,其主要是先按每11毫升乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液加入0.01‑0.03g硫化锑的比例将硫化锑溶于1,2‑乙二胺和1,2‑乙二硫醇混合溶液,制得电沉积液;然后将两块透明电极垂直排列放入装有电沉积液的电解槽中进行阴极恒电位电沉积,电压为1.5‑8V,电镀时间为5‑30min,电沉积结束后,阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜;将电沉积膜在氮气气氛下300‑400度热处理,自然冷却至室温,得到硫化锑膜。本发明制备方法简单、反应时间短、产率高,适用于工厂大批量生产,实用性强,制备的硫化锑膜可应用于催化和太阳能电池中,在光导材料领域具有广阔的应用前景。

    一种长深孔工件内表面加工设备及加工方法

    公开(公告)号:CN104625215A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201410795003.9

    申请日:2014-12-18

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种长深孔工件内表面加工设备及加工方法,包括:主传动系统,卷筒,钢丝绳,滑轮组件,位置调整传动系统,弹性夹头和拉刀,其中:拉刀安装到弹性夹头上,弹性夹头与钢丝绳的一端连接,钢丝绳绕在滑轮组件的滑轮槽中,另一端缠绕固定在卷筒上;主传动系统与卷筒相连,用于带动卷筒转动,并牵引钢丝绳移动;位置调整传动系统与滑轮组件相连,用于控制滑轮组件的位置。从而实现了使用长度小于工件内孔长度的拉刀,对该长深孔工件的内表面进行有效加工,如切削或清理工作。

    一种材料缺陷检测设备以及材料缺陷检测方法

    公开(公告)号:CN104458834A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410735904.9

    申请日:2014-12-05

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种材料缺陷检测设备以及材料缺陷检测方法,包括:平面阵列传感器、控制电路和结果输出模块,其中:平面阵列传感器,包括:多个检测电极、端部屏蔽电极、极间屏蔽电极、传感器基板、信号线和基板背面屏蔽层,其中:控制电路与多个检测电极相连,用于控制对多个检测电极的电压激励;多个检测电极以阵列方式排列在传感器基板的上方,传感器基板的背面覆盖有基板背面屏蔽层,以及分布有信号线;信号线与多个检测电极相连,且与结果输出模块相连,用于将检测信号传输给结果输出模块;结果输出模块用于根据检测信号输出对应的检测结果。采用本发明方案,实现了对材料内部的无损检测。

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