用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚

    公开(公告)号:CN106894091A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201710194865.X

    申请日:2017-03-28

    Abstract: 本发明是关于一种用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的坩埚,该坩埚包括坩埚体,该坩埚体包括底壁和侧壁,由上述底壁和侧壁围成用于放置碳化硅多晶粉料的内腔室;进一步的,上述侧壁中设有用于放置硅源的夹层腔,其中硅源用于在夹层腔中提供Si蒸汽压,并且夹层腔中的Si蒸汽压大于或等于内腔室中的Si蒸汽压。本发明通过在坩埚体侧壁中设置夹层腔,并且在该夹层腔中放置硅源以提供合适的Si蒸汽浓度,借助Si蒸汽浓度梯度作用,控制SiC单晶生长室中的Si蒸汽扩散方向,不仅有效控制整个碳化硅单晶生长过程中所需的化学计量比,避免了碳化硅单晶中产生碳包裹体缺陷,还可以防止原料的严重碳化,促进高质量碳化硅晶体的生长。

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